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对于RF布线跳层角度与回损影响的讨论
Q：各位大佬，请教一个问题，如果RF布线必须要跳层的话，两层线的角度有要求吗？就是类似这种，角度不一样，对回损影响大不大？
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A：换层角度没有要求，但是频率高了需要匹配。
Q：OK，了解。谢谢
A：需要注意焊盘与地间距，射频走线记得包地。
Q：谢谢，知道嘞，我仿真一下。
有关提升PCB信号隔离度的技术讨论
Q：大佬们都如何增加PCB信号间的隔离度呀，除了加GND via，我这种仿真到高频只有25DB，要求35左右。
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A：加屏蔽罩，或者隔条。
Q：隔条是啥，没用过。
A：这里是双工器之类的吗？还是单纯的走线?
Q：就是走线。
A：中间那根线是啥？
Q：都是不同的RF信号,三条都是不同网络的RF。
A：都是10G？
Q：对，而且这个位置定了，没办法拉远。
A：能把线改到不走表面吗？
Q：不走表面就没办法调了。
A：要在很宽的带宽内高隔离吗？
Q：是的，1---10。
A：看能不能高频去去耦。
Q：加隔条是怎样的，大佬。我网上也没有找到相关的。
A：加隔条，加吸波材料。如果指标有余量，一条信号线中间层，一条走顶层。
Q：谢谢，了解，和屏蔽罩类似，对吧？
A：参考下图：
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Q：谢谢，知道啦！
Q：有大佬知道威尔金斯一分四功分器仿真在5.8GHz时插损大于了6.8dB又没啥办法可以降这里的插损呀? 用的cst.
A：我之前做 Doherty 通过减小微带长度来控制损耗，但效果很有限，
Q：好滴，
A：这种不知道降低阻抗变换比，做多级会不会可以有用，但感觉上不会，
Q：就是不知道怎能来降了，降低阻抗变换比，在做宽带的时候可以降插损？
A：这个我之前发现是不一定的，甚至有可能恶化，你可以优化试试看，
Q：感谢，我看看还可以怎么调整。
有关偏置电路中旁路电容与电阻配置的稳定性讨论
Q：问下各位，为什么有的偏置直接一个旁路电容就行，有的需要两个配电阻。漏极偏置，好像前者要构成RC要稳定一点吗？
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A：同问！
A：稳定性，每次都调这个，还有两级金丝不影响了，原因不详。
A：仿真一下，不就出来了吗，降低电容Q值，在大范围呈现低阻。
A：![]()
每次都看人加电阻，刚知道为什么。
Q：我也是，现在知道了。
A：“ 好像前者要构成RC要稳定一点吗？” 由于漏级加电容，输入阻抗栅漏电阻和这个电容会引入-1/w2RC，低频下容易出现负阻需要加入一个电阻确保电路低频稳定，用KVL和KCL推一下这个模型的输入阻抗就明白了。
Q：好的，我试一下。
LVS原理图中管子m数识别问题及解决方法
Q：请问有没有大佬知道，这个LVS的时候，在原理图中识别不了管子的m数的这种情况？原理图中的m总是识别成10，无论改成什么尺寸都是10。
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A：删掉，重新调用一次试试。
Q：删掉，重新调用就好了，谢谢。
多圈电感在Wi-Fi系统中的应用与性能优势讨论
Q：在慧智微这篇文章《Wi-Fi系统：技术方案与实现路径》里这张图，有大佬知道这种三个圈的电感有什么好处吗？
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A：这种可能是个变压器，d类vco里见过。
Q：嗯嗯，但是这种与两个圈的那种电感相比有啥好处呢？
A：可以做多个谐振，相位噪声会好一些，但上图这个不知道是不是。
Q：这种多个圈组成的8字形电感不是一般情况下会比那种单个圈的电感的Q值要更低些的吗？Q值更低不应该是对相噪有恶化吗？
A：8字防止pulling。
Q：防止pulling不应该是用偶数倍的圈数更好吗？如果是三圈感觉抗pulling的作用跟单圈差不多？
A：让vco输出接近方波，减少有源器件的噪声贡献。
Q：![]()
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提高HBT达林顿结构中频放大器OIP3的方法探讨
Q：有没有用HBT做过达林顿结构中频放大器的大佬，想请教下这个结构提高OIP3的办法，
A：中频是什么频率？几百M吗？
Q：对，几十兆到几百兆。
A：虽然不知道你是什么工艺，但K.W. Kobayashi所用的堆叠的方法是还是有一定效果的（US06933787B1）。
Q：我去看看，谢谢🙏
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