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有关PCB键合之后再回流焊的问题
Q:请教一下,PCB上芯片键合之后,还能进回流焊吗?需要做什么保护吗?
A:按说没啥问题 注意出炉子的时候保护好金丝就行。也要注意粘胶会不会融化,一般胶水可能没有炉子温度高。
A:导电胶会融化?没听说过。
A:“一般胶水可能没有炉子温度高” 感觉这个的问题比较大 一般粘胶烘焙的温度不会超过180 但是你回流的话 183的中温炉子也得200多了。不会融化吗?
A:只听说可能变脆。
Q:好像不会完全化掉,但是芯片可能会有一点偏移。
A:那可能就会拉拽金丝了
Q:对的,有风险。
有关巴伦的电路等效问题
Q:大佬们想请问一下,差分放大器加上理想巴伦进行阻抗匹配后,想要去掉巴伦,那些串联电感电容和并联电感电容该怎么变化呢?
比如这样的匹配网络,还想把电感T网络换成变压器。
A:变压器T型等效,可以参考下
Q:谢谢大佬,我现在已经搞明白了,之前不懂的是如何把单端变成差分
Q:您好 请问这是哪本书嘛
A:这个是电科大的硕士论文。冯文. 硅基毫米波功率放大器设计[D].电子科技大学,2019.
Q:嗯嗯,好的,谢谢哈。
有关接收机系统回波损耗异常的讨论
Q:问下老哥关于MMIC的问题,在做接收机,我负责开关和输入,师兄负责输出PA,接在一起的时候,他的PA不通电我噪声没影响,通电之后,我噪声从2.4变成了7.6,我扫了一下我接收端的输入阻抗,没变化,但是PA输出3端口的S33变成了这样。这是不是就表明了是PA的问题了,输出自激?这是版图仿真
A:什么架构?
Q:收发一体。隔离度-20,就是PA通电会有问题。
A:可能有泄露,一般可能-40/ 50之类的?
A: PA输出不是50欧姆,容易自激。反射式开关,在断开的那一路,是呈现高阻状态的
Q:找到原因了,验证的时候,我在开关和PA输出端加了一个-25dB的衰减器,然后我LNA噪声就正常了,目前打算重新做一个高隔离度的开关了。
LNA接收状态时候,我PA是一直供电的,导致把PA接收的信号放大到了我PA的输出端,也就是开关那点,从0到30,然后我开关的隔离度做的是-22,导致8db的信号泄漏到了我LNA的输入端,把我噪声抬起来了。
A:所以就是开关的问题是吧?
Q:嗯,多谢大家。
有关手机项目SAR指标问题排查的讨论
Q:各位家人请问手机某个射频指标测试不合格,应该如何排查问题?
A:什么指标。
Q:比如SAR?
A:确认传到功率,找天线工程师。
A:SAR超标一般降功率么。
Q:天线调什么呢,调方向图吗?
A:测SAR的时候会先测传导功率啊 你传导有问题吗?
Q:只是问问学习下,不是遇到问题了,假如传导没问题呢,后续如何排查。
A:以前隐约听到一个什么“奇点”,猜测大概是跟方向图相关的类似的东西。
调SAR一般都是天线工程师的大量反复验证的工作,电路的确认好功率就行。现在功率是不是可以检测手持电话模式,然后进行调低功率的操作。
SAR是近场的东西,跟远场不一样。
A:传导没问题 就得细分了 降SAR有很多机制 可以排除比如SAR SENSOR是否生效等等
Q:受教了,谢谢!
A:降SAR机制很多 recvier on 距离SAR 等等 还有ENDC同发的时候热点降功率等等,根据你fail点的测试场景得去细分排查。
A:变频芯片噪声系数~噪声头加频谱仪就行吧。
Q:“以前隐约听到一个什么“奇点”,猜测大概是跟方向图相关的类似的东西。
调sar一般都是天线工程师的大量反复验证的工作,电路的确认好功率就行。现在功率是不是可以检测手持电话模式,然后进行调低功率的操作。
SAR是近场的东西,跟远场不一样。 ” 哥,你说的是不是零点。
A:应该不是 可以忽略掉我的说法 这个词也可能是当时那个天线同事自编的词。SAR这东西 跟功率大小,距离远近(按mm算)强相关。所以测试方法梳理一遍,看有没有漏洞可以钻。就像:多年前平板形态的产品的接触SAR怎么都过不了,才想着参考IPAD通过检测模式来降功率。非要为难天线,推测估计就是在pattern上,把辐射强的尖角拐角这些调整下位置。专业的还是交给专业的天线工程师来分析。
Q:哦哦,谢谢哥,明白了。
有关PA接近饱和功率工作的讨论
Q:各位大佬,请问功率一直推到P1/P3dB工作会有啥什么影响?
A:热,进入膝区。
Q:散热片和风扇都加了。
A:啥问题?
Q:没有散热情况下,90℃,效率下降了,其他没发现,加上散热只有50多度。
A:温度控制一下对稳定性有好处的。
A:有给偏置做温度补偿吗,高温掉效率挺普遍的。
Q:嗯,我去搞一下看看。
有关.wv格式波形文件读取的讨论
Q:请问从信号源导出调制信号波形文件是.wv格式,这个能在ADS里面读取吗?
A:应该是不行的,WV格式的是罗德信号源专用的,就是matlab编好信号源之后通过工具生成WV格式,不能逆向操作。
Q:多谢哈 我昨天尝试了一下,R&S的WV格式好像加密了,用他们家工具无法转化为.mat格式。但是我用产品提供给我的WV格式是可以转化为.mat文件。然后我再用ADS里面的python把.mat转化为.mdf格式,这样就能在ADS里面读取了。
有关烧焊空洞影响的讨论
Q:微带板烧焊,不同位置的空洞影响一般怎么分析?中间位置有影响吗?
A:影响很大,用X-RAY来看空洞。一般标准是单个气泡的面积不要超过整个面积的8%,总气泡面积不要超过15%,一般是散热要求比较高的或者高频的比较在乎空洞率,减少气泡提升空洞率的方式有几种,一是在PCB上打透气孔(直径1mm),把焊锡里面的助焊剂成分释放出来,二是用焊锡片来替代焊锡膏。
Q:好的,谢谢!
有关低噪放自激问题的讨论
Q:低噪放如果说是因为电源没有滤波或者滤波不够引起了自激,会是什么原因?就是电源特性和自激会有什么关系?
Q:我最近也遇到了电源不干净自激的情况。
Q:我也遇到了,电源被隔断了。
Q:如果是这种低频振荡,那你们说自激分量是在射频的低端呢?还是真的是低频 电源噪声也就MHZ量级吧?
点击图片跳转至原文《PA“自激”问题的分析与解决》
A:晶体管的本征增益曲线在低频是很高的,偏置电路需要抑制低频的增益,如果抑制不足就容易出现被电源里面的信号搞自激,还有就是电源芯片本身在这种负载条件下可能不稳定。
A:“如果是这种 低频振荡 那你们说自激分量是在射频的低端呢 还是真的是低频” 射频的自激分为两种,第一种是有输入信号时自激,即随着输入信号的幅度的变化而自激,这种一般是芯片多个cell之间相位不平衡导致;第二种是上电就自激(没有输入信号),这个其实跟VCO一个道理,电源本身是有很多杂散,而射频器件的匹配部分起到选频作用,即把电源n多杂散频率中选出一个或者多个,到此为止并没有体现晶体管的作用,而选频网络是一个有损耗的,这个时候如果晶体管能够提供提供稳定的能量来补充这个损耗,那么就可以形成稳定的自激。
所以形成稳定的自激有两个条件,一是有选频网络,二是有晶体管,一个是选频,一个是补充能量。
所以自激的能量源头是电源,解决自激时要先查电源,而后查看选频网络是否有不平滑的地方,最后是解决晶体管正反馈的问题。
所以自激的频率到底是哪个频率,不好说,要看选频网络+晶体管在该频率处是否有增益,所以要扫描宽带s参数,一般都是带通,但是比较可怕的是带外会有凸起部分,该部分如果有增益,那么就存在自激的风险。
Q:有人没有输入的时候 自激出好几个G的毛刺,供电那加个电容,就消失了。就是譬如电源有噪声,谐波也好 ,那应该也高不到哪里去。
A:不是这样的,电源做不到没有噪声和稳波,所以只要满足上面的两个条件都可以自激,这就是vco启震的原理。如果电源真做到了没有噪声和稳波,那也就没有vco了。
“有人没有输入的时候 自激出好几个G的毛刺 供电那加个电容 就消失了” 这个可能性很多,不一定是电源的问题
A:我遇到过这种情况不知和你是否一致。开电震荡,打开电源限流或者馈电加个大电容就不震荡了。即和上面的大哥说法一致,当减弱可能的杂波信号,其实就不满足这两个条件就不震荡了。
A:不是不懂自激的条件,只是不清楚一个 MHz 的噪声 怎么能产生 GHz 的震荡, 上面说的 低频增压高也是不能说明为什么不是产生一个低频的振荡。 这个感觉跟本身一个振荡器给它上电产生振荡还有点不同,一种可能性是 噪声的高频谐波跑到高频振荡频率点。
A:我理解上电自激,是不是瞬时上电,类似脉冲信号频谱分量很多包含GHz。
A:到位,增益+频率,频率就是上面仁兄说的。
没在MHz自激,是因为那儿没增益,电源都是开关电源,方波,通过占空比来实现不同的电压输出,方波的斜波也是频率。
有关矢网和信号源/频谱仪测试增益不对应的讨论
Q:请教一下 我测试大功率芯片的时候使用矢量网络分析仪测试S参数 跟我用信号源频谱仪小信号状态下输出减输入得到的增益对不上 矢网测出来小6个dB 这种是啥情况呢?
A:看看矢网的输入功率是多少?功放增益多少?
Q:矢网的输入功率-35,功放增益26到30。
A:嗯,按说不压缩。直流没区别?
A:大信号看vna?如果是连续波可能是太热了。
Q:电压24V静态电流450mA左右输入功率也比较小 按理说这样发热应该不会太大吧?
A:输入匹配怎么样?Psat多少?10w的静态功耗有点高了。
Q:Psat 38dBm,输入驻波有-10。
A:都快A类了,你用vna做power sweep看看,是不是有增益软压缩。
Q:好的 我试下。
A:别把管子烧了就行
Q:谢谢大家。
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