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有关EVB校准通道作用的讨论
Q：请问，射频器件评估板上面的校准通道是用来校准什么的？怎么校准？
A：感觉就是用来就校准接头这里这两根传输线的，直接扎针，应该就是50欧姆线吧。
A：校thru，对板宽这么长的线进行补偿，得到更接近芯片本体的数据。
Q：大概模模糊糊知道了，多谢。
有关晶振频率准确度指标的讨论
Q：想请问各位前辈一个问题。晶振的频率准确度这个指标，是不是就是晶振每次上电后，稳定下来的频率偏移范围？
像这个标称100M，每次上电，其频率会在正负500Hz偏移。是这样理解吗？
A：不是，是统计特性；每个有源晶振频率是固定的，但是批量的时候，呈现正态分布，95%的置信区间是±500Hz。
通常厂家出厂的时候会控制的更严格一些，可能是±300Hz；规格书的留了余量；
Q：好的谢谢解答。
Q：晶体特性是正态分布，可以认为等效电感是正态分布，频率和电感是幂函数关系，为什么也是正态分布？
A：加工导致的吧。
A：“不是，是统计特性；每个有源晶振频率是固定的，但是批量的时候，呈现正态分布，95%的置信区间是±500Hz。” 单个晶振频率也不是固定的，会偏移的。
A：一个正态分布通过非线性系统，按说不是正态分布，但实际却基本符合，有些奇怪。
A：“单个晶振频率也不是固定的，会偏移的。” 如果是有源晶振，那么内部有自动补偿电路；不会出现由-5PPM偏移到+5ppm的情形；无源晶振没有补偿电路，自然会随着温度/负载电容等因素频率改变；
补偿电路的精度决定有源晶振的价格，TXCO通常可以做到±1ppm精度；
A：“补偿电路的精度决定有源晶振的价格，TXCO通常可以做到±1ppm精度”；对的，我只是针对你说的晶振频率固定。
有关LNA输入匹配的讨论
Q：请教大家个LNA的问题，在系统中使用LNA时，如何确定LNA输入匹配的位置，需要考虑哪些因素？
我们一般情况下只看50欧姆点和最小噪声系数点。但了解到还可能需要考虑线性度、增益、稳定性指标，是否综合考量呢？
A：我来回答下LNA的这个问题吧！系统应用时，工程师基本上只会看接收灵敏度这一个指标，LNA的增益，噪声系数，线性最终都会影响到接收灵敏度。LNA前面一般都会有滤波器，找50欧姆点和最小噪声系数点工作量大，最终可能因为系统里其他器件的存在，收益并不理想，因此硬件工程师更多直接在系统里调试匹配，通过灵敏度看有没有调好。线性度会在存在其他频段干扰时体现重要性，但是选择好了工艺，线性基本上就在某个数附近了。稳定性仿真还是很有必要的，最起码带内带外K别小于1。
A：谢谢回答。补充一下，在增益够的情况下，NF才是影响灵敏度(能解调的最低接收功率)的主要参数，线性度(自身交调)的影响不在灵敏度的功率附近，它的SNR贡献比很低。如果带外线性度(临近信道交调干扰) 那更和灵敏度没有关系，灵敏度是只在纯无干扰下测试的。
A：感谢！实际是调制是用灵敏度验收的，但如果是盲调的话工作量太大，因为无法确认是否调试到位。
LNA前面的SAW会先拉到50欧姆。那在LNA的输入匹配的时候是要靠50欧姆还是噪声系数最小点，还是在两点中间呢？比如说下图，推荐调试到哪个位置呢？
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有关ADS版图导入HFSS的讨论
Q：各位，怎么将ADS中的三维版图导入到HFSS里面？
A：装一个EMPro，从ADS导入到EMPro，然后从EMPro导入到HFSS，具体可以搜EMPro的help文件。
Q：谢谢，有别的方法吗？服务器上没这个软件，我没权限装软件
A：ADS导gds文件，同时可以看到有一个layermap的文件，根据layermay自己写一个tech文件，HFSS先导tech，然后在导入gds就差不多可以了。
A：这个方法跟在HFSS直接建模没区别了，ADS→EMPro→HFSS会保留所有信息（只需要设置叠层电参数即可），包括端口设置都会保留
Q：根据layermap写tech具体是怎么做的呢？
A：比如layermap是这样的。
A：学习到了，学习到了，谢谢，写个tech文件包含层信息，确实比这个要复杂一些。
A：写tech也很直接。
有关极化PA和ET PA的讨论
Q：请教几个问题，请群里的各位专家帮忙答疑解惑，非常感谢~
01. 关于极化PA和ET PA的区别是什么？
02. 极化PA是如何实现将包络信号加载到相位信号上面的？（是否可以从公式上来推导调制的过程）
03. ET PA的输入也是包络信号，ET PA工作时，包络信号是否有对PA的输入信号进行幅度调制？
A：极化PA没有接触过，极化一般用在天线上，即输入两路信号有相位差进而可以实现天线不同形式的极化，即可以通过移相器实现两种信号不同相位差；对于ET PA，这个比较简单，幅度调制，并不是对输入信号进行调制，而是对输出漏压进行调制，即漏压根据输入信号包络的变化而变化，这个可以找几个paper看一下。
Q：按您的解释ET PA的设计点主要在于ET电源吗？我也有这个疑问，想知道在ET模式下工作的PA相比常规PA在设计上有何区别呢？
A： 跟普通PA没区别，重点是在ET电源上，但是PA本身的退耦电容要多注意
Q：哦哦， 好的，了解，非常感谢！
有关高频电流与电压分布的讨论
Q：同轴线和微带线，电路图里总是画一个地，沿着线的长度上高频电压不等，沿着地线全部长度都是地？地都有高频电流，地上的高频电压处处都等于地电压吗？
A：在射频领域站在时域的角度去衡量不合适，因为射频信号频率高，周期短，不好从时域角度去分析射频或者高频的东西。
就好比相位噪声，在低频领域，咱们都是以始终抖动，即jitter来衡量，但是在高频就不合适了，所以就用相位噪声来衡量，即频域角度。
所以在微波或者射频领域，关注的更多的是端口阻抗，或者说端口特性
可以关注一下S/Z/Y参数的相互转换，《微波工程》那本书有比较完整性的讲解。
A：电压是标量场，只在电场没有旋度的情况下有定义。传输线内部有很强的时变磁场，电压只有在平行于磁场的方向才有定义。
A：理想的TEM模式中，电场方向是垂直于信号的传输方向的，没有轴向电场分量，电压定义只在横截面内有意义，讨论轴向的压降没有意义。
以同轴电缆为例，即使考虑金属的有限电导率，也只是在传输线外导体内侧和中心导体得外侧存在轴向压降。由于趋肤深度相对外导体厚度比较浅，外导体外侧是没有电流的。实际应用中你可以认为传输线外导体（地）是等电势的。
A：记得如果是PCB还有个地孔间距问题，或者做隔腔两侧距离大小问题，这里有时候和做微组装工艺经常吵架，他们希望两侧距离越大越好，方便操作，频率越高，我们希望是尽可能窄。工程实践上，这里有时候没那么多讲究了，就是泄露大，贴吸波材料。
A：轴向的不是压降，是电压波形或者电流波形在轴向方向上是变化，频率越高，波长越短，越明显，当然，如果是实际应用，区别不大。
A：“记得如果是PCB还有个地孔间距问题，或者做隔腔两侧距离大小问题，这里有时候和做微组装工艺经常吵架，他们希望两侧距离越大越好，方便操作，频率越高，我们希望是尽可能窄。工程实践上，这里有时候没那么多讲究了，就是泄露大，贴吸波材料。” 频率越高，就是因为正向信号和反向信号形成的电磁场不能完全抵消，所以泄漏大。
A：如果是理想导体轴向没有压降，非理想的有个IR drop，毕竟轴向电流很大。
A：“频率越高，就是因为正向信号和反向信号形成的电磁场不能完全抵消，所以泄漏大。” 这个就是信号完整性里面说的远端干扰，微带线传到的并非TEM波，奇偶模的速度不同，随着传输距离的增加，奇偶模就没办法抵消了，所以就会出现天线效应。
而同轴线或者带状线就不会存在远端串扰的问题，可以用HFSS仿真一下，很明显。
A：
有关谐振和自激概念的讨论
Q：谐振和自激这两个概念有什么区别？
A：慧智微这篇文章供参考：《PA“自激”问题的分析与解决》
A：谐振体现在“谐”字上，无论对于力学系统、电路系统、光学系统，理想条件下系统响应都满足二阶微分方程，系统的解符合特征振荡，其中的能量周期性地进行交换，譬如简谐运动的动能与势能，电路系统的电能与磁能，谐振的因素是系统固有的，谐振频率由系统固有参数决定的，谐振的结果是周期性有规律的。
自激的条件是有反馈、有起振扰动条件，自激的结果不一定是周期性地进行能量交换【周期性必须要达到平衡条件】，有可能系统输出是杂乱无章的，无界不收敛的，直到系统损坏为止；也有可能是有规律的振荡结果，譬如微波谐振腔、光学谐振腔。
Q：
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