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为什么负载牵引仿真不出结果?
Q:请问负载牵引仿真完不出结果是什么原因呢?
A:有可能不收敛,也有可能功率不够,没有到需要的压缩点。可以检查一下阻抗点对应的增益、效率曲线。
A:仿真结束了,但是没有弹出窗口,项目目录树上也没有和这个原理图对应的显示文件。应该检查一个原理图simulation菜单下的setup里面是否勾选了仿真完成后自动打开显示文件的选项。第二,目前看,即使打开了数据显示窗口,也是空白的。
你不如在从design guide里面Amplifier打开一个loadpull的例子,从它的显示窗口中切换一下数据集到你的仿真结果上。或者把它的.dds文件另存为你的原理图名字一样的名字。
Q:我就是做二次谐波牵引把基波牵引的重命名发现不在原来cell里面就把它删了,然后点仿真也不出新的。还有那个做源牵引的时候效率很低,20多,负载牵引有60多,这是为什么呢?
A:做source pull时输出阻抗选择的问题。
Q:谢谢🌹
交流电流乘以复数阻抗时域波形是如何绘制的?
Q:请问,交流电流乘以复数阻抗,时域波形是按什么逻辑画出的呢?
就像一个电流乘以,电阻和电感的串联,仿真的时候有个瞬态仿真,它是画的实部吗?还是模值呀?
A:有一个相位偏置,这个相位是atan2(x,r)*180/PI, x是复阻抗的虚部,r是复阻抗的实部。
Q:非常感谢你的回复,我看看理解一下。
A:你的等式都用exp(j*w)这种方式写,也就清楚了。
A:欧拉公式。
Q:好嘞我试试。好像还是会有虚数嘞,这种也可以在时域的纵坐标画出来嘛。
它真画出来了 搞不懂怎么处理的。
A:应该画不出来j吧,复数在射时域有两个投影,没办法用一个2d平面表示两个投影。
Q:嗯嗯 时域分析还是得分开幅值相位哇。
A:exp(-jwt)=cos(wt)+j*sin(wt) 时域的信号,用这个cos(wt)就可以了。
Q:好嘞好嘞 取相位的cos部分对吧?非常感谢你!
在HFSS中如何设置双端转单端变压器的接地?
Q:在HFSS中画一个双端转单端的变压器,双端可以用差分对,单端的话需要一个端口接地,想问下这个怎么设置算接地呢?
A:是直接gds导进来的?要么就直接先设置端口然后去ads接地吧。
Q:直接在HFSS画的,感觉一直导出SNP文件会很耽误时间。
A:参数化的是吧?先仿真好了再导呗,应该不影响感值吧。
Q:对,自己设置变量画八边形,感值没啥影响,但是耦合系数算不出来。
Q:ADS和HFSS哪个更接近实测?最近对比了一下ADS和EMX,电感值也差了好多皮。
A:单端和双端仿真公式好像不一样,我在ADS和HFSS仿真出来的电感值差不多。
Q:我都是用差分接port仿真。应该不是单端差分导致的。
A:提取公式用的啥呢?
Q:单端口用im(1/Y11),差分对就是im(Z11)。你们在画电感的时候怎么提高Q值的呀?
A:用PGS接地。但好像有人说,实测,SOI工艺,这种没啥用。
Q:“我在ADS和HFSS仿真出来的电感值差不多。” 这个对比的频段是多少?差不多是差个位数皮的这种数量级吗?
A:你看差距,不应该看百分比吗?
A:对。但还得除一下。
Q:这个是HFSS仿的结果。
这个是ADS的,几乎一样。
A:你是把snp导入到ads然后看感值?
Q:这样肯定一样的,本身就是算的海飞丝的数据。
A:有道理哈。
Q:那你们说的不一样的是啥意思?
A:emx是直接cadence仿真。
Q:懂了,所以对比的是emx和hfss。
Q:之前的意思是同一个版图,ADS的EM矩量法之类的和HFSS的FEM之类的对比。EMX,ADS,HFSS,三种软件。那你们的变压器都是咋仿的?
A:“ 你们在画电感的时候怎么提高Q值的呀?” 加接地shield。
Q:EMX和ADS一般是2.5D,HFSS是3D。
A:原来如此,好像把端口设成perfect E就是接地了。
Q:直接到ads里接地也行吧?
A:对,ADS里面仿感觉是比较靠谱的,但是我这个要一直迭代,我想省去导出到ADS那一步骤。
Q:你是hfss自动优化的吗?
A:还能自动优化嘛?
emx最靠谱,如果是Si基。
Q:嗯嗯嗯我试试。
如何在ADS中表达3端口和4端口的maxgain?
Q:请问一下,ads中max_gain(S)如何表达3端口和4端口的maxgain,需要如何改写。
A:S31和S41?
Q: 是的,同时有四个端口1,2,3,4,maxgain默认1,2。想问一下,如何表征34端口的maxgain?
A:把S改成你想看的就行了,比如S21,S31。
Q:这样写会报错,请问一下,具体的表达式是什么?
A:不带括号,另外英文字符。
Q:thx。
如何处理管子模型频率范围不足的问题?
Q:请教一下各位大佬,工艺厂给的管子模型假如只到20g,而设计60g,怎么保证仿真结果呢,无源器件可以靠电磁仿真,有源器件咋办?
A:个人理解,PA的话应该是自己做单管Loadpul去嵌,封装成model吧,要自己建模。
Q:封装这些都可以建模没问题,可是mos管呢?
A:要对MOS管建模,不然不好做。
A:这只能去要求厂家拓展模型的频率范围吧?不然出问题了算谁的。
Q:不知道,想问问做过微波的大牛咋个弄法,老板突然来了个60g,说这个很简单,听到这个整个人都不好了。
A:在原厂给出的频率范围外没办法去建模,管子本身有无源和有源部分组成,无源就是LCR,有源部分可以认为是跨导,这两部分都是跟频率相关,所以但从拓展频率来说是没有参考价值的,并且是从20G到60G。
Q:有人65nm做了一些产品,还有高校也有文章,可是我一查管子model都只有20g,不知道他们怎么搞的,CMOS65nm。
A:哪个厂哦,我咋记得T的130nm的模型都是到30G?
Q:smic55。
A:是不是工艺里面单独做了用于毫米波频段的model,需要另外申请。
Q:是这样吗,我去问问工厂。
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为什么5.8G信号中会有其他频率的干扰?
Q:有大佬知道,为啥会有5.8G以外的其他信号吗?
A:杂散,这个不难解决,VCC电源上并一个uF 级别的电容可以消除。
Q:OKK ,谢谢。
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