研究背景
但到目前为止，所报道的 β-Ga₂O₃ 基日盲紫外光电探测器虽然在个别指标上，如响应速度、响应度和暗电流等表现出色，但在整体性能上仍未能满足产业应用的高标准。特别是在暗电流控制和光电响应速度方面，现有技术仍有待提升。
因此，需要采取额外的制备工艺和后处理方法，来降低 Ga₂O₃ 基日盲紫外光电探测器的暗电流，提高其光电响应速度和响应度。从而开发出综合性能上能够满足或超越现有技术标准的新型 Ga₂O₃ 基日盲紫外光电探测器，推动其在高精度日盲紫外成像等领域的实际应用。
文章简介
Figure 1. (a) 基于 Ga2O3 原始样品和 700°C 氧气等离子体处理样品的光电探测器在暗态和 254 nm 光照下的电流-电压特性曲线；(b) 基于 Ga2O3 原始样品和 700°C 氧气等离子体处理样品的光致发光谱图；(c) 基于 Ga2O3 原始样品和 700°C 氧气等离子体处理样品的价带谱；(d) 基于 Ga2O3 原始样品的金属-半导体-金属结构的光电探测器在暗态下的能带图；(e) 基于 700°C 氧气等离子体处理样品的金属-半导体-金属结构的光电探测器在暗态下的能带图（图中 EC、EV、EF 分别代表导带、价带和费米能级）。
Figure 2. (a) 10 × 10 Ga2O3 基光电探测器阵列的光学显微镜图像；(b) 光电探测器阵列中九个像素的放大图像；(c) 所有像素的二维光电流图（偏压 20 V 下测量）；(d) 暗态和 254 nm 紫外光照射下光电探测器阵列中所有像素的统计光电流和暗电流（偏压 20 V 下测量）；(e) 成像系统的示意图。
论文信息
Ultralow dark current and high specific detectivity of Ga2O3-based solar-blind photodetector arrays realized via post-annealing in oxygen plasma
Lingjie Bao, Zheng Liang, Siliang Kuang, Bohan Xiao, Kelvin H. L. Zhang, Xiangyu Xu* （徐翔宇，厦门大学）and Qijin Cheng*（程其进，厦门大学）
J. Mater. Chem. C, 2024, 12, 14876-14886
https://doi.org/10.1039/D4TC02859G
作者简介
本文第一作者，厦门大学硕士研究生，2024 年毕业于厦门大学。硕士期间主要研究方向为宽禁带半导体。
本文通讯作者，厦门大学博士后。2023 年博士毕业于厦门大学。主要研究方为宽禁带半导体材料和器件。
期刊介绍
rsc.li/materials-c
J. Mater. Chem. C
| 2-年影响因子* | 5.7分 |
| 5-年影响因子* | 6.0分 |
| JCR 分区* | Q1 物理-应用 Q2 材料科学-跨学科 |
| CiteScore 分† | 10.8分 |
| 中位一审周期‡ | 29 天 |
Journal of Materials Chemistry A、B 和 C 报道材料化学各领域的高质量理论或实验研究工作。这三本期刊发表的论文侧重于报道对材料及其性质的新理解、材料的新应用以及材料合成的新方法。Journal of Materials Chemistry A、B 和 C 的区别在于所报道材料的不同预期用途。粗略的划分是，Journal of Materials Chemistry A 报道材料在能源和可持续性方面的应用，Journal of Materials Chemistry B 报道材料在生物学和医学方面的应用，Journal of Materials Chemistry C 报道材料在光学、磁学和电子设备方面的应用。
Editor-in-Chief
Natalie Stingelin
🇺🇸 佐治亚理工学院
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* 2023 Journal Citation Reports (Clarivate, 2024)
📧 RSCChina@rsc.org
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