今天，BIS发布了一个33页的出口管制新规。初步看来，这项新规主要是对量子计算机、某些半导体和增材制造（3D打印）施加了新的出口管制。印象深刻的是，我们之前在聊聊美国可能对GAA和HBM的出口管制中讨论过的对的出口管制，今天终于出来了。
具体来说，BIS把ECCN编码为3E905的技术添加到了商业管制清单，这项技术是使用GAAFET结构“开发”或“生产”集成电路或设备的“技术”。这意味着，向全球任何目的地出口GAAFET技术，都需要向BIS申请许可证，但对盟友国家是默认批准许可，并且对在新规发布前已经出口、再出口或国内转移GAAFET技术的情况，以及在美国工作、但属于禁运国家（包括中国）公民或永久居民的外籍员工“视同出口”或“视同再出口”的情况，都给了一个通用许可证，条件是每年要向BIS提交报告，包括技术描述、参与的各方信息、终端产品描述及其ECCN（若已知）。 对禁运国家，许可政策则是推定拒绝。
BIS新增上述管制给出的理由是国家安全（NS）和地区稳定（RS），并解释说，使用GAAFET技术生产的集成电路比早期架构的集成电路更高效、更具能力。预计使用GAAFET技术生产的微缩密集型芯片也将更能耐受辐射影响。GAAFET芯片更高效、更低的功耗使其能够支持更快、更强大的人工智能以及其他军事和商业应用。
根据新规，对3E905的管制，重在控制和GAAFET结构“开发”和“生产”相关的“技术”。规则给出了对GAAFET技术的定义和相关技术参数的详细说明，并且特别强调管制的是制造GAAFET芯片的“过程技术”。什么是“过程技术”？新规附带的注释指出：“3E905包括‘过程配方’”，是“某一特定过程步骤的条件和参数集合”。通俗点说，制造集成电路的过程中，有很多具体步骤，就像一套做菜的“菜谱”，确保生产的每个芯片都一致且性能优越，GAAFET的过程技术就是生产这种架构的芯片的“菜谱”。BIS还强调，设计这种结构的芯片的工具或文件，如GDSII格式的物理布局文件或EDA工具，不是3E905的管制对象。
BIS还特别区分了对3E905的管制和现有的对ECCN 3E001、3E002的技术管制。大家知道，ECCN 3E001管制的是集成电路设计和生产方法，例如用于制造 7nm 或更先进节点的 FinFET 晶体管的技术。ECCN 3E002则涉及范围更广，管制的是和电子设备和计算机系统相关的技术，比如设计用于超级计算机的专用集成电路（ASIC）。这两项管制，晶体管结构不是管制的“必要”元素。因此，BIS认为ECCN 3E905与ECCN 3E001或3E002之间不存在管制的重叠，同时欢迎业界就这部分规则的文本清晰度以及澄清声明提交意见。此外，BIS还用一个注释说明，对ECCN 3E905的管制不适用于垂直GAAFET架构（如用于3D NAND的架构）。
GAAFET技术本身门槛不高，中国现在有一些已经发表的论文和实验室的研究，但了解和知道这种技术和让它工程化和实际落地完全是两码事。然而，就像一些行业专家分析的，中国可以从5nm就开始探索引入GAA，在没有EUV的情况下，用DUV和多重曝光，使用GAA结构，虽然这样生产的芯片良率肯定会很低，也不可能很快产业化，但毕竟可以慢慢摸索。这可能也是为什么美国要管制GAAFET的“过程技术”，就是要尽量扼杀这种可能性。
对量子计算机的新增管制并不令人意外。美国对中国在量子计算领域的发展一直十分警惕和焦虑。美国战略与国际研究中心去年9月份曾经发表了一篇报告《中国是否是量子技术的领导者？》
报告指出：中国正在努力成为量子计算领域的领导者。2021年，中国成为继加拿大和美国之后第三个开发出完整的国产量子计算机的国家。从那时起，中国开发了新的量子计算机和处理器。2023年5月，中国176量子比特处理器“祖冲之”上线，成为中国量子比特数量最多的量子处理器。由中科院开发的“祖冲之”已经能够以比传统超级计算机快数百万倍的速度处理任务。该报告还指出，中国特别重视量子计算的军事意义，称之为“一匹即将改变未来军事胜利机制的黑马”，对量子加密尤为关注。中国研究人员声称已经开发出一种可以在小型量子计算机上运行的算法，该算法可以破译政府和金融机构常用的高级加密系统。
在这次新规中，量子计算机及相关组件被归类在ECCN 4A906下，基于国家安全（NS）、地区稳定（RS）和反恐（AT）的考虑予以控制。新规按照能够控制的量子比特数量以及C-NOT门的平均错误率来划定受控“量子计算机”的范围，对其具体定义是：包括支持34个或更多、但少于100个“完全可控”、“连接”和“工作”的“物理量子比特”，并且具有特定错误率的量子计算机。不管全球任何地方，出口、再出口或国内转移此类量子计算机都需要BIS的许可证，但对盟友是推定许可，对禁运国家是推定拒绝。
另外一个值得注意的地方是，新规还对刻蚀设备（3B001.c.1.a用于各向同性干法刻蚀的设备）、3B001.c.1.c用于各向异性干法刻蚀的设备）加码了管制。各向同性干法刻蚀设备的管制标准：能均匀地刻蚀材料，无论方向如何，适用于硅锗与硅之间的高选择性刻蚀（能非常有效地区分并刻蚀特定材料），选择性比达到100:1。各向异性干法刻蚀设备的管制标准：专门用于刻蚀介电材料，能够制作出高纵横比的细小结构（比如高度大于宽度30倍的纳米级结构），同时需要具备以下特性：1）配备至少一个脉冲射频（RF）电源；2）配有能快速切换气体的阀门（切换时间小于300毫秒）；3）配备具有20个或更多独立可控温度元件的静电卡盘，用于精确控制刻蚀过程中的温度。
这个主要打击的是国产128层闪存（如3D NAND闪存），对长江存储影响会比较大，因为他们生产128层闪存需要精确的刻蚀技术来在垂直结构中堆叠多个存储层，刻蚀设备尤其是各向异性干法刻蚀设备在这个过程中至关重要，如在3D NAND中用来制作堆叠结构。但新规出来后，东京电子（TEL）、和泛林（LAM Research）没法再卖给长江存储这些刻蚀设备了。
在这个方面，中微和北方华创的国产刻蚀设备已经取得了一些突破。中微在各向异性干法刻蚀领域取得了显著进展，尤其是在高端制程的应用中，技术水平逐渐接近国际领先水平，但在最先进的制程（如5nm及以下）上，仍然面临诸多技术挑战，特别是在刻蚀精度、稳定性以及效率方面和东京电子和泛林仍有不小差距。北方华创聚焦各向同性干法刻蚀设备，在部分中低端领域实现了一定程度的替代，但在用于7nm及以下制程的高端设备上，国内主要还依赖从东京电子和泛林进口。因此，上述管制可能会影响长江存储的128层闪存产线。
新规还增加了对用于逆向工程芯片设计的扫描电子显微镜（SEM）工具的限制。这些限制并不适用于在晶圆制造过程中使用的SEM工具，而是针对那些对已经组装完成并从封装中取出的芯片进行操作的工具。具体来说，管制内容包括：1）图像拼接能力：拼接图像的精度要求高，需小于50纳米；2）单个图像的大小：图像的视场（FOV）限制在大约15微米，分辨率达到1纳米；3）台面精度和硬件要求：特定的硬件要求以确保在极小尺度上的精确操作。这些新规定的目的是为了更严格地执行针对14纳米及以下逻辑芯片的管控，确保这些高级技术不会被用于不当的逆向工程和芯片设计恢复。
整体来看，这次新规应该是下个月大规模出口管制更新的一次预热，对荷兰和日本的影响比较大。从中国方面来看，似乎也在加大对日本、荷兰的施压力度。据国外媒体报道，中国政府已经严正要求日本不得配合美国加码管制，否则将会采取激烈的反制。环球时报本周也发了一篇评论，警告荷兰和ASML如果继续顺从美国，可能有被彻底赶出中国市场的风险。总之，九十月份半导体出口管制领域发生的大事会比较多，值得关注。
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