2024年是三安半导体在创新与突破之路上极具里程碑意义的一年。在新能源与半导体浪潮的推动下，三安半导体以其卓越的技术实力与市场洞察力，持续为行业注入新动能。让我们一起回顾这一年三安半导体的辉煌瞬间。
1. 产品创新：技术驱动，突破前行
今年，三安半导体在产品研发方面硕果累累，用实际行动践行着技术革新的承诺：
8英寸车规级N型SiC衬底完成研发并实现量产。这一突破性产品将进一步满足新能源汽车对高性能材料的需求。
SiC MOSFET成功推出第二代产品，其电压兼容性更高（15V/18V），导通电阻（Ronsp）更低，整体效率显著提升。
GaN功率器件推出适用于工业级的650V/30mΩ产品，为工业设备提供更加高效稳定的解决方案。
2. 市场开拓：新能源领域全面突破
在2024年，三安半导体的市场开拓成绩同样令人瞩目：
新能源汽车、光伏、充电桩、工业电源、数据中心服务器等领域迎来了重大突破，进一步巩固了行业领先地位。
8英寸SiC衬底已实现小批量出货，为市场提供了高品质、高性能的基础材料。
针对车载充电机、空调压缩机应用的SiC MOSFET已完成小批量出货，并在重点新能源客户中导入可靠性验证。
工业级1700V/1Ω与1200V/32mΩ SiC MOSFET已实现批量出货，为光伏及充电桩市场提供了优质的电源解决方案。
3. 产线建设：布局未来，提升产能
为了应对未来市场需求的快速增长，三安半导体在产线建设方面也取得了关键进展：
湖南三安已具备每月16,000片SiC配套产能，后续将扩展至36万片/年。
8英寸SiC衬底外延产能达到每月1,000片，芯片产线目前正在安装调试中。
2024年8月，重庆三安衬底厂已正式通线；11月，苏州斯科全桥功率模块完成产品验证，并预计在2025年实现批量生产；同月，安意法首期产线完成点亮，预计2025年一季度通线后将启动芯片验证。
强大的产能布局为三安半导体的未来发展打下了坚实基础，也展现了其对市场需求的快速响应能力。
