日本研究机构：中国半导体制造技术已逼近台积电，仅三年差距，美国出口管制已失效
文摘
科技
2024-08-26 17:21
上海
近日，日本专业的半导体分析机构TechanaLye发布了一份报告，引起了全球科技界的广泛关注。报告中，社长清水洋治针对中国半导体产业的发展水平，作出了令人瞩目的评估：在美国不断加紧出口管制的背景下，中国的半导体制造实力已经达到了仅落后台积电三年的水平。01
近年来，中美之间的科技竞争日益加剧，半导体行业首当其冲。美国对中国的半导体出口管制措施，旨在遏制中国在高科技领域的崛起，特别是在AI芯片和高性能计算芯片的研发和生产方面。然而，TechanaLye的报告显示，美国的这些措施并未达到预期效果。尽管出口管制确实对中国的技术革新产生了一定的影响，但这种影响更像是一剂催化剂，加速了中国半导体产业的自主研发和生产进程。清水洋治指出，中国在半导体制造工艺上的进步，已经逼近到仅落后台积电三年的地步，这在全球半导体领域是一个重要的里程碑。报告中特别提到华为的Kirin系列芯片作为中国半导体进步的代表。华为一直以来在半导体设计领域拥有领先地位，其旗下的海思半导体公司所设计的Kirin系列处理器，在全球范围内广受好评。2021年，华为推出了旗舰手机处理器Kirin 9000，这款芯片由台积电采用5nm工艺代工，性能和能效都达到了当时的顶级水平。然而，随着美国对华为的制裁升级，台积电无法继续为华为代工，这对华为的高端手机业务造成了沉重打击。仅仅三年后的2024年，华为就推出了最新的Kirin 9010处理器，这款芯片由中国国内的代工厂采用7nm工艺量产。尽管7nm工艺较台积电的5nm工艺略逊一筹，但清水洋治指出，Kirin 9010的芯片面积为118.4平方毫米，与Kirin 9000的107.8平方毫米相比差距不大，而性能几乎相同。TechanaLye的报告中提到，华为Pura 70 Pro手机搭载了37个主要半导体器件，其中86%的半导体为中国制造。这一比例之高，显示出中国在半导体自主生产方面的巨大进步。其中，海思半导体设计了14个核心芯片，其他中国厂商则负责18个器件的生产。非中国制造的器件仅有5个，分别是来自韩国SK Hynix的DRAM和来自德国Bosch的运动传感器。清水洋治在报告中指出，这样的情况表明，美国的管制措施主要针对的是用于AI等高性能计算领域的先进半导体，而对其他用途的半导体产品并没有实质性影响。中美技术博弈中的中国路径
清水洋治在总结中指出，美国的出口管制措施确实在一定程度上拖慢了中国的技术进步，但从整体来看，这些措施反而加速了中国半导体产业的自主化进程。中国的半导体产业从模仿到追赶，再到如今的自主创新，这一过程预示着全球半导体产业格局的变化。随着中国半导体制造能力的逐渐增强，美国和其他西方国家在这一领域的技术领先地位将面临越来越大的挑战。与此同时，中国半导体产业的崛起也为全球市场带来了更多的选择。随着更多中国制造的高端芯片进入市场，全球半导体供应链将变得更加多元化。TechanaLye的报告带来了一个清晰的信号：中国半导体产业正在快速崛起，尽管仍然面临诸多挑战，但其进步的速度令人激动。在未来的科技竞赛中，中国将继续发挥越来越重要的作用，而全球半导体产业的未来，也将在这场竞争中逐渐展开。
对于中国来说，美国的出口管制不仅是压力，更是动力。正如清水洋治所言，中国半导体产业的自主化步伐正在加快，这也将成为推动全球科技进步的重要力量。
