韩媒传出，三星电子的高带宽内存「HBM3E」迟迟无法达到业界标准，难以加入英伟达供应链，至少2024年是如此。
先前三星据传无法通过验证、达成英伟达设定的HBM标准，该公司更为此罕见发文致歉，但声称他们乐观相信能有突破性发展。然而，根据韩媒报导，三星透露，今年「几乎不可能」向英伟达供应8层与12层堆栈HBM3E，因为芯片效能无法达成英伟达要求。不过，明年景况看来乐观。
据传，三星迟迟无法取得英伟达信任、进而争取到订单，是因为竞争对手SK海力士(SK hynix)率先改用批量回流模制底部填充(mass reflow molded underfill；MR-MUF)等优秀技术，把跨入门槛拉得非常高。
分析师及业界人士相信，三星坚持使用非导电性胶膜(Non-Conductive. Film；NCF)技术，因而面临一些生产问题，是HBM3至今仍未通过英伟达质量测试的原因之一。不过，消息透露，三星最近已下单采购专为MUF设计的芯片制造设备。数名分析人士直指，3月当时三星HBM3的良率只有10~20%，而SK海力士的HBM3良率却已达60~70%。
英伟达执行长11月20日在财报电话会议上点名台积电等多家合作伙伴，但却独漏三星。对此，其在香港科技大学出席一场会议时透露，英伟达会尽快验证三星的AI内存芯片。他指出，英伟达正在检视三星供应的8层与12层堆栈HBM3E。
市场近日谣传，SK海力士将应重要客户要求，于明年下半以3nm生产客制化的第六代高带宽内存(HBM)「HBM4」，而非原定的5nm制程。SK海力士已决定跟晶圆代工龙头台积电合作开发HBM4，而主要出货的客户是英伟达。
还有爆料人士指出，SK海力士之所以改以台积电3纳米技术制造HBM4、是为了响应三星以4纳米生产HBM4的声明。结果，三星如今也考虑以3纳米生产HBM4，甚至可能选用台积电的3纳米技术。
免责声明：封面图片/配图来源网络，文章综合网络，仅供参考交流，不构成任何投资/采购等建议，投资者据此操作风险自担。
