背景介绍
随着柔性电子技术的蓬勃发展，对能够适应形变条件的高性能电子器件的需求日益迫切。氧化铪基自整流忆阻器作为一种具有独特性能的存算一体器件，在集成电路领域已展现出良好的应用潜力。然而，传统的自整流忆阻器阵列往往受限于刚性基底，难以适应弯曲、折叠等复杂形变条件，在很大程度上限制了其在柔性电子领域的应用。为此，湘潭大学唐明华教授/燕少安副教授团队携手中科院宁波材料所朱小健研究员团队，共同开展了高性能柔性自整流忆阻器阵列的研发工作。
成果简介
研究团队在柔性聚酰亚胺 (PI) 衬底上成功制备了一个高性能的16×16 Pt/HfO2/Ta2O5-x/Ti忆阻器阵列。该阵列在弯曲条件下 (R=1.0 cm) 表现出优异的自整流阻变特性，具有高整流比 (>104@±3 V) 、高保持性 (>104 s@3 V，125 ℃) 、高耐久性 (>105 次循环) 、高均匀性、高良率的特点。该忆阻器阵列在图像滤波和柔性传感器阵列输出信号的实时滤噪与存储方面具有巨大应用潜力。
图文导读
高性能柔性Pt/HfO2/Ta2O5-x/Ti自整流忆阻器阵列及其滤噪、存储功能
作者简介
文章信息
He S, Ye X, Zhu X, et al. High-performance self-rectifying memristor array based on Pt/HfO2/Ta2O5-x/Ti structure for flexible electronics. Nano Research, 2024, https://doi.org/10.26599/NR.2025.94907085.
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