三星电子公布了一份令人失望的成绩单，今年第三季度初步业绩显示营业利润为9.1万亿韩元，低于市场预期的10.7万亿韩元。对于异常糟糕的业绩，管理层低下了头，表示：“我们将通过恢复技术的根本竞争力来克服危机。” 尽管人工智能内存需求强劲，但据分析，智能手机和个人电脑的库存调整，加上内存周期放缓，对性能产生了负面影响。然而， 第三季度销售额达到79万亿韩元，创下季度历史新高。
三星电子8日公布，今年第三季度综合营业利润为9.1万亿韩元，环比下降12.84%，同比增长274.49%。
去年半导体行业录得亏损的三星电子，由于今年行业状况改善，第二季度营业利润录得10.4439万亿韩元的惊人表现，提升了人们对下半年的预期。这是自2022年第三季度（10.852万亿韩元）以来七个季度以来首次季度营业利润超过10万亿韩元。然而，第三季度却令人失望，再次跌破10万亿韩元。
第三季度销售额为79万亿韩元，环比增长6.66%，同比增长17.21%。
此前，证券市场预测第三季度销售额为82.952万亿韩元，营业利润为13.148万亿韩元，但本月早些时候将销售额预测下调至80.9万亿韩元，营业利润为10.7万亿韩元。然而，这一临时业绩低于下调预期。
通用内存出货量放缓，系统LSI/晶圆代工厂短缺持续
证券分析师预测，处理半导体的Device Solutions（DS）第三季度营业利润将为5.3万亿韩元，比第二季度（6.46万亿韩元）有所下降。半导体部门的详细营业利润预计为 DRAM 约 4 万亿韩元、NAND 约 1 万亿韩元，代工厂和系统 LSI 的营业亏损预计为 5000 亿韩元。
除了系统半导体和代工业务的赤字外，库存损失、投资、汇率等一次性成本的增加也对业绩下滑产生了负面影响。
Shinhan Investment & Securities 研究员 Kim Hung-tae 表示：“由于对较旧（传统）内存的需求放缓，非内存赤字较上一季度扩大，以及后期与竞争对手相比，我们进入了高带宽内存（HBM）市场。”“本季度，由于一次性成本以及拨备冲销金额的减少，DS部门的营业利润较上一季度有所下降。”库存估值损失，”他分析道。
三星电子正在进行质量测试，以便向 AI 半导体客户 Nvidia 供应第五代 HBM HBM3E 8 层和 12 层产品。
KB证券研究员Kim Dong-won表示，“由于第三季度智能手机和个人电脑销售疲软，内存模块公司的库存增加至12至16周，下半年内存出货量和价格上涨预计将低于最初的预期。”他补充道，“另一方面，HBM、DDR5 等。”“人工智能和服务器对内存的需求据信将保持稳定，”他补充道。
据市场研究公司RAM Exchange 1日公布的内存固定交易价格显示，9月份PC用通用DRAM产品“DDR4 1Gx8”的平均固定交易价格环比下降17.7%，至1.7美元。 。据报道，用于存储卡和USB的通用NAND产品（128Gb 16Gx8 MLC）同期均价也环比下降11.44%至4.34美元。
芯片高管，前所未有的道歉
在公布第三季度收益后不久，三星负责半导体业务的设备解决方案 (DS) 部门副董事长兼负责人全永铉就公司业绩不佳发表了不同寻常的道歉。
他在给员工、投资者和客户的一封信中表示：“很抱歉未能达到市场预期，导致人们对我们的基本技术竞争力和公司的未来感到担忧。”“领导该业务的管理层负有全部责任，我们将带头克服这场危机，让第三季度的疲软收益成为公司的转折点，”他表示。
他的道歉标志着三星高层领导首次就业绩报告发表单独声明。此次道歉正值三星面临股价下跌和对其技术竞争力的担忧加剧之际。
全永哲于 5 月上任，他概述了克服当前危机的三大关键战略：恢复基本技术竞争力、为未来做更充分的准备以及创新组织文化和工作流程。
“技术和质量是我们的生命线，也是三星电子的骄傲。我们不能在它们上面妥协，”他说。“我们将专注于确保基本竞争力，而不是短期解决方案。”
在人工智能设备和服务器芯片的推动下，全球半导体市场已从去年的低迷中复苏，但对智能手机和个人电脑使用的传统芯片的需求复苏正在放缓。
这家韩国公司一直在努力追赶规模较小的同城竞争对手SK 海力士， 以争夺全球顶级人工智能芯片设计商英伟达公司高带宽存储器 (HBM) 等高端人工智能芯片。
虽然 SK 海力士表示其一半以上的销售收入来自 HBM 和其他高价值服务器 DRAM，但三星的智能手机和 PC DRAM 占比相对较高。分析师表示，三星第三季度的收益还受到 向英伟达延迟供应最新 HBM 芯片以及与员工绩效奖金相关的 1.5 万亿韩元一次性费用的拖累。
引发“存储芯片寒冬”担忧
分析人士指出，半导体行业表现不佳是三星电子盈利低于预期的主要原因。美国投资公司摩根士丹利最近在一份名为《寒冬将至》的报告中将三星电子的目标股价从 10.5 万韩元下调至 7.6 万韩元，将 SK 海力士的目标股价从 26 万韩元下调至 12 万韩元，理由是存储芯片价格前景更加黯淡。市场担心，在三星公布令人失望的盈利结果后，摩根士丹利上个月发布的报告中出现的所谓“存储寒冬”预测正在逐渐流行。
尽管美国内存芯片制造商美光（通常被视为三星业绩的风向标）的盈利超出预期，令市场感到意外，并帮助消除了所谓“内存寒冬”的谣言，但三星电子仍未能避免下滑。这与 SK 海力士形成了鲜明对比，后者通过高带宽内存 (HBM) 的强劲销售抵消了通用 DRAM 和 NAND 市场需求疲软的影响。
内存芯片市场两极分化加剧，人工智能芯片与通用内存芯片之间的差距不断扩大，导致该公司容易受到需求变化的影响。通用 DRAM 领域的市场领导者三星电子因 DRAM 需求复苏乏力而受到重创。与此同时，利润率高于 DRAM 的 HBM 需求依然强劲。但三星的第五代 HBM3E 产品尚未通过 Nvidia 的质量测试，这加剧了三星在内存芯片市场的挑战。
三星的初步财报并未分部门公布业绩。分析师预计，负责芯片业务的设备解决方案（DS）部门的营业利润为 5 万亿韩元，低于早先预测的 8 万亿韩元。
