中生代大白
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台积电创始人张忠谋曾表示，大陆晶圆落后台积电 5 年，半导体设计落后一两年，三星才是强劲对手！
在全球科技竞争的前沿阵地，芯片产业无疑是重中之重，关乎各国科技发展命脉，中国芯片产业在这条充满挑战与机遇的道路上奋勇前行。
台积电作为芯片制造领域的巨头，有着深厚的历史底蕴。它创立于 1987 年，总部位于中国台湾地区。在过去几十年间，凭借持续的技术投入与创新，逐步成长为全球晶圆代工行业的领军者，在制程工艺上一路突破，缔造诸多辉煌成就，为全球电子产业的蓬勃发展提供了关键支撑。近年来，台积电受美国方面政策影响，开启了赴美设厂搬迁之路。2020 年 5 月，台积电宣布将在美国亚利桑那州设立新厂，美国为强化自身芯片供应链，以补贴等手段吸引台积电赴美，这背后既有美国出于战略考量对高端芯片制造回流本土的急切需求，也让台积电陷入复杂局势。一方面要应对异国他乡新厂建设与运营难题，诸如当地人才招募与培养、供应链本地化重构等；另一方面要平衡在全球其他地区既有的产业布局。
在后续进展上，台积电不断追加投资，最初计划斥资 120 亿美元建 5 纳米工艺晶圆厂，之后投资加码至 400 亿美元，并兴建第二座工厂，第二座工厂将导入 3 纳米制程，预计 2026 年量产；原订新厂第一阶段采用的 5 纳米制程推进至 4 纳米，于 2025 年第一季度量产。2022 年 12 月 6 日，台积电在美国亚利桑那州的凤凰城举行移机典礼，创办人张忠谋、总裁魏哲家、董事长刘德音以及美国总统拜登、商务部长雷蒙多等出席，苹果、AMD 等大客户也受邀参加，足见其受关注程度。为保障新厂顺利运转，台积电将在老厂所在地台湾的近 600 名工程师送至美国亚利桑那州受训，还包机将逾千名工程师与其家人陆续送至美国。但过程却是一波三折，原定于 2024 年下半年量产的亚利桑那州一厂，因工期延宕推迟到 2025 年第一季度；第二期厂房原规划 2026 年量产 3 纳米制程，已延后到 2028 年。从实际制程工艺对比来看，台积电已达成 3 纳米量产，走在行业最前列。
而大陆的中芯国际之前量产水平为 14 纳米，二者存在 4 - 5 代的显著技术落差。这一差距形成的关键原因在于关键设备与技术受到限制，极紫外光刻技术 EUV 被少数国外厂商牢牢把控，大陆企业获取难度极大，致使向更先进制程迈进困难重重。
台积电构建了相当成熟的产业生态，拥有大量专业人才、丰富的程经验以及完备的产业配套，各环节紧密配合，高效推动技术创新。相比之下，大陆的晶圆产业生态尚处起步发展阶段，高端设备依赖进口，关键材料本土供应不足，研发与量产经验相对欠缺，亟需在产业协同、人才培养等诸多方面持续发力，助力成长。
在半导体设计领域，大陆虽斩获一定成果，像华为麒麟芯片便彰显出不凡实力，但对照台积电，在高端芯片设计的架构复杂度、性能优化程度以及与先进制程工艺的适配性等方面，仍存在很多改进之处。设计流程中的部分关键要素，诸如工具、IP 核等，依旧依赖国外技术，自主创新能力亟待提升。
中芯国际锲而不舍攻克技术难关，在提升现有制程良品率的时，稳步探索更先进制程工艺；半导体设计企业不断优化设计流程，强化自主研发，逐步削减对国外技术的依赖。高校与科研机构紧密携手，为芯片产业输送大批专业人才，为技术创新注入强劲动力。
三星作为台积电的强劲对手，二者在全球市场激烈角逐，在制程技术上围绕 3 纳米你追我赶，在市场份额争夺上，三星虽暂处下风，但凭借多元化发展谋略，借助存储芯片优势拓展先进封装技术，寻觅发展良机。中国芯片企业大可借鉴其经验，结合自身优势探索适宜的发展路径。
中国芯片产业发展重任在肩，与台积电尚存差距，但是我们科技工作者不会放弃突破，不断激励前行。每一次技术跨越、每一轮产业升级，都凝聚着科研人员与从业者的心血与汗水。在全球芯片产业格局持续变幻之际，中国芯片怀抱着坚定决心与昂扬斗志，朝着技术自主、产业自强的宏伟目标稳步迈进，未来有望重塑全球芯片产业版图。
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