逆变器功率半导体环境耐久的42部"法典"

文摘   2024-11-01 06:46   上海  

「SysPro | 新能源汽车标准库」专栏内容
-  关于IEC60749半导体器件 - 机械和气候测试方法系列的标准的整理
-  IEC 60749 系列标准已上传知识星球,共计42个部分,欢迎学习、交流

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导语:之前我们在电驱动IGBT的那些事︱IGBT标准解读文章里我们谈到了IEC 60749系列标准,电动汽车领域大多数模块设计厂商都遵循IEC标准体系,其地位和价值毋庸置疑。为了更好的、更方便的对标准展开学习、交流,近期我们IEC 60749 《半导体器件 - 机械和气候测试方法系列标准做了梳理,共计42部,原始文档请在「SysPro | |新能源汽车标准库专栏查阅

本篇为引导文,方便小伙伴定位、学习

逆变器,作为电动汽车动力系统的核心部件,其性能和可靠性直接决定了整个系统的稳定性和效率。而逆变器中的功率半导体器件,如IGBT(绝缘栅双极型晶体管),则是承受极端环境挑战的关键所在。为了确保这些功率半导体器件在各种恶劣环境下的耐久性和可靠性,国际电工委员会(IEC)发布了IEC 60749系列标准,为半导体器件的机械和气候测试提供了全面而详细的指导。

IEC 60749系列标准,可以被理解为功率半导体环境耐久的42部"法典",涵盖了从一般规定到具体测试方法的多个方面,共计42个部分,如IEC 60749-1:2002(总则)、IEC 60749-10:2004(机械冲击)、IEC 60749-12:2004(振动、可变频率)等这些标准不仅为器件的可靠性提供了明确规范,还为工程师在设计、生产和测试过程中提供了重要参考。通过遵循这些标准,厂商可以确保所生产的半导体器件满足高端应用的需求提升产品的市场竞争力

为了更好地学习和应用IEC 60749系列标准,「SysPro | 新能源汽车标准库」专栏已收录了这些标准的原始文档,共计42部,可在星球内点击链接跳转:
  • 功率模块标准 | IEC60749《半导体器件 - 机械和气候测试方法》| 1~9(42)

  • 功率模块标准 | IEC60749《半导体器件 - 机械和气候测试方法》| 10~18(42)

  • 功率模块标准 | IEC60749《半导体器件 - 机械和气候测试方法》| 19~27(42)

  • 功率模块标准 | IEC60749《半导体器件 - 机械和气候测试方法》| 28~36(42)

  • 功率模块标准 | IEC60749《半导体器件 - 机械和气候测试方法》| 37~42(42)


下面IEC 60749系列标准的基本介绍

(可以先收藏,有需要再来查看)

IEC 60749-1 第 1.0 版 B:2002

半导体器件 - 机械和气候测试方法 - 第 1 部分:概述

适用于半导体器件(分立器件和集成电路),并建立了该系列所有其他部分的通用规定。


IEC 60749-2 第 1.0 版 B:2002

半导体器件 - 机械和气候测试方法 - 第 2 部分:低气压

涵盖半导体器件上低气压的测试。该测试主要旨在确定组件和材料在减压下避免由于空气和其他绝缘材料的介电强度降低而导致电压击穿故障的能力,仅适用于工作电压超过 1 000 V 的设备。该测试适用于所有半导体器件,前提是它们采用腔体式封装。该测试仅适用于军事和太空相关应用。


IEC 60749-3 Ed. 2.0 En:2017

半导体器件 - 机械和气候测试方法 - 第 3 部分:外部目视检查

IEC 60749-3:2017(E) 旨在验证半导体器件的材料、设计、构造、标记和工艺是否符合适用的采购文件。外部目视检测是一种无损检测,适用于所有包装类型。该测试可用于鉴定、过程监控或批次验收。与上一版本相比,本版包括以下重大技术变化:a)提及ESD保护的必要性;b)包括有关锡须现象的信息;c) 包括可选的报告表/清单。

IEC 60749-4 Ed. 2.0 En:2017

半导体器件 - 机械和气候测试方法 - 第 4 部分:湿热、稳态、高加速应力测试 (HAST)

IEC 60749-4:2017(E) 提供了高度加速的温湿度压力测试 (HAST),用于评估非密封封装半导体器件在潮湿环境中的可靠性。与上一版本相比,本版包括以下重大技术变化:a)澄清了表1中详述的温度、相对湿度和持续时间的要求;b) 建议在测试装置中放置限流电阻器,以防止测试板或被测设备损坏;c) 允许额外的测试时间延迟或恢复压力延迟。

IEC 60749-5 Ed. 2.0 En:2017

半导体器件 - 机械和气候测试方法 - 第 5 部分:稳态温度湿度偏置寿命测试

IEC 60749-5:2017(E) 提供了稳态温度和湿度偏置寿命测试,用于评估非密封封装固态器件在潮湿环境中的可靠性。第二版取消并取代了 2003 年出版的第一版。此版本构成技术修订。与上一版本相比,本版包括以下重大技术更改:a)方程误差的校正;b) 纳入指导说明;c) 澄清测试条件的适用性。

IEC 60749-6 Ed. 2.0 En:2017

半导体器件 - 机械和气候测试方法 - 第 6 部分:高温储存

IEC 60749-6:2017(E) 旨在测试和确定在不施加电应力的情况下在高温下存储的所有固态电子设备的影响。该测试通常用于确定在存储条件下,热激活失效方法和固态电子设备(包括非易失性存储设备)的失效时间和温度的影响(数据保留失效机制)。该测试被认为是非破坏性的,但最好用于设备鉴定。如果使用此类设备进行交付,则需要评估这种高度加速的压力测试的效果。使用阿伦尼乌斯方程对热激活失效机制进行加速度建模,IEC 60749-43 中提供了有关选择测试温度和持续时间的指南。与上一版本相比,此版本包括以下重大技术更改:a)附加测试条件;b) 澄清测试条件的适用性。

IEC 60749-7 第 2.0 版 B:2011

半导体器件 - 机械和气候测试方法 - 第 7 部分:内部水分含量测量和其他残余气体的分析

IEC 60749-7:2011 规定了金属或陶瓷密封设备内大气中的水蒸气和其他气体含量的测试和测量。该测试用作密封过程质量的衡量标准,并提供有关包装内大气的长期化学稳定性的信息。它适用于以这种方式密封的半导体器件,但通常仅用于军事或航空航天等高可靠性应用。这个测试是破坏性的。第二版取消并取代了2002年出版的第一版,构成技术修订。第二版已完全重写,以便与最新版本的 MIL-STD-750 方法 1018 和 MIL-STD-883 方法 1018 的文本保持一致。主要变化是删除了以前称为方法 2 和方法 3 的两种替代方法。


IEC 60749-8 第 1.0 版 B:2002

半导体器件 - 机械和气候测试方法 - 第 8 部分:密封

适用于半导体器件(分立器件和集成电路),它决定了半导体器件的泄漏率。

IEC 60749-9 Ed. 2.0 En:2017

半导体器件 - 机械和气候测试方法 - 第 9 部分:标记的持久性

IEC 60749-9:2017(E) 旨在确定固态半导体器件上的标记在贴贴和去除标签或使用溶剂和清洁溶液时是否仍然清晰可辨,这些溶剂和清洁溶液在印刷电路板制造过程中去除助焊剂残留物。该测试适用于所有包装类型。它适用于鉴定和/或过程监控测试。该测试被认为是非破坏性的。电气或机械废品可用于此测试。与上一版本相比,本版本包括以下重大技术更改:a) 通过完全重写第 3 条术语和定义来修订第 4 条设备;b)附加变体胶带拉力试验。

IEC 60749-10 第 1.0 版 B:2002

半导体器件 - 机械和气候测试方法 - 第 10 部分:机械冲击

描述一种冲击测试,旨在确定组件是否适用于电子设备,这些电子设备可能由于突然施加的力或粗暴处理、运输或现场操作产生的运动突然变化而遭受中度严重冲击。这种类型的冲击可能会干扰工作特性,尤其是在冲击脉冲重复的情况下。这是一次破坏性的测试。它通常适用于腔型封装。

IEC 60749-11 第 1.0 版 B:2002

半导体器件 - 机械和气候测试方法 - 第 11 部分:温度的快速变化 - 双流体浴法

定义了温度快速变化测试方法和双流体浴法。该测试方法也可用于使用较少的循环,以测试浸入用于清洁设备的加热液体中的效果。该测试适用于所有半导体器件。除非相关规范中另有详细说明,否则它被认为是破坏性的。

IEC 60749-12 版本 2.0 B:2017

半导体器件 - 机械和气候测试方法 - 第 12 部分:振动,变频

IEC 60749-12:2017 描述了一种测试,以确定在指定频率范围内变频振动对内部结构元件的影响。这是一次破坏性的测试。它通常适用于腔型封装 第二版取消并取代了 2002 年出版的第一版。此版本构成技术修订。与上一版本相比,此版本包括以下重大技术更改:a) 与 MIL-STD-883J 方法 2007 对齐,振动,可变频率。

IEC 60749-13 第 2.0 版 B:2018

半导体器件 - 机械和气候测试方法 - 第 13 部分:盐气氛

IEC 60749-13:2018 描述了一种盐气氛测试,用于确定半导体器件的耐腐蚀性。这是一项加速测试,可模拟恶劣的海岸大气对所有暴露表面的影响。它仅适用于指定用于海洋环境的设备。盐气氛测试被认为是破坏性的。与上一版本相比,此版本包括以下重大技术更改:a) 与 MIL-STD-883J 方法 1009.8“盐气氛(腐蚀)”保持一致,包括有关测试室的调节和维护以及测试样品安装的信息(包括解释性图表)。

IEC 60749-14 第 1.0 版 B:2003

半导体器件 - 机械和气候测试方法 - 第 14 部分:端接的鲁棒性(引线完整性)

提供各种测试,以确定引线/封装接口与引线本身之间的完整性,当引线因电路板组装故障而弯曲,然后对零件进行返工以重新组装时。适用于所有需要用户引线成型的通孔器件和表面贴装器件。

IEC 60749-15 第 3.0 版 B:2020

半导体器件 - 机械和气候测试方法 - 第 15 部分:通孔安装器件的焊接温度电阻

IEC 60749-15:2020 可作为 IEC 60749-15:2020 RLV 使用,其中包含国际标准及其红线版本,显示了与上一版相比技术内容的所有变化。IEC 60749-15:2020 描述了一种测试,用于确定用于通孔安装的封装固态器件是否能够承受使用波峰焊焊接引线时所承受的温度的影响。为了为最可重复的方法建立标准测试程序,使用浸焊方法,因为它的条件更可控。此过程确定设备是否能够承受印刷线路板组装操作中遇到的焊接温度,而不会降低其电气特性或内部连接。该测试具有破坏性,可用于鉴定、批次验收和作为产品监控器。热量通过引线从电路板背面的焊接热量传导到器件封装中。此过程不会模拟电路板与封装主体同一侧的波峰焊或回流焊热暴露。与上一版本相比,本版本包括以下重大技术更改:- 纳入新的第 3 条,术语和定义;- 阐明使用烙铁产生加热效果;- 包括使用加速衰老的选项。

IEC 60749-16 版本 1.0 B:2003

半导体器件 - 机械和气候测试方法 - 第 16 部分:颗粒撞击噪声检测 (PIND)

定义一项测试,旨在检测型腔设备内是否存在松散颗粒,例如陶瓷碎片、键合线片或焊球(颗粒)。

IEC 60749-17 第 2.0 版 B:2019

半导体器件 - 机械和气候测试方法 - 第 17 部分:中子辐照

执行 IEC 60749-17:2019 以确定半导体器件对非电离能量损失 (NIEL) 退化的敏感性。本文描述的测试适用于集成电路和分立半导体器件,适用于军事和航空航天相关应用。这是一次破坏性的考验。与上一版本相比,此版本包括以下重大技术更改:更新以更好地使测试方法与 MIL-STD 883J 方法 1017 保持一致,包括取消对文件的使用限制,以及限制总电离剂量的要求;增加了参考书目,包括与该测试方法相关的美国MIL和ASTM标准。

IEC 60749-18 第 2.0 版 B:2019

半导体器件 - 机械和气候测试方法 - 第 18 部分:电离辐射(总剂量)

IEC 60749-18:2019 也可作为 IEC 60749-18:2019 RLV 使用,其中包含国际标准及其红线版本,显示了与上一版相比技术内容的所有变化。IEC 60749-18:2019 提供了一个测试程序,用于定义测试封装半导体集成电路和分立半导体器件对钴 60 (60Co) 伽马射线源电离辐射(总剂量)效应的要求。可以使用其他合适的辐射源。本文档仅涉及稳态辐照,不适用于脉冲型辐照。它适用于军事和航空航天相关应用。这是一次破坏性的考验。与上一版本相比,此版本包括以下重大技术更改:- 更新子条款,以更好地使测试方法与 MIL-STD 883J 方法 1019 保持一致,包括使用增强的低剂量率灵敏度 (ELDRS) 测试;- 增加参考书目,其中包括与该测试方法相关的ASTM标准。

IEC 60749-19 第 1.1 版 B:2010

半导体器件 - 机械和气候测试方法 - 第 19 部分:模具剪切强度

IEC 60749-19:2003+A1:2010 确定了用于将半导体芯片连接到封装针座或其他基板的材料和程序的完整性。该测试方法通常仅适用于型腔包装或作为过程监视器。它不适用于大于 10 mm2 的芯片区域。它也不适用于倒装芯片技术或柔性基板。该合并版本包括第一版(2003年)及其修订版(2010年)。因此,除本出版物外,无需下令修改。

IEC 60749-20 第 3.0 版 B:2020

半导体器件 - 机械和气候测试方法 - 第 20 部分:塑料封装 SMD 对湿气和焊接热的综合影响的抵抗力

IEC 60749-20:2020 可作为 IEC 60749-20:2020 RLV 使用,其中包含国际标准及其红线版本,显示了与上一版相比技术内容的所有更改。IEC 60749-20:2020 提供了一种评估封装为塑料封装表面贴装器件 (SMD) 的半导体的耐焊接热性的方法。这个测试是破坏性的。与上一版本相比,本版包括以下重大技术变更:- 纳入 IEC 60749-20:2008(第二版)的技术勘误;- 纳入新的第3条;- 包括解释性说明。

IEC 60749-21 第 2.0 版 B:2011

半导体器件 - 机械和气候测试方法 - 第 21 部分:可焊性

IEC 60749-21:2011 建立了一个标准程序,用于确定设备封装端接的可焊性,这些端接打算使用锡铅 (SnPb) 或无铅 (Pb) 焊料连接到另一个表面进行连接。该测试方法提供了通孔、轴向和表面贴装器件 (SMD) 的“浸渍和外观”可焊性测试程序,以及 SMD 的板安装可焊性测试的可选程序,目的是允许在器件应用中使用焊接过程的模拟。该测试方法还为老化提供了可选条件。除非相关规范中另有详细说明,否则该测试被认为是破坏性的。注 1 本测试方法总体上符合 IEC 60068,但由于半导体的特殊要求,应用以下文本。注 2 本测试方法不评估焊接过程中可能发生的热应力的影响。应参考 IEC 60749-15 或 IEC 60749-20。本标准取消并取代了 2004 年发布的第一版,并构成技术修订。重大变化是包含无铅(铅)向后兼容性。

IEC 60749-22 版本 1.0 B:2002

半导体器件 - 机械和气候测试方法 - 第 22 部分:粘结强度

该测试适用于半导体器件(分立器件和集成电路),用于测量粘接强度或确定是否符合指定的粘接强度要求

IEC 60749-23 Ed. 1.1 B:2011

半导体器件 - 机械和气候测试方法 - 第 23 部分:高温使用寿命

IEC 60749-23:2004+A1:2011 用于确定偏置条件和温度随时间变化对固态器件的影响。它以加速方式模拟设备运行条件,主要用于设备认证和可靠性监控。一种使用短时间的高温偏置寿命形式,俗称“老化”,可用于筛查与婴儿死亡率相关的故障。老化装置的详细使用和应用不在本标准的范围之内。该合并版本包括第一版(2004年)及其修订版1(2011年)。因此,除本出版物外,无需下令修改。

IEC 60749-24 第 1.0 版 B:2004

半导体器件 - 机械和气候测试方法 - 第 24 部分:加速防潮 - 无偏 HAST

进行无偏高加速压力测试的目的是评估非密封封装固态器件在潮湿环境中的可靠性。它在非冷凝条件下利用温度和湿度来加速水分通过外部保护材料或沿着外部保护材料与穿过它的金属导体之间的界面渗透。

IEC 60749-25 版本 1.0 B:2003

半导体器件 - 机械和气候测试方法 - 第 25 部分:温度循环

提供一种测试程序,用于确定半导体器件和组件和/或电路板组件承受交替高温和低温极端引起的机械应力的能力。这些机械应力可能导致电气和/或物理特性的永久性变化。适用于单腔、双腔室和三腔室温度循环,涵盖元件和焊接互连测试。

IEC 60749-26 版本 4.0 B:2018

半导体器件 - 机械和气候测试方法 - 第 26 部分:静电放电 (ESD) 灵敏度测试 - 人体模型 (HBM)

IEC 60749-26:2018 根据元件和微电路对暴露于定义的人体模型 (HBM) 静电放电 (ESD) 造成的损坏或退化的敏感性(灵敏度)建立了测试、评估和分类程序。本文档旨在建立一种测试方法,该方法可以复制 HBM 故障,并在测试仪之间提供可靠、可重复的 HBM ESD 测试结果,无论组件类型如何。可重复的数据将允许对 HBM ESD 灵敏度水平进行准确的分类和比较。半导体器件的ESD测试选自该测试方法、机器模型(MM)测试方法(参见IEC 60749-27)或IEC 60749系列中的其他ESD测试方法。除非另有说明,否则此测试方法是选择的方法。第四版取消并取代了2013年出版的第三版。此版本构成技术修订。本标准基于 ANSI/ESDA/JEDEC JS-001-2014。经版权所有者、ESD 协会和 JEDEC 固态技术协会许可使用。与上一版本相比,此版本包括以下重大技术更改:a) 增加了与低寄生模拟器的 HBM 应力相关的新子条款,以及确定 HBM 模拟器是否为低寄生模拟器的测试;b) 为克隆的非电源引脚添加了新的子条款,并添加了用于测试克隆的非电源引脚的新附件。

IEC 60749-27 第 2.1 版 B:2012

半导体器件 - 机械和气候测试方法 - 第27部分:静电放电(ESD)灵敏度测试 - 机器型号(MM)

IEC 60749-27:2006+A1:2012 建立了测试和分类半导体器件的标准程序,根据半导体器件暴露于定义的机器模型 (MM) 静电放电 (ESD) 而损坏或退化的敏感性。它可以用作人体模型ESD测试方法的替代测试方法。目的是提供可靠、可重复的ESD测试结果,以便进行准确的分类。该测试方法适用于所有半导体器件,并被归类为破坏性器件。该合并版本包括第二版(2006年)及其修订版(2012年)。因此,除本出版物外,无需下令修改。

IEC 60749-29 第 2.0 版 B:2011

半导体器件 - 机械和气候测试方法 - 第 29 部分:闩锁测试

IEC 60749-29:2011 涵盖了集成电路的 I 测试和过压闩锁测试。该测试的目的是建立一种确定集成电路 (IC) 闩锁特性的方法,并定义闩锁失效标准。闩锁特性用于确定产品可靠性,并最大限度地减少由于闩锁引起的“未发现故障”(NTF)和“电气过应力”(EOS)故障。第二版取消并取代了2003年出版的第一版,并构成技术修订。与上一版相比,重大变化包括:- 一些小的技术变化;- 增加了两个新的附件,涵盖特殊引脚的测试和温度计算。

IEC 60749-30 第 1.1 版 B:2011

半导体器件 - 机械和气候测试方法 - 第 30 部分:可靠性测试前对非密封表面贴装器件进行预处理

IEC 60749-30:2005+A1:2011 建立了一个标准程序,用于在可靠性测试之前确定非密封表面贴装器件 (SMD) 的预处理。该测试方法定义了非密封固态 SMD 的预处理流程,代表了典型的行业多次回流焊操作。这些 SMD 在提交给特定的内部可靠性测试(鉴定和/或可靠性监控)之前,应经过本标准中描述的适当预处理顺序,以评估长期可靠性(受焊接应力影响)。该合并版本包括第一版(2005年)及其修订版(2011年)。因此,除本出版物外,无需下令修改。

IEC 60749-31 版本 1.0 B:2002

半导体器件 - 机械和气候测试方法 - 第 31 部分:塑料封装器件的可燃性(内部诱导)

适用于半导体器件(分立器件和集成电路),该测试确定器件是否因过载过载引起的内部发热而点燃。

IEC 60749-32 第 1.1 版 B:2010

半导体器件 - 机械和气候测试方法 - 第 32 部分:塑料封装器件的可燃性(外部诱导)

IEC 60749-32:2002+A1:2010适用于半导体器件(分立器件和集成电路)。该测试的目的是确定设备是否因外部加热而点燃。该测试使用针状火焰,模拟小火焰的影响,这些火焰可能是由包含设备的设备内的故障条件引起的。该合并版本包括第一版(2002年)及其修订版1(2010年)。因此,除本出版物外,无需下令修改。

IEC 60749-33 版本 1.0 B:2004

半导体器件 - 机械和气候测试方法 - 第 33 部分:加速防潮 - 无偏置高压灭菌器

进行无偏置高压灭菌器测试是为了评估使用湿气冷凝或湿气饱和蒸汽环境的非密封封装固态设备的防潮完整性。它是一种高度加速的测试,它利用冷凝条件下的压力、湿度和温度条件来加速水分通过外部保护材料或沿着外部保护材料与穿过它的金属导体之间的界面渗透。

IEC 60749-34 版本 2.0 B:2010

半导体器件 - 机械和气候测试方法 - 第 34 部分:功率循环

IEC 60749-34:2010 描述了一种测试方法,用于确定半导体器件由于内部半导体芯片和内部连接器的功率耗散循环而产生的热应力和机械应力。当周期性地施加和消除正向传导(负载电流)的低压工作偏置时,就会发生这种情况,从而导致温度快速变化。功率循环测试旨在模拟电力电子中的典型应用,并补充高温工作寿命(参见 IEC 60749-23)。暴露于该测试可能不会引起与暴露于空气-空气温度循环或使用双流体浴方法的温度快速变化相同的故障机制。该测试会导致磨损并被认为是破坏性的。第二版取消并取代了2004年出版的第一版,并构成技术修订。与上一版相比,重大变化包括:- 在引线键合疲劳模式下更加速的功率循环的更严格条件规范;- 在恶劣的功率循环条件下,薄芯片金属化中的高电流密度可能会引发接近引线键合的电迁移效应的信息。

IEC 60749-35 第 1.0 版 B:2006

半导体器件 - 机械和气候测试方法 - 第35部分:塑料封装电子元件的声学显微镜

定义对塑料封装电子元件进行声学显微镜检查的程序。为使用声学显微镜检测塑料包装中的异常情况(分层、裂纹、模具-化合物空隙等)提供指南。

IEC 60749-36 第 1.0 版 B:2003

半导体器件 - 机械和气候测试方法 - 第 36 部分:稳态加速度

提供用于确定恒定加速度对腔型半导体器件的影响的测试。它是一种加速测试,旨在指示在冲击和振动测试中不一定检测到的结构和机械弱点类型。

IEC 60749-37 第 1.0 版 B:2008

半导体器件 - 机械和气候测试方法 - 第 37 部分:使用加速度计的板级跌落测试方法

提供了一种测试方法,旨在评估和比较手持电子产品应用中手持式电子产品应用的表面贴装电子元件的跌落性能,在加速测试环境中,电路板的过度弯曲会导致产品故障。其目的是使测试板和测试方法标准化,以提供对表面贴装组件跌落测试性能的可重复评估,同时产生通常在产品级测试中观察到的相同故障模式。

IEC 60749-38 第 1.0 版 B:2008

半导体器件 - 机械和气候测试方法 - 第 38 部分:带存储器的半导体器件的软错误测试方法

IEC 60749 的这一部分建立了一个程序,用于测量具有存储器的半导体器件在受到高能粒子(如 α 辐射)时的软误差敏感性。描述了两种测试;使用α辐射源的加速测试和(非加速)实时系统测试,其中任何误差都是在自然发生的辐射条件下产生的,这些辐射可以是α辐射或其他辐射,如中子。为了完全表征带存储器的集成电路的软误差能力,必须使用其他测试方法对器件进行宽高能谱和热中子测试。该测试方法可以应用于任何类型的带有存储设备的集成电路。

IEC 60749-39 第 2.0 版 B:2021

半导体器件 - 机械和气候测试方法 - 第 39 部分:半导体元件用有机材料中的水分扩散率和水溶性测量

IEC 60749-39:2021 作为 IEC 60749-39:2021 RLV 提供,其中包含国际标准及其红线版本,显示了与上一版相比技术内容的所有变化。IEC 60749-39:2021 详细说明了半导体元件封装中使用的有机材料中水分扩散率和水溶性特性的测量程序。这两种材料性能是塑料封装半导体在受潮和高温回流焊后有效可靠性能的重要参数。与上一版本相比,此版本包括以下重大技术更改:- 更新了“干重”测定程序。

IEC 60749-40 版本 1.0 B:2011

半导体器件 - 机械和气候测试方法 - 第 40 部分:使用应变片的板级跌落测试方法

IEC 60749-40:2011 旨在评估和比较手持电子产品应用中用于手持式电子产品应用的表面贴装半导体器件的跌落性能,其中电路板的过度弯曲会导致产品故障。其目的是标准化测试方法,以提供对表面贴装半导体器件的跌落测试性能的可重复评估,同时复制在产品级测试中通常观察到的故障模式。该国际标准使用应变片来测量组件附近电路板的应变和应变率。

IEC 60749-42 第 1.0 版 B:2014

半导体器件 - 机械和气候测试方法 - 第 42 部分:温度和湿度储存
IEC 60749-42:2014 提供了一种测试方法,用于评估在高温和高湿环境中使用的半导体器件的耐久性。该测试方法用于评估塑料模制和其他类型封装中包含的半导体器件芯片的金属互连的耐腐蚀性。它还被用作加速由于水分渗透到钝化膜而导致的泄漏现象的手段,并用作各种测试的预处理。

以上为IEC60749相关标准的介绍,希望通过深入学习和应用这些标准,我们可以为电动汽车等高端应用领域提供更加可靠、稳定的半导体器件。
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2024年10月31日 晚


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