- 「SysPro电力电子技术EE」知识星球内容
- 专栏一<Si-SiC混合功率器件技术知识体系梳理>节选
- 文字原创：Mr.H，仅用于SysPro星球会员内部使用
2.2.1 SiC-MOSFET 和Si-IGBT 的导通特性 2.2.2 SiC/SI混合功率开关的导通特性 2.2.3 温度对导通特性的影响
2.3.1 SiC-MOSFET 和Si-IGBT 的开通特性简述 2.3.2 混合SiC功率器件的开通特性 2.3.3 混合SiC功率器件的开通策略制定 2.3.4 混合SiC功率器件的关断特性 2.3.4 混合SiC功率器件的关断策略制定 2.3.5 SiC MOSFET 电流分配比例和芯片面积
2.5 SiC-Si混合功率器件的应用
从这一节起，我们正式开始关于 SiC-Si混合功率技术方案的介绍，下面一起来看看。
在功率转换电路中，IGBT（绝缘栅双极晶体管）和MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）因其可控性而广受欢迎。然而，由于每种器件单独使用时都存在固有的弱点，对于电动汽车（EV）动力系统的逆变器而言，需要在成本和效率之间找到更好的平衡。为了克服单一器件的缺点，引入了采用不同半导体材料的混合功率开关拓扑技术，我们这里主要讨论的是SiC-Si混合功率器件拓扑技术。
下图展示了4种不同的混合功率转换开关拓扑结构，每种拓扑都结合了不同的器件的特征，构成了其独有的特征和优势。
(a) Si-IGBT混合SiC-SBD（肖特基势垒二极管） (b) Si-IGBT混合反向导通二极管与Si-MOSFET (c) Si-IGBT混合Si-MOSFET (d) Si-IGBT混合SiC-MOSFET
图片来源：SysPro系统工程智库
那么，以上4种拓扑分别有什么技术特点和优势呢？他们彼此之间又是如何层层递进、发展演变的呢？
以上是「SysPro电力电子技术EE」知识星球内容专栏一<Si-SiC混合功率器件技术知识体系梳理>第二章节选内容，希望有所帮助！
2.2.1 SiC-MOSFET 和Si-IGBT 的导通特性 2.2.2 SiC/SI混合功率开关的导通特性 2.2.3 温度对导通特性的影响
2.3.1 SiC-MOSFET 和Si-IGBT 的开通特性简述 2.3.2 混合SiC功率器件的开通特性 2.3.3 混合SiC功率器件的开通策略制定 2.3.4 混合SiC功率器件的关断特性 2.3.5 混合SiC功率器件的关断策略制定 2.3.6 SiC MOSFET 电流分配比例和芯片面积
2.5 SiC-Si混合功率器件的应用
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