混合SiC逆变器的4种驱动方式的探索与揭秘

文摘   汽车   2024-11-14 06:46   上海  

- 关于”混合SiC功率半导体驱动方案"的解析
- 原文作者:英飞凌 Devin XU,修改/注释:Mr.H
- 在保证原文主旨内容基础上,对原文内容进行了裁剪和、对结构进行了梳理、补充了解释说明

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导语:随着新能源车行业快速发展,技术创新显著,其中如何设计高效牵引逆变器以延长车辆续航里程成为研发重点。那么,如何在功率效率材料利用率之间找到最佳平衡点,以设计出高效的牵引逆变器,从而增加新能源汽车的续航里程?

此外,当前新能源汽车牵引逆变器主要采用硅基(Si)或碳化硅基(SiC)功率半导体器件,如Si IGBT和SiC MOSFET。那么,这些器件各有何性能特点,如何适应不同的应用需求?为何单一性质的IGBT器件或SiC器件在逆变器应用中难以同时满足高效和成本的要求?

今天我们一起来聊聊如何在混合式功率半导体创新技术方面为高效牵引逆变器在效率、成本和可持续性之间寻找更好的平衡点?



1.SiC mosfet 和Si IGBT 的性能对比

  • 导通特性

  • 开关特性

2. 新能源车动力配置布局

3. 标准驾驶工况WLTP 与峰值性能需求

  • 3.1 标准驾驶循环工况:WLTP

  • 3.2 WLTP驾驶循环分析

  • 3.3 性能与成本:Si还是SiC,主驱逆变器如何选择?

4. Si还是SiC,主驱逆变器如何选择?

  • 4.1 主驱逆变器的功率“浪费”现象

  • 4.2 不同动力构型下,Si还是SiC?

  • 4.3 双电驱系统,为什么选择SIC+IGBT

5. Si和SiC融合技术在整车拓扑中的应用

6. 混合SiC功率开关的4种不同驱动方式

7. 不同的驱动策略的利弊分析

8. 英飞凌的解决方案


06

混合SiC功率半导体4种不同驱动方式

根据上述原理,这些技术可以通过不同的组合方式实现不同的目标。在只使用一种半导体技术的标准牵引逆变器中,由于只使用了Si 或SiC,因此不需要特别的驱动策略。但混合SiC半导体技术牵引逆变器采用了Si和SIC并联运行,因此也需要特殊的驱动控制策略那么,如何考虑其驱动策略?| SysPro备注:回答,如何考虑SIC/SI的驱动方式和路径?

下图概述了融合技术牵引逆变器的不同运行模式下, SiC 和Si 半导体的不同驱动运行方式:Ex2G、S1G、S2G、In2G。
图10  融合技术的不同驱动控制策略

图片来源:英飞凌


方式1:独立控制("Ex")
第一种选择是独立运行模式,即单一时刻只有一种半导体(Si或SiC)运行

以上面的示例参考,SiC 专门用于所有低于 80 kW 的功率需求;如果车辆要求牵引逆变器提供超过 80 kW 的输出功率,SiC MOSFET将被关闭,取而代之的是 Si IGBT运行。要实现独立运行"排他性操作",则需要两个栅极信号("Ex2G")来独立控制两种半导体器件


图片来源:英飞凌

方式2/3:并行控制("S")
这种方式,Si和SiC总是并联使用通过一个门极信号,可以在两种技术之间切换为了适应这种切换,需要对门极路径进行相应的调整,以确保两种技术的开通和关断行为相匹配,并实现良好的瞬态特性。同时,必须通过设计和技术确保所有单个开关之间的电流共享。然而,在这种模式下,例如当电压低于0.7V时,SiC区域将传导大部分电流;而当电压超过这个阈值时,Si将增加其电流分担比例,这是无法避免的。通过在设计过程中调整芯片区域的尺寸,可以优化这些值,以满足效率和驾驶周期的目标。
|SysPro备注:上面这段话全部精髓就在"调整"两字。因为只有一个门级控制信号,两种开关同时动作,必然要考虑开关过程中瞬态特性的协同性、电流的分配特性等问题,这些特性又和器件的导通特性、芯片的面积配比、布局等因素相关,如何设计实现能效最佳?是这个方案要考虑的关键问题。这里我们不做展开,会在后续文章中说明其中的逻辑。

图片来源:英飞凌
并行模式有两种实施方案:单栅极方案(S1G)双栅极方案(S2G)

由于并行方案是两种半导体同时运行,一个栅极驱动就足够了。在适配这两种功率器件时,我们可以选择从uC发送一个PWM 信号,通过一个栅极驱动器和外部适配电路将PWM输送到两个栅极(S2G);或者通过一个栅极驱动器和一个栅极引脚(S1G),其中在功率模块中对驱动信号进行独立匹配。对于用户来说,S1G对用户来说是一个相当方便的解决方案,但它提供的参数调整自由度比S2G要少


方式4:单独控制("In")
第三种方案需要独立控制两种半导体芯片。这需要为每组开关提供两个不同的PWM 信号。这种方案兼顾了上述几种工作模式、更复杂,但同样也充分利用了Si/SiC融合的技术优势,具体来说主要有以下几点:
  • 最优调整:由于两种开关都可以独立调整,因此可以对它们进行最优化的调整,以适应不同的工作条件

  • 在线调整PWM模式:在控制策略中,可以根据需要在线调整PWM Pattern,这提供了极大的灵活性和适应性。

  • 优化瞬态电流分配:由于SiC开关可能比Si开关更快,因此可以通过调整开关的开启和关闭来优化瞬态电流的分配,从而减轻每种技术的负载。

  • 灵活的操作模式:根据使用场景,该系统可以在独占模式并行模式之间无缝切换,提供了高度的操作灵活性。

  • "跛行回家"模式:在发生故障时,可以实施一种"跛行回家"模式,即关闭一种半导体开关,系统切换到另一种仍然正常工作的开关下,以确保系统能够继续运行,增强了系统的可靠性和稳定性

总的来说,这种独立操作两种技术的模式虽然增加了系统的复杂性,但通过提供高度的灵活性、优化性能和冗余能力,为整车带来了显著的优势。
| SysPro备注:方式4是能充分发挥混合SiC驱动一种控制方案,比较喜欢,目前一些主流芯片厂商也有双通道栅极驱动的IC,后续我们会对其应用手册中关键内容做展开说明。


以上是对于<混合SiC功率半导体驱动方案>的学习总结(节选),完整内容在知识星球发布(点击文末"阅读原文")。原始素材来源于英飞凌,在保证原主旨内容基础上,对结构进行了梳理、内容进行了裁剪和调整,并补充了解释说明。感谢英飞凌的分享。希望对你有所帮助!

此外,「SysPro电力电子技术」计划在本月内上线,第一期聚焦SiC+Si混合功率半导体驱动技术,共设5阶段10专栏,从控制到驱动、从器件到系统、从基础到实,以混合SiC技术为切入点,对控制器技术全面解析。下图详解第一期全貌,感兴趣的朋友请加微信详询:cruise3352。


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2024年11月14日
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