佳能公司于9月26日震撼宣布，其自主研发的下一代半导体制造利器——“纳米压印”光刻机（NIL）即将首次投放市场，并确认首批设备将交付予美国得克萨斯州电子研究所，标志着佳能在这一尖端科技领域的重大突破。
这款创新的光刻机在半导体制造工艺中扮演着至关重要的角色，负责在微小的晶圆上精准绘制出复杂的电路图。与当前广泛采用的强光曝光技术不同，佳能的纳米压印技术采用了一种革命性的“盖章式”方法，通过纳米级精度的掩膜将图案直接转印至晶圆表面，实现了前所未有的精度与效率。
尤为引人注目的是，经过精心改良的纳米压印光刻机具备生产2纳米级半导体的潜力，直接瞄准了当前由ASML主导的极紫外（EUV）光刻技术市场。佳能此举不仅展现了其在光刻技术领域的深厚积累与创新能力，更透露出挑战行业霸主、重塑市场格局的雄心壮志。
与传统光刻技术相比，纳米压印技术凭借其独特的优势，在降低耗电量和生产成本方面展现出巨大潜力。佳能此次推出的设备，在绘制5纳米级半导体工艺所需的最小线宽方面，已能达到接近ASML高端EUV光刻设备的水平（最小线宽约13纳米），而其自身最小线宽能力为14纳米，性能卓越，令人瞩目。
自2014年起，佳能便投身于纳米压印技术的研发，历经数年潜心耕耘，终于在2023年10月13日迎来了商业化销售的里程碑。此次向得克萨斯州电子研究所的供货，不仅是佳能技术实力的有力证明，也是其商业化进程中的重要一步。
展望未来，佳能光学设备事业本部副事业本部长岩本和德信心满满地表示：“我们的目标是在接下来的三到五年内，实现每年销售十几台纳米压印光刻机的宏伟目标。”这一表态不仅彰显了佳能对市场需求的精准把握，也预示着半导体制造行业即将迎来一场由佳能引领的技术革新风暴。
