韩国警方于3日宣布，已对一名64岁的三星电子前工程师实施逮捕，并将其案件移送至检察机关。此工程师涉嫌违反“职业安定法”，具体指控包括从三星电子挖角半导体核心技术人才，并向中国公司非法泄露关键的20纳米DRAM内存芯片技术。
据韩联社报道，首尔警察厅的产业技术安全侦查队对此案进行了深入调查，并确认了该工程师的违法行为。该工程师在离职后，不仅以顾问身份参与了在中国的成都高真公司的创立，同时还在韩国成立了一家猎头公司，专门用于从三星电子挖取核心技术人才。他利用至少2至3倍于原薪资的优厚待遇，成功吸引了多名三星电子的顶尖技术人员加入其团队。
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调查还发现，该工程师不仅挖角人才，还涉嫌将三星的20纳米DRAM内存芯片技术泄露给中国的公司。这一行为严重违反了韩国的相关法律法规，并对三星电子的商业利益构成了重大威胁。
在挖角和泄露技术的双重作用下，中国成都的DRAM工厂得以在极短的时间内建成并投产。据报道，从工厂完工到成功生产半导体晶圆，仅耗时1年3个月。而在正常情况下，晶圆从测试到量产的过程通常需要4至5年的时间。这一速度之快，无疑得益于该工程师从三星挖取的人才和技术泄露。
此次事件对三星电子造成了不小的打击，也引发了韩国警方和相关部门的高度重视。警方表示，将继续加大对此类违法行为的打击力度，以维护韩国的产业安全和企业的合法权益。同时，这也提醒了韩国企业，在人才管理和技术保密方面需要更加严格和谨慎，以防止类似事件的再次发生。
目前，该工程师已被移送至首尔中央地方检察厅，等待进一步的法律程序。预计此案将引起广泛的关注和讨论，对韩国半导体产业和中国的半导体制造业都将产生一定的影响。
