我国硅光子取得重大突破!美国焦躁不安,担心该技术可以让中国在半导体领域“变道并超越美国”,有政客鼓噪对华实施进一步芯片出口管制

文摘   2024-10-29 22:30   湖北  

2024年9月,我国在再次在硅光子集成领域取得里程碑式突破性进展,该消息来自在湖北省九峰山实验室

该实验室成功点亮集成到硅基芯片内部的激光光源,填补了该项技术在国内空白,可以说是突破了在芯片间大数据传输的物理瓶颈。

在过去的半个多世纪,半导体行业一直遵循着摩尔定律的速度发展,就是在价格不变的情况下,每隔12~24个月,集成电路上可容纳的元器件的数目便会增加一倍。现在半导体制程节点已到5nm,正在向3nm迈进。现在单纯从工艺提升芯片性能已经越来越困难,到了所谓的后摩尔时代。

在后摩尔时代,要想突破集成电路技术发展所面临的功耗、带宽和延时等诸多困难,出路就在于硅光子集成技术。

硅片出光是该技术的基础,最终将对数据中心、算力中心、CPU/GPU芯片、AI芯片等领域具有巨大的推动作用。

没想到我国这一成果,被美国盯上了,他们想方设法欲阻止我们在该领域进一步发展。

美国有政客认为,硅光子技术代表半导体行业下一个竞争前沿,美国目前还没有赢得这场竞争。言外之意,竞争还在继续,胜负还难预料。

他们认为中国更容易调动资源,能够“集中力量办大事”,可能会在该行业突飞猛进,所以他们感觉到了压力。

美国有个叫“美中战略竞争特别委员会”网站,甚至发表声明说,中国很有可能在硅光子技术领域“变道超车”,把美国甩在身后。

这些政客还鼓噪,进一步限制对中国的先进芯片出口,以迟滞中国在该领域进展步伐,确保美国取得竞争优势。他们甚至建议美国商务部“应考虑调查中国光子领域领军企业”。

美国政客的这些言行,说明他们对自己在科技领域的创新优势不再自信,很担心掉队,显得焦躁不安。

其实,美国的正确做法应该是和中国通过良性竞争,共同促进,共同发展,实现双赢。

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