在半导体领域的学术会议上，英特尔的存在感正在上升。
（图片：英特尔）
亚洲的半导体研发十分活跃。在2024年6月举行的半导体行业著名国际学会“VLSI研讨会”上，亚洲占到论文投稿数和论文发表数（论文收录数）的6成以上。其中势头最强劲的是中国。论文投稿数和发表数均比去年增加7成左右。在产业界，韩国三星电子和美国英特尔（Intel）的跃进引人注目。
中国机构的论文增长明显
VLSI研讨会（Symposium on VLSI Technology and Circuits）每年6月举行，大致分为半导体器件（Technology）和电路（Circuits）两部分。运营该学会的研讨会委员会透露，两者加起来的2024年论文投稿数达到897篇（不含向Late news paper投稿的18篇论文），创出历史新高。与2023年VLSI研讨会相比增加了约4成，实属罕见。随着论文投稿数的增加，论文收录数达到232篇（不包括Late news paper收录的2篇论文），创出历史新高。尽管如此，收录率仍然低至26%。往年则是30%多。
来自中国的论文很多，但质量参差不齐。
（出处：日经XTECH）
造成这种情况的推手是中国大陆、台湾、韩国等亚洲的机构。VLSI研讨会Circuits委员会Symposium Co-Chair滨田基嗣表示，“中国大陆增长显著”。据悉中国大陆正以举国之力推进半导体产业振兴政策，来自大学等的论文投稿数量激增。论文投稿数为237篇，位居各国和地区首位，论文收录数为去年的1.7倍，达到37篇。继美国/加拿大（54篇）、韩国（54篇）之后位居第3。
但是由于中国大陆的论文投稿数较多，收录率仅为16%。也就是说，论文的质量可谓参差不齐。一方面，存在清华大学等从世界范围来看提交高质量论文的大学，另一方面，以获得研究预算等为目标的低质量论文似乎也不在少数。
以来自亚洲的论文为中心，论文投稿数大幅增长。
（出处：日经XTECH根据VLSI研讨会委员会的资料绘制）
三星的论文激增或是危机感的体现？
在产业界显示出存在感的是三星电子。论文收录数为23篇，约为上年（15篇）的1.5倍，在各机构中排在首位。除了有关主力业务半导体存储器技术的论文之外，面向堆叠晶体管（CFET）的背接触技术被选为Technology的重点论文之一，三星在逻辑半导体领域也发表了引人注目的成果。
不过也有观点认为，三星电子的跃进体现出该公司抱有危机感。最近数年来，三星在DRAM和代工业务上落后于竞争对手的情况突出。因此，为了展示技术实力而有意识地增加投稿的可能性很大。过去有一段时间，该公司曾大幅减少向国际会议的论文投稿。
同样在现有业务领域持续苦战的英特尔的论文收录数为12篇，比去年翻了一番。该公司面向3nm制造工艺“Intel3”的晶体管、2.5维（2.5D）封装技术、低功耗·高灵敏度的光接收电路被选为重点论文，论文的质量也很高。
来自日本的论文虽然收录率较高，但在投稿数量方面较少。
（出处：日经XTECH根据VLSI研讨会委员会的资料绘制）
在海外机构大显身手的情况下，日本相对低调。论文投稿数为42篇，论文收录数为16篇。虽然收录率高达38%，保持了论文的高质量，但论文收录数与2023年的26篇相比大幅减少。
在逻辑半导体领域，2nm世代以后成为焦点
今年，逻辑半导体的2nm世代以后的微细化所必需的技术大量被选为Technology的重点论文。涌现出了，把晶体管的电源用布线从信号用布线中分离出来、设置在硅（Si）基板的背面、从而提高集成度和性能的“背面供电”技术，以及一种通过使用过渡金属类材料等新沟道材料代替Si来提高晶体管性能的技术。还有尖端封装技术的发布，在补偿微细化的同时，使半导体高性能化和低成本化。在存储半导体领域，选择了在固态硬盘（SSD）等使用的NAND闪存的布线层引入气隙（空隙）以提高运行速度的技术，以及能够提高DRAM集成度和降低功耗的晶体管技术。
Technology的主要重点论文
（出处：日经XTECH根据VLSI研讨会委员会的资料绘制）
在Circuits的重点论文方面，面向数据中心等的HPC（高性能计算）技术大量被选中。数据中心等引领着最近半导体市场的发展。高速连接芯片与封装的连接技术也变得越来越重要，有多篇论文发表。随着生成式AI（人工智能）的崛起，AI相关领域势头强劲，高精度语音识别和有助于早期发现疾病的技术被选为重点论文。
Circuits的主要重点论文
（出处：日经XTECH根据VLSI研讨会委员会的资料绘制）
大下淳一 日经XTECH
资料来源：https://xtech.nikkei.com/atcl/nxt/column/18/00001/09200/?P=2
