“行家说三代半”发现，国产SiC近期在粉料、主驱芯片、液相法及设备等环节均取得实质性突破：
● 一汽红旗：自主设计的碳化硅功率芯片完成首次流片。
● 连科半导体：液相法碳化硅长晶炉顺利验收。
● 汇川联合动力：推出Si-SiC混合模块电机控制器，已完成A样的开发与验证。
● 山西中电科：成功攻克石墨粉提纯工艺关键难题，石墨粉纯度达到6.5N。
● 通用半导体：自研设备8英寸碳化硅晶锭激光剥离设备成功交付。
一汽红旗：
SiC功率芯片完成首次流片
10月22日，“红旗研发新视界”官微宣布，由研发总院新能源开发院功率电子开发部自主设计的碳化硅功率芯片完成首次流片。
据介绍，这款芯片专注于整车电驱动、智慧补能、车载电源、高压配电、电动化底盘等系统应用需求，采用了创新的低导通电阻元胞结构、高元胞密度版图、高可靠性终端结构及片上栅极电阻集成技术，实现了超过1200V的击穿电压和小于15mΩ的导通电阻。
这一成就标志着红旗在高性能电动汽车开发领域初步建立了碳化硅功率芯片设计能力，并且成功引入了半导体行业的Fabless（无晶圆厂）合作模式到汽车产品开发实践中。
连科半导体：
液相法碳化硅长晶炉验收
10月22日，“连城数控”官微宣布，公司近日在液相法碳化硅长晶炉领域取得关键性进展，液相法碳化硅(感应)加热长晶炉及液相法碳化硅电阻加热长晶炉已顺利在客户现场完成验收。
据消息披露，连科半导体凭借在直拉单晶和碳化硅单晶生长领域的丰富经验，设计推出了具有特色的液相法碳化硅长晶炉。这些长晶炉设计灵活，支持多种加热方式，能够适应6至8英寸单晶生长的需求，同时拥有专业的技术团队提供快速响应和专业服务，以提高生产效率和晶体质量。
连科半导体表示，液相法技术在细分领域的优势逐渐显现，尤其适用于生长P型碳化硅衬底。它不仅可以实现生长低位错密度、高品质的碳化硅晶片，还能显著提升碳化硅晶片的生产成品率并降低成本。目前，液相法长晶技术已成为技术和产业关注的焦点。然而，要实现产业化落地，还需要设备制造商与衬底生产商的高度协作和配合，共同推动国内液相法技术的进步和产业化进程。
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汇川联合动力：
发布全新混碳电控
10月15日，据“汇川联合动力”官微消息，他们最近发布了一款新型电机控制器——PD4H混碳电控。这款产品采使用了英飞凌的IGBT和SiC MOSFET混合模块，实现了高效率和强兼容性。
据悉，PD4H混碳电控的峰值功率可以覆盖150至250kW的动力总成系统，满足从A/B/C级轿车到中大型SUV和MPV等多种车型的动力输出要求。目前，该产品已完成A样的开发与验证。
这款电控的效率极高，CLTC工况下的实测效率达到98.5%，相较于Si基器件电机控制器提升了1.5%。同时，PD4H混碳电控在成本上比全SiC器件大幅降低，但仅损失0.3%的工况效率，能为整车带来约3%的续航里程提升，有效减少电池成本。
PD4H混碳电控的设计允许直接替代升级现有产品，无需额外开发专用驱动芯片，兼容现有电路设计。其性能强劲，峰值功率250kW，母线电压覆盖210~485VDC，峰值电流620Arms，且器件结温可支持长时间175℃工作。
山西中电科：
石墨粉纯度高达6.5N
10月12日，据“山西中电科”官微消息，日前，山西中电科新能源技术有限公司在超高纯石墨粉纯化领域取得了重大突破——
公司成功攻克了石墨粉提纯工艺的关键难题，纯度指标达到了国内领先水平。他们采用自主研发的纯化设备，对原始灰分为700ppm（99.93%）的石墨粉进行提纯处理，提纯后的石墨粉纯度达到6.5N（99.99995%），且所有金属元素均低于检测极限值。
山西中电科表示，他们将继续加强关键核心技术的研发，以提升自身的核心竞争力。这一成就标志着公司在石墨粉纯化技术方面迈出了重要一步。
通用半导体：
SiC激光剥离设备交付
10月11日，据无锡日报消息，江苏通用半导体有限公司自研设备8英寸碳化硅晶锭激光剥离设备，于日前正式交付广州南砂晶圆半导体技术有限公司，并投入生产。
通用半导体董事长陶为银表示，该产品与传统的线切割工艺相比，大幅降低了产品损耗，而设备售价仅仅是国外同类产品的三分之一，属于国内首套。
资料显示，通用半导体的发展历程包括多个激光微纳加工领域的技术突破，其中，该公司在2023年成功研发出国内首台8英寸全自动SiC晶锭激光剥离产线。据悉，江苏通用通过自主研发的激光剥离设备，成功剥离出厚度仅为130微米的超薄碳化硅晶圆片，显著降低了生产成本。
陶为银还提到，公司的设备自动化水平不断提高，实现了6英寸和8英寸晶锭的全自动分片，提高了速度和良品率。随着新设备的陆续推向市场，通用半导体的订单已排至明年。公司的研发人员占比近40%，全部产线投入生产后，预计每年可剥离碳化硅衬底2万片。此外，公司还计划进一步加快产业化进程。
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