11月6日，天岳先进在官微宣布，他们已经向客户成功交付高质量低阻P型碳化硅衬底，标志着向以智能电网为代表的更高电压领域迈进了一步。
据了解，针对高压大功率电力电子器件用P型碳化硅单晶衬底存在的成本高、电阻率高、缺陷控制难度大等技术难题，天岳先进通过布局液相法获得了重要进展：一是2023年公布了全球首个8英寸碳化硅晶体；二是2024年推出了采用液相法制备的4度偏角P型碳化硅衬底。
目前，天岳先进采用液相法工艺，可获得低贯穿位错和零层错的碳化硅晶体，其P型4度偏角碳化硅衬底的电阻率小于200mΩ·cm，面内电阻率分布均匀，结晶性良好。未来，高质量低阻P型碳化硅衬底将极大加速高性能SiC-IGBT的发展进程，实现高端特高压功率器件国产化。
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值得一提的是，天岳先进已正式参编《2024碳化硅（SiC）产业调研白皮书》，将与众多行家企业一起深入剖析碳化硅产业脉络。《白皮书》将于今年12月中旬发布，届时也将深入展示天岳先进的SiC最新进展和布局。
除天岳先进外，合盛新材料、芯聚能、安海半导体、三安半导体、烁科晶体、青禾晶元、恒普技术、华卓精科、快克芯装备、泰坦未来、东尼电子、科友半导体、长联半导体、瑶芯微、致领半导体、奥亿达新材料、瑞霏光电、才道精密、亿值旺、纯水一号、中科光智、成都炭材、思锐智能、三义激光、中电化合物、森国科、清软微视、清连科技、弘信新材、高泰新材、创锐光谱、士兰微、意法半导体、西湖仪器等已正式参编《2024碳化硅（SiC）产业调研白皮书》，期待更多SiC领域的行家企业加入，共同推进碳化硅半导体产业发展，了解更多详情请扫描海报二维码。
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