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近日，山东、浙江及中国台湾地区共新增了4个GaN相关项目，详情请看：
山东：
新增2个GaN单晶项目
“行家说三代半”获悉，山东济南、临沂两地均新增了GaN项目：
● 济南：签约晶镓半导体
10月18日，据“投资济南”官微消息，济南市半导体、空天信息产业高价值技术成果本市转化对接会于17日在历城区国家超级计算济南中心举办，会上签约了一个GaN单晶项目——
据悉，山东晶镓半导体有限公司入驻新一代半导体公共服务平台项目，将依托山东大学晶体材料国家重点实验室、新一代半导体材料研究院研发的最新GaN单晶生长与衬底加工技术成果，后续将开展第三代半导体材料氮化镓（GaN）单晶衬底的研发、生产和销售，为电子、通信、计算等多个行业提供基础支撑。
资料显示，晶镓半导体成立于2023年8月，主要从事第三代半导体材料氮化镓（GaN）自支撑单晶衬底的研发、生产和销售；已与山东大学开展全方位产学研合作。是国际上少数具有完全自主知识产权的GaN自支撑单晶衬底生产制造厂家。
● 临沂：建设2英寸氮化镓单晶衬底项目
10月18日，据“中交雄安建设有限公司”官微披露，临沂市委书记任刚于16日到罗庄高新厂房项目调研，实地察看了一GaN项目建设进展。
任刚表示，罗庄区各相关部门要为项目建设保驾护航，保证项目顺利投产，利用氮化镓广阔的发展和应用前景，带动全市机械加工、软件、精加工等产业快速发展。
据悉，该GaN项目建成后，将与北京化工大学进行技术合作，采用具有独立技术产权的单晶衬底生产技术，引进先进的HVPE单晶氮化镓生产设备，特别是高HVPE单晶生产设备，生产2英寸氮化镓单晶衬底，将填补国内大尺寸、多片机生产氮化镓单晶衬底设备的空白。
浙江桐乡：
签约GaN外延项目
10月10日，据“桐乡发布”官微消息，桐乡临空经济区举行了招商推进会，42个优质项目集中签约，总投资达54.4亿元，其中包括一个GaN外延项目。
据悉，一个从事高性能、高品质氮化镓半导体外延片与芯片研发、生产及销售的氮化镓半导体外延片项目签约落户屠甸镇。
目前该项目暂无更多信息披露，“行家说三代半”将持续关注报道，敬请关注。
中国台湾：
签约GaN外延项目
10月4日，据“新竹科学园区”消息，中国台湾第19次国科会科学园区审议会成功召开，会上通过了5起投资案，其中包括冠亚半导体GaN项目。
消息披露，冠亚半导体计划投资15亿元新台币（约3.3亿人民币）在新竹园区新建项目，生产氮化镓功率器件相关产品，产品规格包括650V（GaN on Si）以下和1200V（GaN on Sapphire/SiC）以上，适用于高压、高功率、高速及低能耗的应用环境。
据“行家说三代半”此前报道，冠亚半导体于今年5月正式承接母公司台亚半导体的8英寸GaN业务，预计分割营业价值为10亿元新台币（约合人民币2.2亿）。
冠亚半导体总经理衣冠君曾透露，台亚半导体氮化镓初期产能建置以6英寸晶圆为主，现已完成第一代650V 150毫欧D-modeHEMT的动态可靠度测试，并送样给国内外客户，并以晶圆代工模式接受订单（冠亚代工）。
此外，冠亚8英寸第1套生产线目前已完成全部设备进机，目标今年第三季度初启动相关器件开发，年底前通过产品验证。
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