10月24日，德州仪器（TI）官网宣布，他们已在日本会津新建了一座8英寸GaN工厂并开始大规模生产。据称，结合其在美国德克萨斯州达拉斯的现有生产线，他们GaN半导体的产能将提升4倍。
德州仪器的高级副总裁Mohammad Yunus表示，公司已成功验证了8英寸GaN技术并开始在会津工厂大规模生产，计划到2030年将内部制造比例提高到95%以上。
据“行家说三代半”了解，德州仪器日本会津GaN产线由8英寸硅基生产线改造而来，其美国达拉斯工厂也预计在2025年完成8英寸过渡，未来2座工厂还将一步推进到12英寸。
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此外，德州仪器还透露了12英寸技术的相关进展——公司在今年早些时候已在12英寸晶圆上成功进行GaN制造工艺的试点，证实了德州仪器现有的GaN制造技术能够完全转移到更大尺寸的晶圆上；未来，德州仪器将在生产中转向使用12英寸晶圆。
实际上，今年9月英飞凌也透露了他们12英寸氮化镓晶圆的相关进展，并计划在2024年11月慕尼黑electronica贸易展上首次向公众展示；据行家说产研中心《季度内参——第三代半导体与新能源汽车（2024Q3）》，全球还有4家企业也曾宣布实现了12英寸GaN突破——
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