10月26日，据“证券时报”消息，晶升股份已成功研发了可视化的8英寸电阻法SiC单晶炉，晶体良率可提升20%以上，目前该设备已在客户端通过验证。
据悉，晶升股份研发的8英寸电阻法碳化硅单晶炉能够使碳化硅晶体生长过程变得“可视”，从而降低了研发成本，并为8英寸衬底的量产提供了设备基础。
据晶升股份董秘吴春生介绍，碳化硅单晶的生长以前在一个完全密闭的‘黑匣子’里进行，生长过程不可视导致每次看晶体就像开“盲盒”，只有打开炉体时才知晓晶体的生长状况。由于对晶体生长状态缺乏有效的观测手段，晶体生长过程中的异常无法及时调整，工艺开发需要大量实验去试错并迭代优化，这就导致开发周期长、费用高、良率低等问题。
而晶升股份向市场推出的8英寸电阻法碳化硅单晶炉，引入可视化检测系统，可实现长晶过程看得见。吴春生进一步介绍道，基于实时观测生长速度和粉料演变状态，该单晶炉可通过干预调节功率、压力等条件，让晶体生长处于可控状态。
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此外，该设备针对温度梯度控制的难题，采用多加热器布局，每个加热器可以单独控制，有效解决了温度梯度可控性差的问题，提高了晶体生长的品质；晶升股份团队从模拟、结构、材料选择等方面经过数十次的实验，最终找到二者的平衡点，将最低的长晶功率由30kW~40kW降低到25kW以下。
资料显示，晶升股份成立于2012年2月，从事8-12英寸半导体级单晶硅炉、6-8英寸碳化硅、砷化镓等半导体材料长晶设备及工艺开发；2023年4月，晶升股份正式登陆科创板，通过IPO，晶升股份拟募资4.76亿元，将用于总部生产及研发中心建设项目、半导体晶体生长设备总装测试厂区建设项目，项目计划包括6英寸至8英寸碳化硅单晶炉研发。
2024年H1，晶升股份营收1.99亿元，同比增长73.76%；净利润0.35亿元，同比大幅增长131.99%，实现了营收净利双增长；而在本次业绩报喜前不久，晶升股份还宣布实现了8英寸碳化硅长晶设备批量交付，其第一批8英寸碳化硅长晶设备已于2024年7月在重庆完成交付，开启了批量交付进程。
晶升股份8英寸碳化硅长晶设备相关业务已进入了新的发展阶段，未来将贡献新的业绩增长点。
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