昨天，国内外2个SiC衬底项目迎来关键节点：
天科合达：
碳化硅二期项目开工
11月12日，据“天科合达”官微消息，旗下“第三代半导体碳化硅衬底产业化基地建设二期项目”开工仪式在北京顺利举行。天科合达总经理杨建、天科合达常务副总经理彭同华等公司领导出席开工仪式。
据“行家说三代半”此前报道，二期项目位于北京市大兴区大兴新城东南片区，包括生产厂房、化学品库、危废库、一般固废库、综合楼、门卫等；天科合达拟购置长晶及附属、晶体加工、晶片加工等工艺设备，新建6-8英寸碳化硅衬底生产线及研发中心，以及相关配套设施。
项目用于扩大公司碳化硅晶体与晶片产能，同时建设研发中心以对生产工艺和参数持续进行优化和完善，投产后将实现年产约37.1万片导电型碳化硅衬底，其中6英寸导电型碳化硅衬底23.6万片，8英寸导电型碳化硅衬底13.5万片。
天科合达指出，该扩产项目旨在打造行业内领先的智能化生产线，量产8英寸碳化硅衬底。该项目全面投产后，公司的产能将得到显著提升，进一步巩固其在碳化硅衬底市场的领先地位。
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SK Siltron CCS：
获近35亿补贴用于SiC项目建设
11月12日，美国能源部（DOE）宣布了一项4.815亿美元（约34.8亿人民币）的贷款给SK Siltron CCS公司，以扩大其在美国的车规SiC晶圆的制造。
据“行家说三代半”此前报道，SK Siltron在美国密歇根州拥有2个SiC衬底工厂：
● 2019年SK Siltron以4.5亿美元（约29亿人民币）将其收购了杜邦的SiC部门，成立了美国子公司SK Siltron CSS；杜邦原先在美国密歇根州奥本市拥有SiC衬底工厂。
● 收购杜邦SiC业务后，SK Siltron表示追投3亿美元，在密歇根州贝城建立第2家碳化硅衬底工厂，以扩大碳化硅晶圆制造和研发能力。
2022年3月，贝城SiC工厂正式投入运营，年产量预计将在6万片；新工厂同步进行第二阶段的扩建建设，此前SK Siltron曾表示，到2026年美国的碳化硅衬底项目投资金额合计要达到6亿美元（约41亿人民币）。
据介绍，第二阶段扩建预计2025年完成，届时SK Siltron的6吋碳化硅衬底产能将增加到每年50万片。
今年1月，SK Siltron CSS还与英飞凌签订了SiC晶圆供应协议，将为英飞凌提供150mm碳化硅（SiC）晶圆，以支持其SiC产能扩充。在后续阶段，SK Siltron CSS将协助英飞凌向8英寸SiC晶圆过渡。
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