“在三星电子50年半导体历史开始的器兴园区，我们将为跨越式发展奠定基础，创造新的100年未来。”三星电子于11月18 日开始向位于器兴园区的下一代半导体研发 (R&D) 综合体“New Research & Development-K” (NRD-K)”引进设备。这一天，三星电子DS部门负责人（副董事长）全英贤这样表示，表达了新起点的决心。
NRD-K是三星电子为了主导未来半导体技术而建造的一个占地109,000平方米（33,000坪）的最先进的综合研发园区，到2030年总投资额将达到20万亿韩元（1036亿元人民币）。这一天，全英贤在纪念讲话中表示：“通过NRD-K，我们将建立从下一代半导体技术的基础研究到产品量产的良性循环体系，大幅提高开发速度。”
正如前全英贤所说，器兴园区对于三星半导体来说具有特殊的意义。器兴园区是三星电子在 1983 年 2 月发表《东京宣言》后正式开始半导体业务的象征性场所。它是半导体成功故事的摇篮，于1992年开发出世界上第一个64Mb DRAM，并于1993年在存储器半导体领域排名第一。
三星电子计划在半导体业务的发源地器兴市建设未来技术研究的核心NRD-K，为创新提供转折点，并最大限度地发挥技术能力和组织之间的协同作用。NRD-K是存储器、系统半导体和代工等所有半导体领域的重点研究基地，将配备先进的基础设施，以便从基础技术研究到产品开发的一切都可以在一个地方进行。
通过引进高分辨率EUV曝光设备和新材料沉积设备等尖端生产设施，预计将成为尖端半导体技术的摇篮，这些设备将用于下一代存储半导体的开发。作为晶圆键合基础设施，通过连接两个晶圆来实现创新结构。
据悉，制造下一代高带宽存储器（HBM）和超高层NAND闪存所需的混合键合也将在该工厂进行研究。从第六代HBM HBM4开始，预测了采用混合键合的可能性，预计400层以上的NAND稳定生产需要混合键合。
器兴市也是韩国半导体产业的中心，以三星电子半导体事业基地为中心，聚集了众多国内外材料、零部件、设备企业。随着新研发中心的建设，三星电子计划将器兴发展成为高科技半导体产业生态系统的中心，并进一步加强与合作伙伴公司的研发合作关系。
全球最大的半导体设备公司应用材料公司分公司经理 Gwang-seon Park 出席了当天的工厂开业仪式，他表示：“在合作共赢的伙伴关系更加重要的时刻，应用材料公司正在密切合作他表示，与三星电子共同加快半导体行业的创新步伐，我们将尽最大努力为发展做出贡献”。
与此同时，三星电子第三季度在研发方面投入了8.87万亿韩元，创历史最高季度金额，并正在竭尽全力通过扩大尖端封装设施来确保未来的技术竞争力。
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