据报道，三星电子已启动大规模人事调整，将工程师调往位于平泽的下一代半导体中心。但该公司否认了这些说法，称这些说法毫无根据。
韩国媒体称，此次人事变动是由三星执行副总裁兼设备解决方案 (DS) 部门负责人全英铉 (Young-hyun Jun) 主导的。
此次调动旨在提高先进 DRAM 工艺的良率，解决三星在高带宽存储器（HBM）方面的滞后问题，这是全永哲领导下振兴半导体部门的一项重要举措。
据韩国SBS报道，三星器兴和华城工厂的 2000 多名工程师已迁往平泽。据报道，此举由全俊下令，旨在让工程师更靠近生产基地，从而提高流程管理和产品质量。
此次调动的重点是专注于从开发到量产过渡期间优化成品率的工程师。
据报道，三星正在加速其平泽 P4 工厂的设备采购，预计将开始量产第六代 10nm 级 DRAM（1c DRAM）。
三星难以达到 Nvidia 的 HBM 标准
据报道，三星的 HBM3E 未能满足行业标准，今年可能会被排除在 Nvidia 的供应链之外。Wccftech于 12 月 11 日报道称，三星未能满足 Nvidia 的 HBM 标准，并罕见地道歉，同时表示对取得突破持乐观态度。
据《韩国日报》报道，三星承认今年“极不可能”满足英伟达对 8 层和 12 层 HBM3E 芯片的要求，但对明年仍持乐观态度。
据报道，由于 SK Hynix 采用大规模回流成型底部填充 (MR-MUF) 等先进技术提高了标准，三星一直难以赢得 Nvidia 的信任。
路透社3 月 12 日报道称，三星对非导电薄膜 (NCF) 技术的依赖导致了生产问题，并未能满足 Nvidia 的 HBM3 标准。
Money DJ报道称，三星最近订购了 MUF 专用芯片制造设备。分析师指出，三星 3 月份的 HBM3 良率仅为 10-20%，远低于 SK 海力士当时的 60-70%。
三星将 2,000 名工程师重新分配到平泽，很可能是为了解决 HBM3 的产量问题并缩小与 SK Hynix 的差距。
SK海力士3nm HBM4战略拉大与三星的差距
韩媒称，三星此次人事调整旨在提高对其第六代HBM4核心芯片至关重要的1c DRAM成品率，并缩小竞争激烈的HBM市场的差距。
SK Hynix 和美光已在其 HBM4 产品中选择了 1b DRAM（第五代 10nm 级）。专家表示，三星认为提高 1c DRAM 产量对于克服 HBM 市场挑战至关重要。
KED Global最新报告显示，受客户需求推动，SK Hynix 将在 2025 年底转向 3nm 工艺生产 HBM4。该公司将与台积电合作，主要客户为英伟达。
雅虎新闻援引社交平台X内部人士报道称，SK海力士采用台积电3nm技术，是对三星计划采用4nm工艺进行HBM4生产的战略回应。
HBM 芯片依靠底部的基片，连接到 GPU 作为其“大脑”。与 HBM4 芯片中的 5nm 芯片相比，3nm 基片可以将性能提高 20-30%。
SK 海力士转向 3nm 工艺符合其深化与英伟达、谷歌和微软等美国大型科技公司联系的战略，同时在美国出口限制的情况下减少对中国的依赖。
HBM4 的 3nm 基础芯片预计将扩大 SK 海力士对三星的领先优势，三星计划在其第六代 HBM4 芯片中使用 4nm 工艺。据Yahoo News和Money DJ报道，三星正在探索 3nm HBM4 芯片的生产，可能使用台积电的 3nm 技术。
三星在 HBM4 挑战中重组领导层
据Businesskorea报道，继第三季度预测疲软之后，三星的战略现在集中在早期 HBM4 量产和 2nm 以下代工解决方案上。
KED Global此前报道称，由于在人工智能热潮期间，三星在高级存储器领域落后于 SK 海力士和美光，该公司可能会削减高管职位并重组半导体业务。
韩联社和TrendForce报道称，三星电子于 11 月 27 日提前通知高管解雇事宜，启动年底重组。
KED Global援引行业官员的话称，三星的 DRAM 竞争力不断下降，必须进行重组，这是扭转命运的关键一步。
