安森美日前宣布，已与Qorvo达成协议，以1.15亿美元现金收购其碳化硅结型场效应晶体管(SiC JFET) 技术业务及其子公司United Silicon Carbide。
安森美表示，该收购将补足安森美广泛的EliteSiC电源产品组合，使其能应对人工智能（AI）数据中心电源AC-DC段对高能效和高功率密度的需求，还将加速安森美在电动汽车断路器和固态断路器(SSCB) 等新兴市场的部署。
据安森美所说，SiC JFET的单位面积导通电阻超低，低于任何其他技术的一半。它们还支持使用硅基晶体管几十年来常用的现成驱动器。综合这些优势， SiC JFET的采用能够加快开发速度，减少能耗并降低系统成本，为电源设计人员和数据中心运营商提供显著的价值。
“随着Al工作负载日趋复杂和高耗能，能提供高能效并能够处理高压的可靠SiC JFET将越来越重要。”安森美电源方案事业群总裁兼总经理Simon Keeton表示，“随着Qorvo业界领先的SiC JFET技术的加入，我们的智能电源产品组合将为客户提供多一种优化能耗，并提高功率密度的选择。”
Qorvo三年前的收购尝试，失败了
三年前，Qorvo宣布收购了总部位于新泽西州普林斯顿的联合碳化硅 (UnitedSiC)，这是一家碳化硅 (SiC) 功率半导体制造商。按照Qorvo所说，此次收购将 Qorvo 的业务范围扩大到电动汽车(EV)、工业电源控制、可再生能源和数据中心电源系统等快速增长的市场。
据Qorvo当时所说，United Silicon Carbide 的产品组合目前涵盖 80 多种 SiC FET、JFET 和肖特基二极管器件。 最近发布的第四代 SiC FET 基于共源共栅配置，其额定电压为 750 V，RDS (on)为 5.9 mΩ ，达到行业领先的水平，使 SiC 效率和性能达到新水平，这对于电动汽车充电器、DC-DC 转换器和牵引驱动器以及电信/服务器电源、变速电机驱动器和太阳能光伏 (PV) 逆变器至关重要。
据Qorvo当时所说，United Silicon Carbide 的产品组合目前涵盖 80 多种 SiC FET、JFET 和肖特基二极管器件。 最近发布的第四代 SiC FET 基于共源共栅配置，其额定电压为 750 V，RDS (on)为 5.9 mΩ ，达到行业领先的水平，使 SiC 效率和性能达到新水平，这对于电动汽车充电器、DC-DC 转换器和牵引驱动器以及电信/服务器电源、变速电机驱动器和太阳能光伏 (PV) 逆变器至关重要。
Qorvo 可编程电源高级总监 David Briggs 和 United Silicon Carbide 前总裁兼首席执行官、现任 Qorvo 电源设备解决方案总经理 Chris Dries 在接受媒体采访时分析了此次新收购的一些方面及其市场影响。Dries 表示，Qorvo 收购 Active-Semi 引发了其对电力电子领域的兴趣。目前的目标是通过利用 UnitedSiC 的复合半导体制造来实现多元化战略。
“可编程电源业务增长非常迅速，Qorvo 希望在电源领域占据更大的份额。此次收购加速了进入该领域的机会，并开始创建将我们的可编程灵活性和模拟控制 IP 与 UnitedSiC 产品相结合的解决方案，为我们的客户创建端到端解决方案，”Briggs 表示。
UnitedSiC 已开发出 共源共栅结构的SiC ，适用于需要常关设备的电力电子应用。在共源共栅配置中，功率 MOSFET 放置在 JFET 顶部，两者封装在一起，以实现极低的热阻。
SiC FET、JFET 和肖特基二极管器件是 United Silicon Carbide 提供的产品之一。JFET 结构是 SiC 制成的最基本的开关。由于它没有栅极氧化物并且是单极导电器件，因此它避免了与 MOSFET 相关的一些缺点。新推出的第四代 SiC FET 的最大工作电压为 750 V，RDS (on) 为 5.9 毫欧姆，使众多行业能够实现新的效率水平。
改进的开关和 R DS(on) 允许在电动汽车中实现更加强大的新应用，例如牵引驱动器和车载和非车载充电器，以及可再生能源逆变器、功率因数校正、电信转换器和一般 AC/DC 或 DC/DC 电源转换中的所有电源转换阶段。
在Qorvo看来，两家公司的综合经验使他们能够在汽车解决方案方面提供一定程度的差异化。“碳化硅提供的架构为我们提供了一个机会，让我们能够为整体电源架构创建不同的解决方案和控制机制。我们的目标是在安全性和控制以及最佳整体系统性能方面为我们的客户带来附加值。因此，这些将是我们在推进合并过程中探索的事情，”布里格斯说。
SiC 正在不断发展，并将与 IGBT 展开日益激烈的竞争，直至成为唯一的参与者。快速增长确实降低了成本。“我们刚刚发布了第四代器件，其芯片尺寸缩小了 30% 到 50%，从而进一步降低了解决方案的成本。然后，当您考虑到碳化硅逆变器带来的效率优势时，就更有理由考虑这个机会了。我的观点是，到本世纪末，碳化硅可能会开始在高功率汽车中占据主导地位，”Dries 说。
布里格斯补充道：“IGBT 将会继续存在，而且它们不会轻易为 SiC 让路，但最终，碳化硅的效率、性能和可靠性将很快占据主导地位，并占据大部分份额。”
因此，拥有良好的供应链非常重要。据 UnitedSiC 称，确保基板和外延的多样化供应可以确保市场领先地位。“在不同的外延供应商和基板供应商之间，我们有大约五条不同的合格供应链。我们看到了竞争，我认为这足以降低成本，”Dries 说。
确保参考设计解决方案非常重要，这样才能提供简单的设计机会并缩短上市时间。这将加速所有习惯于仅使用 IGBT 解决方案的设计师采用 SiC。据发言人称，参考设计是利用 Qorvo 现有的工程能力的绝佳方式。正如 Briggs 所说，提供完全集成的解决方案而不仅仅是分立的半导体，是一个增长的机会。
“我们目前正在研究太阳能逆变器的设计，SiC 有望成为太阳能装置和储能系统的核心，”Dries 说道。
“我们将研究如何进一步提高能源效率。一切都关乎效率以及如何最大化效率，因此这将与我们的技术相结合，我们将研究如何为该市场空间创造更好的解决方案，”布里格斯说。
SiC FET 通常用于电源转换、电路保护和电机驱动。根据 UnitedSiC 的说法，所描述的许多应用都具有一个共同的特点，即栅极驱动特性与 MOSFET 和 IGBT 等其他器件兼容，因此很容易将其集成到现有设计中。
UnitedSiC 的解决方案加入 Qorvo 产品组合后，将覆盖新兴市场中的多种应用，主要与能源相关。UnitedSiC 和 Qorvo 强调了继续以可扩展性和速度构建业务的机会，以加速 SiC 的采用，从而提高支持电动汽车部署的动力系统解决方案的效率。
UnitedSiC 已开发出 共源共栅结构的SiC ，适用于需要常关设备的电力电子应用。在共源共栅配置中，功率 MOSFET 放置在 JFET 顶部，两者封装在一起，以实现极低的热阻。
SiC FET、JFET 和肖特基二极管器件是 United Silicon Carbide 提供的产品之一。JFET 结构是 SiC 制成的最基本的开关。由于它没有栅极氧化物并且是单极导电器件，因此它避免了与 MOSFET 相关的一些缺点。新推出的第四代 SiC FET 的最大工作电压为 750 V，RDS (on) 为 5.9 毫欧姆，使众多行业能够实现新的效率水平。
改进的开关和 R DS(on) 允许在电动汽车中实现更加强大的新应用，例如牵引驱动器和车载和非车载充电器，以及可再生能源逆变器、功率因数校正、电信转换器和一般 AC/DC 或 DC/DC 电源转换中的所有电源转换阶段。
在Qorvo看来，两家公司的综合经验使他们能够在汽车解决方案方面提供一定程度的差异化。“碳化硅提供的架构为我们提供了一个机会，让我们能够为整体电源架构创建不同的解决方案和控制机制。我们的目标是在安全性和控制以及最佳整体系统性能方面为我们的客户带来附加值。因此，这些将是我们在推进合并过程中探索的事情，”布里格斯说。
SiC 正在不断发展，并将与 IGBT 展开日益激烈的竞争，直至成为唯一的参与者。快速增长确实降低了成本。“我们刚刚发布了第四代器件，其芯片尺寸缩小了 30% 到 50%，从而进一步降低了解决方案的成本。然后，当您考虑到碳化硅逆变器带来的效率优势时，就更有理由考虑这个机会了。我的观点是，到本世纪末，碳化硅可能会开始在高功率汽车中占据主导地位，”Dries 说。
布里格斯补充道：“IGBT 将会继续存在，而且它们不会轻易为 SiC 让路，但最终，碳化硅的效率、性能和可靠性将很快占据主导地位，并占据大部分份额。”
因此，拥有良好的供应链非常重要。据 UnitedSiC 称，确保基板和外延的多样化供应可以确保市场领先地位。“在不同的外延供应商和基板供应商之间，我们有大约五条不同的合格供应链。我们看到了竞争，我认为这足以降低成本，”Dries 说。
确保参考设计解决方案非常重要，这样才能提供简单的设计机会并缩短上市时间。这将加速所有习惯于仅使用 IGBT 解决方案的设计师采用 SiC。据发言人称，参考设计是利用 Qorvo 现有的工程能力的绝佳方式。正如 Briggs 所说，提供完全集成的解决方案而不仅仅是分立的半导体，是一个增长的机会。
“我们目前正在研究太阳能逆变器的设计，SiC 有望成为太阳能装置和储能系统的核心，”Dries 说道。
“我们将研究如何进一步提高能源效率。一切都关乎效率以及如何最大化效率，因此这将与我们的技术相结合，我们将研究如何为该市场空间创造更好的解决方案，”布里格斯说。
SiC FET 通常用于电源转换、电路保护和电机驱动。根据 UnitedSiC 的说法，所描述的许多应用都具有一个共同的特点，即栅极驱动特性与 MOSFET 和 IGBT 等其他器件兼容，因此很容易将其集成到现有设计中。
UnitedSiC 的解决方案加入 Qorvo 产品组合后，将覆盖新兴市场中的多种应用，主要与能源相关。UnitedSiC 和 Qorvo 强调了继续以可扩展性和速度构建业务的机会，以加速 SiC 的采用，从而提高支持电动汽车部署的动力系统解决方案的效率。
