FAB工艺流程

学术   2024-10-06 18:01   北京  


文章来源:学习那些事

原文作者:fastwriter


本文详细介绍了FAB工艺流程的12项重要步骤。


FAB工艺流程,即半导体制造流程,是将半导体材料(如硅)加工成集成电路(IC)芯片的一系列复杂过程。这个高度精密的制造过程是现代电子工业的基石,让我们能够生产出应用于手机、电脑、汽车及各种智能设备中的微处理器和内存芯片等。FAB,即Fabrication,意为制造,在半导体行业中特指用于生产集成电路的工厂及其制造过程。


FAB工艺流程的主要步骤

FAB工艺流程涵盖了从晶圆制造到最终测试的一系列步骤,每一步骤都对芯片的性能和产量有决定性的影响。下面详细解读这一复杂过程:

1. 晶圆制备

制作集成电路的第一步是制造硅晶圆。采用约化法将多晶硅净化为单晶硅,然后通过提拉法(如Czochralski(CZ)生长法)生长成大直径的单晶硅柱。接着将单晶硅柱切割成薄片,经抛光后形成平滑的晶圆,为后续工艺提供基底。

2. 氧化

在洁净的环境中,将晶圆表面氧化形成一层绝缘的二氧化硅膜,这一步是制作绝缘层和后续掩模工艺的基础。

3. 光刻

光刻是一种将电路图案转移到晶圆表面的过程。这一步涉及涂布光刻胶、干燥、曝光(通过遮罩)、发展、硬化等一系列操作,精细控制图案的转移过程。

4. 湿法和干法刻蚀

刻蚀是移除选定区域的材料以形成电路图案的过程。湿法刻蚀使用化学溶液,而干法刻蚀(如反应离子刻蚀)利用等离子体刻蚀技术,提供了更高的精确度和图案保真度。

5. 离子注入

离子注入是用来掺杂晶圆,通过将掺杂剂(如硼或砷)的离子以高速射入晶圆,改变其电学性质,形成n型或p型硅。

6. 化学气相沉积CVD)和物理气相沉积(PVD)

利用CVD和PVD技术在晶圆表面沉积绝缘层、导电层和金属层。这些薄膜用于构成晶体管的各个部分和互连。


7. 化学机械研磨(CMP)

CMP是一个将晶圆表面平坦化的过程,目的是为了保证后续层叠构造的精确度和一致性。

8. 层次化制程

重复执行光刻到CMP的过程,构建出复杂的多层电路结构。每一层都需要经过精确的对准以确保连结的正确。

9. 微细金属互连

利用电镀或CVD技术形成微细的金属导线,连接晶体管和其他元件,实现电路的功能。

10. 出光检测(AOI)

自动光学检测设备用来检查图案的错误和缺陷,确保每一步工艺都按照设计标准进行。

11. 封装

将完成的晶圆切割成单个的芯片,通过引线键合、焊接或其他方法,将芯片安装到封装体内并连接到外部接口。

12. 测试与分选

对每个封装好的芯片进行电学性能测试,根据测试结果对芯片进行分级和分选。

FAB工艺流程是一项高科技、高精度、高难度的技术挑战,涉及众多先进的物理、化学和材料科学知识。随着技术的进步,FAB工艺正向更小的制程尺寸、更高的集成度、以及更低的能耗方向发展,满足高科技时代对微型化、高性能电子产品的需求。每一步工艺的完善都是集成电路制造业不断创新和发展的见证,也是现代工业文明的重要基石。

END


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编辑:猫薄荷

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