文章来源：Tom聊芯片智造
原文作者：Tom
DBG是一种新颖的工艺，即先将晶圆正面半切，再将晶圆背面减薄。那么传统的，普遍的减薄与划片的工艺顺序是什么样子呢？
较为普遍的划片切割方式？
如上图，是常见的划片切割方式，即先将晶圆背面减薄，再将硅片进行划片。
1. Tape Laminator（贴膜）：
在晶圆的正面附上保护膜（BG Tape）这层膜有助于保护晶圆表面的芯片在背面减薄与cmp工序中免受损伤。
2. Rough Grinding（粗磨）：
使用粗磨设备对晶圆背面进行初步磨削，去除较大的厚度。粗磨阶段的目的是快速降低晶圆厚度，通常会去除大部分的材料，但表面粗糙度相对较高。
在粗磨之后，进行精磨或抛光磨削，以进一步减少晶圆厚度，并改善表面粗糙度。这一步能够去除粗磨留下的表面缺陷，达到更平滑的表面。
4.CMP（化学机械抛光）：
化学机械抛光，以去除晶圆背面剩余的应力，确保晶圆在后续工艺中不会因应力而破裂。此步骤的目的是进一步提高表面质量，确保晶圆的平整度和结构稳定性。
5. Frame Mounting（背面贴切割膜）：
将晶圆贴到到具有切割薄膜的框架上。框架上的切割薄膜将芯片牢牢固定，防止切割时芯片掉落。
6. BG Tape Peeling（除去晶圆正面的BG膜）：
去除最初贴在晶圆正面的保护膜，露出晶圆的正面，以便于划片工序的进行。
7. Dicing Saw（切割）：
使用划片机（Dicing Saw）对晶圆进行划片，沿着切割道将晶圆分割成单个芯片。
该减薄划片的方式的缺点？
当将晶圆减到较薄厚度时，在进行划片的过程中极易出现芯片崩边等问题，因此需要改用其他的划片切割方式，如DBG工艺，Taiko工艺，激光工艺等。
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编辑：薛定谔的猫
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