文章来源:Tom聊芯片智造
原文作者:Tom
DBG是一种新颖的工艺,即先将晶圆正面半切,再将晶圆背面减薄。那么传统的,普遍的减薄与划片的工艺顺序是什么样子呢?
较为普遍的划片切割方式?
如上图,是常见的划片切割方式,即先将晶圆背面减薄,再将硅片进行划片。
1. Tape Laminator(贴膜):
在晶圆的正面附上保护膜(BG Tape)这层膜有助于保护晶圆表面的芯片在背面减薄与cmp工序中免受损伤。
2. Rough Grinding(粗磨):
使用粗磨设备对晶圆背面进行初步磨削,去除较大的厚度。粗磨阶段的目的是快速降低晶圆厚度,通常会去除大部分的材料,但表面粗糙度相对较高。
在粗磨之后,进行精磨或抛光磨削,以进一步减少晶圆厚度,并改善表面粗糙度。这一步能够去除粗磨留下的表面缺陷,达到更平滑的表面。
4.CMP(化学机械抛光):
化学机械抛光,以去除晶圆背面剩余的应力,确保晶圆在后续工艺中不会因应力而破裂。此步骤的目的是进一步提高表面质量,确保晶圆的平整度和结构稳定性。
5. Frame Mounting(背面贴切割膜):
将晶圆贴到到具有切割薄膜的框架上。框架上的切割薄膜将芯片牢牢固定,防止切割时芯片掉落。
6. BG Tape Peeling(除去晶圆正面的BG膜):
去除最初贴在晶圆正面的保护膜,露出晶圆的正面,以便于划片工序的进行。
7. Dicing Saw(切割):
使用划片机(Dicing Saw)对晶圆进行划片,沿着切割道将晶圆分割成单个芯片。
该减薄划片的方式的缺点?
当将晶圆减到较薄厚度时,在进行划片的过程中极易出现芯片崩边等问题,因此需要改用其他的划片切割方式,如DBG工艺,Taiko工艺,激光工艺等。
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编辑:薛定谔的猫
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