关于光刻胶的一些知识
学术
2024-10-13 18:01
北京
文章来源:晶格半导体
原文作者:晶格半导体
光刻主要由曝光、显影、刻蚀等主要步骤组成。为了增强图案传递的精确性和可靠性,整个过程还包括涂胶、去水烘烤(Dehydration)、涂底(Priming)、软烤(Soft Bake)、硬烤(Hard Bake)等步骤。
光刻胶是一种对光敏感的聚合物,受到光辐照之后发生光化学反应,其内部分子结构发生变化,在显影液中光刻胶感光部分与未感光部分的熔解速度相差非常大。由三种成分组成:感光剂 (Sensitizer),树脂(Resin),溶剂(Solvent),根据对光作用后产生的不同化学反应,把光刻胶分成两类:正胶、负胶。所谓负胶是指那些在紫外线光照射下,胶发生交联聚合反应的那种光刻胶。优点:良好的粘附能力和抗刻蚀能力、感光速度快。缺点:显影时发生变形和膨胀,导致其分辨率。灵敏度:保留曝光区域光刻胶原始厚度的50%所需的能量。相反正胶指在uv照射下,胶发生分解,变成可溶于碱性溶液的那类光刻胶。优点:分辨率高、对比度好。缺点:粘附性差、抗刻蚀能力差、高成本。灵敏度:曝光区域光刻胶完全溶解时所需的能量。光刻胶对UV特别敏感,但对其它波长的光,如红色,桔色,黄色光不太敏感,因此光刻间被图成黄色,工作人员也不必象洗相片那样在暗室里工作。现在工艺上更愿意使用正胶。END
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