关于光刻胶的一些知识
学术
2024-10-13 18:01
北京
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文章来源：晶格半导体
原文作者：晶格半导体
光刻主要由曝光、显影、刻蚀等主要步骤组成。为了增强图案传递的精确性和可靠性，整个过程还包括涂胶、去水烘烤（Dehydration)、涂底（Priming)、软烤（Soft Bake)、硬烤(Hard Bake)等步骤。
光刻胶是一种对光敏感的聚合物，受到光辐照之后发生光化学反应，其内部分子结构发生变化，在显影液中光刻胶感光部分与未感光部分的熔解速度相差非常大。由三种成分组成：感光剂 （Sensitizer)，树脂(Resin)，溶剂(Solvent)，根据对光作用后产生的不同化学反应，把光刻胶分成两类：正胶、负胶。所谓负胶是指那些在紫外线光照射下，胶发生交联聚合反应的那种光刻胶。优点：良好的粘附能力和抗刻蚀能力、感光速度快。缺点：显影时发生变形和膨胀，导致其分辨率。灵敏度：保留曝光区域光刻胶原始厚度的50%所需的能量。相反正胶指在uv照射下，胶发生分解，变成可溶于碱性溶液的那类光刻胶。优点：分辨率高、对比度好。缺点：粘附性差、抗刻蚀能力差、高成本。灵敏度：曝光区域光刻胶完全溶解时所需的能量。光刻胶对UV特别敏感，但对其它波长的光，如红色，桔色，黄色光不太敏感，因此光刻间被图成黄色，工作人员也不必象洗相片那样在暗室里工作。现在工艺上更愿意使用正胶。END
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