文章来源:Tom聊芯片智造
原文作者:Tom
本文简单介绍了氮化钛(TiN)在晶圆制造中的作用以及问什么可以做抗反射层。
氮化钛除了做阻挡层还有哪些作用?一般用什么方式沉积的呢?
在半导体制造中,金属如Cu,Al 容易扩散到硅基底中。TiN可以作为一种有效的物理屏障,防止金属扩散到硅中。某些膜层与膜层之间性质差距较大,之间的粘附力较差,如铜与氧化物表SiO₂。此时在SiO₂表面沉积一层TiN薄膜,之后再沉积Cu,就很容易解决Cu薄膜脱落的问题。光的反射会导致光刻时的驻波效应,从而影响图形的精确度,特别是反射率较高的材质。通过使用TiN作为ARC,可以减少光的反射,确保光刻图案的准确性。这个主要从TiN的物理性质入手。TiN具有较高的吸收系数,特别是在UV,DUV波段。而SiO₂,Al₂O₃等吸光系数几乎为0,高吸收系数意味着TiN能有效吸收大部分紫外光,减少反射光的干扰。溅射法:高能氩离子轰击钛钯,溅射出钛原子,钛原子与氮气反应,生成氮化钛。
MoCVD法:350℃下,前驱体TDMAT, Ti[N(CH3)2]4反应生成TiN。END
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