文章来源：Tom聊芯片智造
原文作者：Tom
晶圆的激光划片中，一般听的比较多的是激光隐切，有没有激光全切呢？这两种方式有什么差别？各有哪些应用场景？
什么是激光全切与隐切？
激光全切（下图），Laser full cut，也可叫Ablation，短脉冲激光照射晶圆表面，激光将材料从固态直接转变为气态，从而去除材料。
激光隐切（下图），Stealth Dicing，将激光聚焦在晶圆内部，在不破坏表面形貌的情况下，在晶圆内部形成一个改质层，改质层中的材质由于受到激光的照射，性质发生了变化。之后会在外力作用下，沿着SD layer将晶圆分割为一粒粒的芯片。
激光全切与隐切的各自特点？
激光全切优点：切割速度快；适用于各种厚度的晶圆；无需后续机械分割。
激光全切缺点：晶圆表面会被损伤；颗粒污染严重；热应力与机械应力大。
激光隐切优点：表面无损伤；切割应力小，适合较薄或脆的材质。
激光隐切缺点：切割速度慢；后续还需扩膜工艺使晶圆裂解。
激光隐切与全切的应用场景？
1. 激光全切
常用于以下材料：硅，锗，金属衬底，碳化硅（SiC），砷化镓（GaAs），DAF 膜
芯片产品：太阳能电池，LED，功率器件，射频器件，NAND Flash
2，激光隐切
常用于以下材料：硅，蓝宝石，碳化硅
芯片产品：MEMS，RFID，LED，功率器件
END
转载内容仅代表作者观点
不代表中国科学院半导体所立场
编辑：薛定谔的猫
责编：六块钱的鱼
投稿邮箱：weixin@semi.ac.cn
