香港城市大学曾志远团队Nat. Commun.:具有增强化学吸附位点的金属1T/1T′相TMD纳米片可实现超高效率铅去除

学术   2024-11-01 12:03   江苏  
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第一作者(或者共同第一作者): 梅亮,孙明子,杨锐捷

通讯作者(或者共同通讯作者): 曾志远,谷林,黄勃龙

通讯单位: 香港城市大学,清华大学,香港理工大学

论文DOI  DOI : 10.1038/s41467-024-52078-y.


成果简介

  近日,香港城市大学曾志远教授联合清华大学谷林教授和香港理工大学黄渤龙教授在国际知名期刊Nature communications发表了题为“Metallic 1T/1T′ Phase TMD Nanosheets with Enhanced Chemisorption Sites for Ultrahigh-Efficiency Lead Removal”的研究论文,利用1T/1T′相的过渡金属硫化物纳米片表面激活的S化学吸附位点对饮用水中重金属离子铅的高效去除,采用同步辐射球差电镜加理论计算深入探究了吸附机理,提出了S-Pb键形成的单原子吸附机制,并且Pb2+只吸附在过渡金属顶部位点。为重金属离子的去除提供了新的认识



引言

二维(2D)材料作为吸附剂在去除饮用水中的重金属离子(HMI)方面备受关注,因其丰富的吸附位点。然而,目前实验研究尚不足以充分发挥其吸附能力并揭示机制。本研究合成的金属1T/1T'2D过渡金属二硫化物(TMD),如MoS2WS2TaS2TiS2纳米片,展现出卓越的铅离子(Pb2+)去除能力,达到758 mg/g。实验结果表明,Pb2+浓度可在0.5分钟内从2 mg/L降至2 μg/L,符合世卫组织标准(Pb2+ < 10 μg/L)。通过原子级表征和密度泛函理论计算,发现Pb2+以单原子形式通过形成S-Pb键吸附在过渡金属原子顶端。此外,利用金属相MoS2纳米片制成的点式过滤器(POU),对1 mg/LPb2+水展现出55 L/g吸附剂的处理能力,显著优于其他2D材料和商业活性炭



全文速览

 二维(2D)材料作为吸附剂在去除饮用水中的重金属离子(HMI)方面备受关注,因其丰富的吸附位点。然而,目前实验研究尚不足以充分发挥其吸附能力并揭示机制。本研究合成的金属1T/1T'2D过渡金属二硫化物(TMD),如MoS2WS2TaS2TiS2纳米片,展现出卓越的铅离子(Pb2+)去除能力,达到758 mg/g。实验结果表明,Pb2+浓度可在0.5分钟内从2 mg/L降至2 μg/L,符合世卫组织标准(Pb2+ < 10 μg/L)。通过原子级表征和密度泛函理论计算,发现Pb2+以单原子形式通过形成S-Pb键吸附在过渡金属原子顶端。此外,利用金属相MoS2纳米片制成的点式过滤器(POU),对1 mg/LPb2+水展现出55 L/g吸附剂的处理能力,显著优于其他2D材料和商业活性炭



引言

饮用水中的重金属离子(HMI)因其高毒性、快速迁移性和不可生物降解性,对人类健康构成严重威胁,铅离子(Pb2+)、镉离子(Cd2+)和汞离子(Hg2+)尤为关注。尽管已有化学沉淀、溶剂萃取、离子交换和膜分离等多种技术,但去除效率仍无法满足世界卫生组织对Pb2+10 μg/L)、Cd2+3 μg/L)和Hg2+6 μg/L)的严格标准。吸附因其优异的能力和操作简便性被视为有效去除HMI的策略。根据硬/软酸碱(HSAB)理论,路易斯软酸(Pb2+Cd2+Hg2+)倾向于与含有SNO的软碱基团结合,因此理想的HMI吸附材料应具备丰富的软碱基团。多种材料,特别是二维(2D)材料,如六方氮化硼(h-BN)、氧化石墨烯(GO)、过渡金属碳化物/氮化物(MXenes)和过渡金属二硫化物(TMDs),已被开发用于HMI去除。TMDs因其层状结构和丰富的硫位点而成为有希望的材料。目前研究集中在通过增加层间距或将MoS2剥离为单层纳米片来提高硫原子的利用率,并通过相调控至1T/1T'增强HMI的吸附能力等。但关于吸附位点、Pb2+吸附形貌及Pb-S键形成的机制仍需进一步探索。



图文导读

1. 四种1T/1T'2D过渡金属二硫化物(TMD,包括MoS2WS2TaS2TiS2)纳米片对不同金属离子的去处效率。


四种1T/1T'2D TMD纳米片对初始浓度为2 mg/LPb2+几乎实现100%去除率(图1a, c, e, g),计算的分配系数(Kd)显示,MoS2WS2TaS2TiS2Pb2+Kd值分别为5.57 ×1073.59 × 1073.90 × 1071.58 × 107 mL/g,远高于其他金属阳离子(1b, d, f, h),表明对Pb2+具有优异的选择性。这种选择性源于剥离的TMD纳米片中丰富的S位点与Pb2+的强相互作用。此外,Na+Ca2+和自来水对四种二维材料的Pb2+去除效率不影响(图1i-l)。吸附等温线显示,MoS2WS2TaS2TiS2Pb2+的饱和吸附容量分别为758 mg/g401 mg/g311 mg/g574 mg/g(图1m)。动力学实验表明,MoS2WS20.50.75分钟内将Pb2+浓度降至2 μg/L,而TaS2TiS24分钟内降至3 μg/L(图1n)。综合比较显示,MoS2在几乎所有吸附性能指标上均优于其他吸附剂(图1o, p


2. 四种1T/1T'2D TMDs吸附Pb2+的球差电镜表征图以及对应的原子吸附模型图。


TMD-Pb纳米片的高分辨率高角度环形暗场扫描透射电子显微镜(HAADF-STEM)图像显示,过渡金属原子(MoWTaTi)呈规则排列,并且出现一些更亮的点(红色圆圈),对应单个Pb原子,表明Pb2+以单原子形式吸附。这些Pb单原子与TMD晶体中的过渡金属原子位点重叠(图2bglq),显示Pb位于过渡金属原子的顶部。HAADF-STEM信号强度分析表明,Pb与过渡金属的原子间距离相等(图2chmr),进一步确认了Pb的精确重叠。此外,MoS2WS21T'结构,理论上有六种不同的Pb2+吸附位点(图2di),而TaS2TiS2则为对称的1T结构,仅有三个吸附位点(图2ns)。实验结果确认,仅顶部金属位点可作为Pb2+的结合位点(图2ejot


3. 四种1T/1T'2D TMDs吸附Pb2+的结构表征。


为确定MoS2WS2TaS2TiS2Pb2+的吸附是物理还是化学过程,我们进行了基于同步加速器的X射线吸收精细结构(XAFS)表征。TMD-Pb样品的Pb L3边的归一化X射线吸收近边结构(XANES)光谱与PbOPbS相似,表明Pb的平均氧化态约为2,主要以单原子形式存在(图3a)。从Pb L3边的扩展X射线吸收精细结构(EXAFS)光谱得出的R空间曲线显示,TMD-Pb样品中存在Pb-S键,与标准PbS样品一致,而未检测到Pb-Pb键,进一步证实了单原子Pb的形成(图3b)。XRD结果也支持Pb的原子级分散(图3c)。小波变换图展示了四种TMD-Pb样品中Pb-S键的位置(图3d-g)。对比吸附前后的XPS数据发现,电子从TMD转移至Pb2+(图3h-l


4. DFT计算分析四种1T/1T'2D TMDs吸附Pb2+的机理。


第一性原理计算(DFT)显示,Pb2+相比其他金属离子在TMD表面的吸附能显著更低,表明其更适合吸附(图4a-c),唯一例外是Cu2+1T-TiS2上的吸附略强(图4d)。不同吸附位点的能量分析发现,1T'-MoS2WS2M-top位点12以及1T-TaS2TiS2M-top位点1Pb2+的最优吸附位(图4e-h),与实验结果一致。Pb2+迁移至邻近的S位点面临1.01-1.51 eV的能量势垒。此外,所有TMD表面上,S-3p轨道与Pb-6s轨道之间的良好匹配支持了Pb-S键的形成,与XAS结果吻合(图3d-g)。同时,PbS位点之间的p-p轨道重叠也支持了有效的电子转移,确保了Pb-S键的稳定性(图4i-l


5. MoS2膜作为点式过滤器(POU filter)Pb2+的过滤去除性能。


在四种材料中,MoS2Pb2+的吸附性能最佳,循环再生实验表明,经过五个循环后,其去除效率仍维持在约94%(图5a-b),显示其可重复利用。我们进一步探讨了将MoS2制成层状膜作为点式过滤器(POU)的应用(图5c)。通过压力辅助过滤实验,MoS2膜在出口浓度达到10 μgL−1之前(WHO安全值),可处理0.25 mgL−1Pb2+溶液670ml1 mgL−1Pb2+溶液200ml,且一个循环后保持92%的效率(图5e)。过滤后,MoS2膜的截面球差电镜显示层间存在单原子Pb(图5f-h)。与之前报道的材料相比,我们的MoS2膜在处理容量上表现优异(图5i)。



6.金属 1T/1T′ TMD 纳米片用于超高效去除重金属铅的示意图。


基于全面表征和理论计算,图6展示了高产率制备金属1T/1T'相单/双层TMD纳米片的过程及其在Pb2+去除中的优越性能,关键因素包括:

(1) 精确锂离子嵌入:通过电化学锂嵌入和剥离控制插Li+量,实现≥92%的单/双层TMD产率,最大化S原子暴露,提供丰富的Pb2+吸附位点,提升吸附容量。

(2) 电子转移诱导相变:锂原子的插入引发电子转移,使TMD材料从2H相转变为1T′相,促进S位点的均匀电子分布,增强Pb2+吸附动力学。

(3) 高效吸附位点:丰富且活化的S吸附位点导致Pb2+吸附后残留浓度极低。理论计算表明,1T′相的MoS2WS2具有六个稳定吸附位点,S1S2M-top)的吸附能最低,1T相的TaS2TiS2则有三个稳定位点,均有效吸附Pb2+,与HAADF-STEM观察一致。

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小结

我们的研究通过开发一系列金属 1T/1T′ TMD 纳米片(如 MoS2WS2TaS2 TiS2),在有效去除 Pb2+ 方面取得显著进展。这些纳米片具有高产量的单层/双层结构和丰富的 S 化学吸附位点,展现出快速的吸附动力学、极低的残留量、高吸附容量、卓越的选择性和超高的去除效率,比已经报道的 Pb2+ 吸附剂性能要好。通过多模态表征和理论计算,我们发现TMD 纳米片出色的Pb2+去除性能源于Li+ 插入过程中的电子掺杂激活了 S 化学吸附位点,并提出了 S-Pb 键的单原子吸附机制。此外,我们展示了 MoS2 膜在去除 Pb2+ 作为高效 POU 点式过滤器的潜在应用。这些发现凸显了金属1T/1T′ TMD 纳米片在减少饮用水中重金属污染方面的巨大潜力,并为改善 HMI 吸附性能提供了调节吸附位点微环境的依据

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作者简介

曾志远,香港城市大学副教授,博士生导师,城大海洋污染国家重点实验室成员。曾在美国劳伦斯伯克利国家实验室,应用材料公司(硅谷)从事博士后研究、半导体芯片工艺(Plasma Etching)研发。现主要从事二维TMDs材料的电化学Li+插层剥离技术、膜分离技术、原位液相透射电镜技术等研究。在Nat. Mater., Nat. Rev. Chem., Nat. Protoc., Nat. Synth. Nat. Commun.等杂志共发表SCI论文160篇,H因子652024年获香港大学教育资助委员会(University Grants Committee)新进学者协作研究补助金(Young Collaborative Research Grant483万港币)。
课题组主页:https://www.zeng-lab.com/。



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