视频源：Surfx
混合键合技术是半导体制造领域的一项重大进步，它能够垂直堆叠芯片，从而提高性能。能够实现异质材料的集成并提高性能指标。该工艺将介电键与嵌入式金属相结合，以创建永久互连，从而增加无凸块的连接密度。最终的好处是提高效率并降低功耗，使其成为先进封装行业变革性的方法！
该领域的两种主要方法是芯片到晶圆 (C2W) 和晶圆到晶圆 (W2W) 键合，每种方法都有独特的特点和技术挑战。
键合方法：
C2W 键合：涉及将单个芯片（已知良好芯片）对准晶圆。这种方法可以提高成品率，因为可以在键合之前识别和排除有故障的芯片。在对准和键合条件方面更复杂，尤其是在集成不同材料或几何形状时.
W2W 键合：涉及将两个晶圆键合在一起。这种技术通常支持更大规模的集成，涉及的表面积较大。在键合方法上通常执行起来更简单，因为它键合了两个相同技术的晶圆，但管理整体键合面积可能会带来与均匀压力和温度分布相关的挑战 。
材料兼容性：
C2W：便于使用多种材料，允许创新组合以增强功能，但需要仔细考虑热膨胀系数和粘合材料。
W2W：由于所涉及晶圆的性质，倾向于使用更兼容的材料，这可以简化集成过程。
对准精度：
C2W：未对准会导致产量损失，需要复杂的对准技术来确保精度。
W2W：虽然它通常受益于更大的晶圆，但仍会出现对准问题，特别是当晶圆的尺寸或材料不同时。
压力和温度控制：
这两种工艺都需要对粘合压力和温度进行细致的控制。在 C2W 中，必须均匀施加压力以确保牢固的粘合，而在 W2W 中，晶圆上的温度变化可能导致不均匀的粘合和潜在的缺陷 。
裂纹形成风险：
这两种粘合方法都面临着在粘合过程中形成裂纹的挑战。这种风险需要精心设计和精心选择材料，以减轻可能导致故障的应力。
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