视频来源：G&P
半导体晶圆的超净清洗是去除各种污染物，用于减少晶圆中的颗粒、有机残留物和金属污染物，而不损坏晶圆表面。尤其是CMP（化学机械平坦化）后的清洗技术技术要求最高，其重要性高于任何其他工艺。在节点工艺趋向于更小（例如 5nm 及以下）的情况下。确保晶圆表面没有杂质对于光刻、蚀刻和沉积等工艺至关重要。
一般清洗设备，由一个室和一个SRD（旋转冲洗干燥）室组成，并配备自动晶圆传输和装载系统。
其主要有以下几种方法：
湿法清洗：最传统的方法，使用氢氟酸 (HF) 和去离子水等化学品去除晶圆表面的氧化物、有机和金属污染物。
技术分析：在高压喷射从晶圆表面去除的颗粒重新吸附到晶圆上的现象，给实现超净清洗带来了技术难度。在干燥过程中，由于去离子水蒸气蒸发和水分未完全去除，晶圆表面会受到损坏.须通过制造、腔室内壁设计等对防止再污染技术进行深入研究来进行。
干法清洗：这包括等离子清洗，它使用电离气体清洁晶圆，而无需使用液体。这是一种避免水印和处理精细结构的有效技术。
低温清洗：使用低温冷却粒子物理地敲掉污染物而不损坏晶圆，为化学溶液提供了替代方案。
兆声清洗：利用液体介质中的高频声波从晶圆表面去除颗粒。这对于去除亚微米颗粒非常有效，同时对晶圆结构温和。
背面清洁：Ultra C b 系统等专用工具可清洁晶圆背面，以去除可能干扰后续阶段（如键合或蚀刻）的污染物。
WAFER清洗装置的开发技术：
Brush Module：
毛刷与晶圆的摩擦力的计算：
颗粒去除效率 (PRE) 随着刷子间距变小而变差，而当刷子间距为 0 时颗粒去除效率最佳。
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