功率模块的芯片键合与传统的芯片接合相比，功率模块的生产有特殊的要求。一般流程是功率 MOSFET、IGBT 和二极管直接从晶圆上切下，并放置在大型工件载体中的 DBC 基板上。功率模块芯片键合机是组装大功率设备的重要工具，尤其是在电动汽车、可再生能源和工业电力系统等应用中。这些机器执行将半导体芯片键合到基板的复杂任务，使用的技术可以承受高功率和散热要求。
以下是总结一些IGBT 键合技术相关总结：
芯片贴装：功率模块芯片键合机通常使用烧结或高温焊接来连接芯片，因为这些材料可以承受比传统粘合剂更高的功率负载。
线材和带材键合：对于芯片互连，线材或带材键合方法（通常使用铝或铜）可确保电气连接能够承受热循环和大电流。
直接键合铜 (DBC) 或直接键合铝 (DBA)：这些基板可增强散热，这是大功率模块的必需品。
精密运动控制：功率模块键合机采用精密运动系统，将芯片精确对准并放置在基板上。
压力和温度控制：精确控制压力和温度对于成功烧结或焊接至关重要，这可确保牢固、可靠的粘合并降低热阻。
自动检测：先进的成像和基于激光的检测技术通常被集成在一起，以验证粘合质量并防止出现空隙或错位。
材料兼容性：选择能够承受极端热应力和机械应力而不会降解或翘曲的材料很复杂。
以下为IGBT键合机资料部分截图:(资料已放入知识星球，见文末下载方法）
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