昨天，世界先进与合盛硅业与分别宣布了一件大事，均与8英寸SiC相关：
● 世界先进：斥资5.5亿人民币认购汉磊13%股权，携手共建8吋SiC产线。
● 合盛硅业：其8英寸导电型4H-SiC衬底项目已实现全线贯通。
汉磊&世界先进：
携手共建8吋SiC产线
9月10日，汉磊科技发布公告，宣布与世界先进集成电路股份有限公司签订策略合作协议，双方将携手合作，推动化合物半导体8英寸SiC晶圆的技术研发与生产制造。相关技术初期由汉磊转移，预计2026下半年开始量产。
同时，世界先进并策略投资参与汉磊科技公司私募普通股认购，投资金额24.8亿元新台币（约5.5亿人民币），以共同推动具竞争优势的产品制造服务，建立双方的长期策略合作关系。
汉磊办理私募增资案，由世界先进认购5000万股，投资24.8亿元新台币，取得13%股权。汉磊将于主管机关核准募资登记后，和世界先进展开合作。
结合双方的技术优势和市场资源，汉磊及世界先进并将共同进行SiC技术研发、市场推广，为客户创造更大的价值；未来双方亦将评估SiC技术研发及量产进度，进行更进一步的合作。
汉磊科技董事长徐建华表示，“汉磊集团旗下的嘉晶电子与世界先进长期以来是硅外延事业合作伙伴，本次私募引进世界先进成为策略性股东，透过投资结合将使彼此间策略合作更趋紧密。汉磊与世界先进的合作将在汉磊现有6英寸晶圆制造技术及客户的基础上，共同合作进行8英寸SiC技术平台开发及产能布建，以提供全球IDM及Fabless客户具有长期竞争力的解决方案。本次策略合作可为世界先进、汉磊及嘉晶电子三方公司创造新的成长动能与合作综效，并为客户及股东权益创造更高价值。”
世界先进公司董事长方略表示：“世界先进公司与汉磊的策略伙伴关系将两家公司的核心资源与优势紧密结合，为双方合作奠定互惠双赢的坚实基础。我们相信，凭借公司领先的特殊集成电路制造专业，以及汉磊在化合物半导体领域的卓越技术，使公司基于现有的电源管理IC，分离式组件以及氮化镓外，再导入碳化硅后，更能成为具备完整第三类化合物半导体的8英寸晶圆厂，为拓展电源管理产品相关业务市场，提供从低功耗到高功率、从低频到高频操作，更加完整的电源管理技术平台，冀能为客户的产品提供更具竞争力的全方位解决方案。此外，我们也期许透过与汉磊携手研发创新绿能技术，为实现低碳永续的未来尽一份心力。”
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合盛新材料：
8英寸SiC衬底项目全线贯通
9月10日，合盛硅业官微消息，旗下子公司合盛新材料于近期正式宣布8英寸导电型4H-SiC衬底项目已实现全线贯通。
全智能生产车间
据介绍，合盛新材料生产的8英寸导电型4H-SiC衬底在多个关键性能指标上表现出色。这些衬底具有极低的微管密度（低于0.05/cm²）、100%的4H晶型面积比例、稳定的电阻率（0.015-0.025Ω·cm），以及优异的结晶质量和位错控制。
左：8英寸衬底 右：8英寸晶锭
加工能力方面，合盛新材料已经具备生产500μm和350μm厚度衬底的成熟工艺，产品面型数据达到国际先进水平。此外，衬底表面金属离子浓度得到严格控制，确保了表面质量。
在外延工艺验证中，使用合盛衬底生产的外延片展现出高均匀性和低缺陷密度，证明了合盛在半导体材料领域的技术实力。
此外，合盛硅业还在9日宣布其上海研发制造中心项目主体顺利封顶，该设施将着力研发第三代半导体碳化硅长晶技术和硅基新材料高端产品。
值得一提的是，合盛新材料已正式参编《2024碳化硅（SiC）产业调研白皮书》，将与众多行家企业一起深入剖析碳化硅产业脉络。《白皮书》将于今年12月中旬发布，届时也将深入展示合盛新材料的SiC最新进展和布局。
除合盛新材料外、芯聚能、安海半导体、三安半导体、烁科晶体、天岳先进、青禾晶元、恒普技术、华卓精科、快克芯装备、泰坦未来、东尼电子、科友半导体、长联半导体、瑶芯微、致领半导体、奥亿达新材料、瑞霏光电、才道精密、亿值旺、纯水一号、中科光智、成都炭材、中电化合物、森国科、士兰微、清软微视、清连科技、弘信新材、高泰新材、创锐光谱等已正式参编《2024碳化硅（SiC）产业调研白皮书》，期待更多SiC领域的行家企业加入，共同推进碳化硅半导体产业发展，了解更多详情请扫描海报二维码。
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