上一篇介绍完Cu-Al IMC的生长速率后，有朋友问到Au-Al IMC的生长规律，关于金线的IMC生长速率，在上篇文章中提到的《铜级金丝与铝合金焊盘键合的金属间化合物生长和可靠性》一文中有做相应的介绍，Au-Al IMC生长速率关系式与Cu-Al 相同，且根据实验数据与IMC厚度&温度公式提供了Au-Al IMC生长速率与温度的对应数据。
根据上文的数据带入lnK与1/T的关系式，则可得到如下的拟合曲线：
且excel还可以直接给出拟合直线的公式(图中红框部分)，该直线的斜率则等于-∇Q/R，由此则可计算出Au-Al活化能为47.5kJ/mol；而lnK0=-20.921，由此可计算出K0=8.2E-10。这里需要特别强调下原文的计算结果中∇Q=40.1kJ/mol，为什么会有这么大的出入，为此我特地对比了下双方的拟合曲线：
仔细对比原文图形，发现上图红框内数据不一致，重新计算后确认为原文作者在拟合曲线时出错导致，因此以本文计算结果为准。
将计算出的∇Q和K0带入IMC生长速率与温度之间的公式，以及IMC生长厚度与温度公式，则可得到Au-Al IMC生长关系式：
由此可将Au-Al IMC生长速率与上篇文章获得的Cu-Al IMC生长速率做对比：
大家可以看到，Au-Al IMC 100℃烘烤半小时所生成的厚度，Cu-Al 235℃烘烤6h才能勉强达到。由此可见，Au-Al IMC生长速度相比Cu-Al是碾压式的存在。
因此Cu-Al IMC不需要担心过度生长引起的可靠性问题，而主要考核其覆盖面积，以此来预估IMC在通过WB后的热制程后可达到的结合强度，所以烘烤条件需略小于WB后热制程的综合温度及时间，以获取其键合强度的下限。
而Au-Al IMC由于其生长速度过快，烘烤后的IMC覆盖面积无需关注，只需考虑IMC过度生长后因自身脆性及"kirkendall"空洞等因素引起键合强度降低的问题，因此Au-Al IMC烘烤需大于WB后热制程的综合温度及时间，以获得其IMC生长上限。
不过从Au-Al IMC的生长曲线看，175℃烘烤6h IMC烘烤厚度已达到7um以上，这放在目前Au-Al工艺中是不太合理的，分析下来大概有以下原因：
文献发表日期为2006年，距今已接近20年时间，期间不管是金线还是铝焊盘的生产工艺都经历了翻天覆地的变化，当前Au-Al工艺在抑制IMC生长方面已经不是那个年代能比的了；
文献中数据毕竟出现一处错误，影响计算结果，因此该文所指向的计算结果仅可用来作为不同IMC生长趋势及量级的参考，具体数据有待考究。
若读者中有具备实验条件的人士存在，则可参考其分析方法，根据真实的实验结果，获得当前更为准确的IMC生长公式。
其实验步骤如下：
1. 根据不同温度条件下，获得其时间同IMC厚度的数据，再使用IMC厚度、时间公式，拟合出IMC厚度"δ"与时间"t平方根"的直线，其斜率就是生长速率"K的平方根"，以此可得到生长速率"K"与温度"T"的对应数据；
2. 根据生长速率"K"与温度"T"的对应数据，通过生长速率公式(下图红框)，拟合出lnK与1/T之间的直线公式，其斜率就是-∇Q/R，其常数项就是lnK0，最终再将计算结果带入IMC生长厚度经验公式即可获得最终关系式。
另外也有网友问Cu-Sn IMC的生长关系式，目前找到以下文献介绍其经验公式与Au-Al、Cu-Al一致，但文献中仅有图形，缺少实际数据，因此有兴趣的朋友也可按照上述方式，实验获得其IMC生长关系式。
