国投证券认为，随着中高端产品的研发进展快速推进、新产品导入上量，半导体光刻胶国产化突围在即。
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光刻胶关键技术加速突破
为了打破国外对光刻胶技术的垄断，中国光刻胶企业正在加速实现关键技术的突破，自主创新成果不断涌现。2024年11月30日消息，国家知识产权局信息显示，杭州合盛微电子有限公司申请一项名为“一种适用于高台阶基底的光刻胶涂布方法”的专利；深圳市邦得凌半导体材料有限公司申请一项名为“黑色光刻胶组合物及其制备方法和黑色边框制作工艺”的专利；苏州皓申智能科技取得半自动显影装置专利，使得晶圆上的光刻胶完全反应；上海艾深斯取得一种增强型负性光刻胶及其制备方法专利。
另外，近日徐州博康成功研发出湿法光刻胶，突破了14纳米节点，显著降低了对海外高端光刻胶的依赖。紧接着，武汉太紫微推出了T150A光刻胶产品，该产品不仅通过了半导体工艺量产验证，还实现了配方的全自主设计。
国产光刻胶企业正迅速崛起
光刻胶是一种在微电子技术中用于微细图形加工的关键材料，广泛应用于半导体、平板显示、印刷电路板等领域。
光刻胶利用光化学反应，经光刻工艺将所需要的微细图形从掩模版转移到待加工基片上的图形转移介质，是光刻工艺得以实现选择性刻蚀的关键材料，被广泛应用于光电信息产业的微细图形线路的加工制作。
在大规模集成电路的制造过程中，光刻和刻蚀技术是精细线路图形加工中最重要的工艺，占芯片制造时间的40%-50%。以集成电路为例，光刻工艺的过程可概括为涂胶、曝光、显影等环节。
在全球芯片半导体行业复苏的背景下，国产光刻胶企业正迅速崛起。近年来，光刻胶行业受到了中国政府的高度重视，国家出台了多项政策以支持该行业的发展。这些政策包括《重点新材料首批次应用示范指导目录》和《关于促进集成电路产业和软件产业高质量发展企业所得税政策的公告》等，旨在为光刻胶行业提供广阔的市场前景和良好的生产经营环境。因此，掌握光刻胶技术、推动国产替代的企业有望迎来高速发展的机遇。
市场增量空间巨大
行业预测显示，全球光刻胶市场将在未来几年保持强劲增长，预计到2026年市场规模将超过120亿美元。在中国，光刻胶市场规模预计在2026年将达到156亿元人民币，年复合增长率接近7%，市场增量空间巨大。
目前，中国半导体光刻胶的国产化率相对较低，特别是在高端光刻胶领域，KrF和ArF光刻胶的国产化率均不足10%。然而，随着国产光刻胶技术的持续突破，这一劣势正逐渐转变为国产替代的巨大潜力。
国投证券认为，随着中高端产品的研发进展快速推进、新产品导入上量，半导体光刻胶国产化突围在即。半导体光刻胶壁垒高、国产化率低，作为半导体关键材料，自主可控需求迫切。国内厂商积极布局光刻胶及其上游材料供应链，中高端产品较为薄弱领域有望加速突破。
东吴证券认为，国际形势愈发严峻，多方助力半导体材料国产化加速：11月特朗普宣布赢得2024年美总统选举后，预计在科技领域可能加大对华高科技出口管制，包括半导体等，可能通过“实体清单”等手段限制中国科技企业。这些措施构成全方位封锁网，从设备、人才、技术、资本等多维度围堵中国半导体产业，美国打压策略已扩展至联合盟友和全产业链封锁。自2022年10月美国出台“半导体制造”最终用途限制措施以来，对比22年与24年国产化率数据，我国半导体国产化率在部分领域有所提升，但仍存在不少挑战。国家大基金与各地专项基金持续助力，相较于一期更侧重IC制造，国家大基金二期则更加关注设备、材料等上游产业链，投资分布上，装备、材料领域投资占比增加至10%，三期注册资本达3440亿元人民币，超过一二期之和，预计大基金三期的投资方向将继续延续对半导体设备和材料的支持，半导体材料国产替代化有望加速。
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