我们在大多数的器件上，并没有看到有什么电容，除了一些少数裸Die的大器件上会排列小电容器。
事实上大多数的器件内部都有滤波电容，而且大器件（CPU等）需要进行专门设计，以满足器件高频噪声的要求。
器件内部的滤波电容包括了：封装电容和片上电容。
器件封装电容的作用已在上一节简单描述，而片上电容：决定了更高频段的电源分配网络阻抗。然而片上电容并不像封装电容，是一个个电容元器件，而是芯片内部的各种寄生电容：
1. 芯片内部电源层和地层之间的电容。
2. 所有P管/N管的栅极电容（MOS管的G极和基底之间可以看成一个个的平板电容）。
3. 其它各种寄生电容。
芯片上最大的电容源自分布在片上各处的栅极电容（面积大，数以百万计），在任何时刻PMOS和NMOS都是一个开启一个关闭。
这意味着总有一个MOS管的栅极被连接到芯片的电源与地之间，由栅极形成的单位面积电容近似为：
C/A=8.85* F/m² *DK/h。
举个栗子，对于130nm工艺芯片，P/N管的片上电容约为：
C/A=130 nf/cm²。
65nm芯片片上电容约为：
C/A=260 nf/cm²。
如下右图为250nF片上电容的阻抗曲线图。
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