图1 条件(I)下873 K压缩的HfNbTaTiZr单晶SAEDP (a)和g = -1100hcp (c)的暗场图像。(b) (a)的示意图。(a), (b)光束方向(B)为[110]bcc，[11-20]hcp。
图2 条件(I)下873k压缩HfNbTaTiZr单晶HAADF-STEM图像(a)和STEM-EDS图(b) - (f)(b) Hf, (c) Nb, (d) Ta, (e) Ti, (f) Zr。
图3 (a)条件(I)下HfNbTaTiZr单晶在873 K压缩时的HRTEM图像；沿[110]bcc和[11-20]hcp方向拍摄。(a)中区域A (b)和B (c)的FFT模式。区域A和B分别由bcc和hcp相组成。(d)和(e)分别为(b)和(c)放大后的IFFT图像。(f)分解成bcc1和bcc2相，然后析出hcp相的示意图。
图4 HfNbTaTiZr合金在873 K下退火100 h的SAEDP (a)和亮场图像(c)。(b) (a)的原理图；B = [110]bcc, [0001]hcp。至少可以看到两种hcp变体。
图5 (a) 873 K退火的HfNbTaTiZr单晶显微维氏硬度随退火时间的变化(b) （II）和（III）条件下压缩的HfNbTaTiZr多晶屈服应力的温度依赖性。(I)条件下压缩的单晶和多晶的数据也显示出来。
论文链接：
https://doi.org/10.1016/j.scriptamat.2024.116401
