图一：数值模拟研究中对真实材料微观结构的解释：(a)和(b)LOM显微图；(c)SEM显微图；(d)XRD测量图；(e)具有拉长初生晶粒和片层状次生晶粒的周期性RVEs。
图二：A、B、C、D四种案例合成织构的立体极图和RVEs。
A：每个初级晶粒具有完全随机的HCP晶体取向。
B：在HCP晶体的y轴[1100]平行于𝐧的约束下，每个初级晶粒具有随机的晶体取向。
C：每个主晶粒由一个HCP晶体组成，其y轴[1100]与𝐧平行，如情况B，但y轴[0001]与全局𝑍轴之间的角度接近0◦。
D：每个原粒由两种类型的交替层组成。初级层与情形C具有相同的晶体取向。在二级层中，HCP晶体的z轴[0001]与𝐧平行，而y轴[1100]与𝑍轴方向接近。
图三：案例D中不同交替层的HCP晶体的z轴[0001]与构造平面XY夹角的直方图。
图四：案例A、B、C、D分别在X、Y、Z方向单轴拉伸的应力应变曲线。
图五：案例D不同方向单轴拉伸应力应变曲线与试验的对比。
图六：总应变为2%时，在𝑋方向荷载作用下，基滑移族和柱滑移族的滑移。
图八：总应变为2%时，在X和Z方向荷载下的总有效滑移。
论文链接：
https://doi.org/10.1016/j.mechmat.2021.104034
