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会议议题：
SiC/GaN衬底、外延、器件、应用及第三代半导体耗材与装备等。
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1月5日，兴迪（广东）科技有限公司在惠州市惠阳区秋长街道新塘地段正式启动了GaN外延片生产线建设项目。该项目作为广东省唯一一家6寸氮化镓外延片生产基地，标志着兴迪科技在高端半导体材料领域迈出了重要一步。兴迪（广东）科技有限公司，作为一家于2024年12月11日刚刚在惠州市惠阳区成立的有限责任公司，注册资本达500万元，法定代表人为李靖元先生。公司选址于惠阳区秋长街道新塘地段（紧邻华叶家博园），致力于半导体材料领域的技术研发与生产。![]()
此次奠基的GaN外延片生产线建设及封测项目，是兴迪科技在半导体产业领域迈出的重要一步。项目建设地点位于秋长街道新塘地段，占地面积达100,000平方米,建筑面积为218,942平方米（其中一期面积为58,070平方米）。项目总投资高达30亿元人民币，其中一期投资为10亿元人民币，将用于规划建设半导体生产厂房及配套设施。据项目负责人介绍，该项目建设周期为18个月，预计年产6寸GaN外延片12万片。产品方向涵盖了第三代半导体氮化镓、碳化硅磊晶叠构设计、外延片生产等多个领域。主要产品包括外延磊晶片、传感器外延磊晶片、光学与医美Vcsel外延磊晶片以及氮化镓、碳化硅半导体材料功率器件外延磊晶片等。在技术标准方面，项目将采用GaN第三代半导体技术的最高标准，确保产品质量与国际接轨。生产设备方面，项目将引进先进的进口生产设备MOV、晶圆片测试设备、试验设备以及IT系统等，为高效、精准的生产提供有力保障。来源：惠州市惠阳区秋长商会
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