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产品创新
1、8英寸车规级N型SiC衬底
完成研发并实现量产
2、SiC SBD
推出第五代高浪涌版本及2000V高电压等级系列，在光伏领域规模化应用
3、SiC MOSFET
推出第二代产品，驱动电压兼容 15V/18V，Ronsp 更低效率更高
4、GaN功率器件
推出适用于工规级的650V/30mΩ产品
市场开拓
1、2024年公司营收继续保持高质量快速发展，新能源汽车、光伏、充电桩、工业电源、数据中心服务器等领域均有较大突破；
2、8英寸SiC衬底已实现小批量出货；
3、针对车规级市场，车载充电机、空调压缩机用SiC实视小批量出货，主驱逆恋器用SiC MOSFET已在重点新能源汽车客户处导入可靠性验证；
4、工规级1700V/1Ω和1200V/32mΩ SiC MOSFET已在光伏及充电桩领域批量出货。
产线建设
湖南三安已拥有SiC配套产能16,000片/月，后续扩产后配套产能将达到36万片/年，目前8英寸SiC衬底、外延产能为1,000片/月，8英寸SiC芯片产线正在安装调试中。
湖南三安子公司和合资公司最新进展
2024.08 重庆三安 衬底厂点亮通线；
2024.11 苏州斯科 全桥功率模块已完成产品验证2025年有望迎来批量生产；
2024.11 安意法 首期产线已完成点亮，预计2025年一季度通线后开始流片验证，并逐步释放产能。
合作交流
2024.03 与维谛技术达成战略合作；
2024.05 应邀出席中法企业家委员会第六次会议闭幕式；
2024.07 应邀出席中意企业家委员会第七次会议开幕式；
2024.09 与虹安微电子签署战略合作协议。
来源：三安半导体
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