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在国家重点研发计划“大尺寸氧化镓半导体材料与高性能器件研究” （项目编号：2022YFB3605500）支持下，厦门大学张洪良系统地研究了杭州富加镓业科技有限公司（以下简称：富加镓业）提供的分子束外延（MBE）制备氧化镓薄膜的电输运性质，并与日本及美国科研团队成果进行比对，结果表明富加镓业所生长的氧化镓 MBE 外延片电学性能与国外最高水平相当。另外，与中科院上海光机所团队合作，结合变温电输运性质和高分辨光电子能谱技术研究了 Sn 掺杂激活机制和缺陷态微观信息，为进一步优化掺杂策略和器件性能提供了指导，相关研究结果刊登在国际应用物理知名期刊 Materials Today Physics （影响因子10.0）。
图1 （a）不同Sn源温度得到的 Ga2O3 薄膜的载流子浓度及迁移率；（b）本工作与其他报道中 MBE 生长的 Ga2O3 薄膜迁移率-载流子浓度关系比较。
文章链接：
Transport and electronic structure properties of MBE grown Sn doped Ga2O3 homo-epitaxial films
Materials Today Physics 48, 101555 (2024)
https://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S2542529324002311
杭州富加镓业科技有限公司成立于 2019 年 12 月 31 日，是杭州光学精密机械研究所注册成立的第一家“硬科技”企业，公司以“让世界用上好材料”为愿景，开展宽禁带半导体氧化镓材料的产业化工作，主要从事氧化镓单晶材料生长、氧化镓衬底及外延片研发、生产和销售工作，产品主要应用于功率器件、微波射频及光电探测等领域。
来源：文章由杭州富加镓业供稿。
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