近日，据国外知名半导体媒体《今日半导体》透漏，中国宽禁带半导体材料、组件和代工服务供应商三安光电股份有限公司，推出了一系列SIC功率产品，包括一系列1700V和2000V器件。
当前，国内外主流晶圆代工厂（Foundry）均有 1700V SiC 二极管实现量产出货。然而，从 650V、900V、1200V 一路发展至 1700V，似乎已触及工艺极限。许多国内厂商已放弃对高性能的攻坚，转而全力进行成本降低（Costdown）。在此背景下，三安此次在高性能方面的持续迭代，充分彰显了其在研发上的坚定决心，着实难能可贵。正所谓 “一寸长，一寸强！”
先说一下，此次发布的新品主要亮点：
>1700V 碳化硅 MOSFET，导通电阻为 1000mΩ；
>1700V 碳化硅二极管，有 25A 和 50A 两种型号；
>2000V 40A 碳化硅二极管，计划在 2024 年底推出 20A 版本；
>正在开发 2000V 35mΩ 碳化硅 MOSFET（发布日期为 2025 年）
新的碳化硅器件在广泛的应用中与传统的硅基替代品相比具有卓越的效率，包括：
>光伏组件逆变器和功率优化器；
>电动汽车快速充电站；
>储能系统；
>高压电网和能源传输网络。
在高压直流输电、智能电网等场景中，高耐压的 SiC 器件能够更好地承受高电压，减少能量损耗，提高电力传输的效率。例如在长距离输电线路中，高耐压 SiC 器件可以减少因电压转换带来的能量损失，使电能更高效地传输到目的地。并且，其稳定的性能可以降低因电压波动或过电压等情况导致的系统故障概率，增强电力系统的稳定性和可靠性。
对于电动汽车的逆变器、车载充电器等部件，高耐压的 SiC 器件能够承受更高的电压，提高电动汽车的动力性能和充电速度。高耐压的 SiC 器件可以在更高的电压下工作，这意味着在相同的电流下，能够输出更高的功率，从而提高电动汽车的加速性能和续航里程。
在光伏逆变器中，高耐压的 SiC 器件可以更好地适应光伏电池板输出的高电压，提高逆变器的转换效率，增加光伏发电系统的发电量。同时，高耐压的 SiC 器件还可以降低逆变器的体积和重量，便于安装和维护。
1700V 碳化硅 MOSFET 和二极管特别适用于需要比传统 1200V 器件更高电压余量的应用。同时，2000V 碳化硅二极管可用于高达 1500V 直流的高直流母线电压系统，满足工业和电力传输应用的需求。
“随着世界向更清洁的能源和更高效的电力系统过渡，对高性能功率半导体的需求持续增长，” 销售与市场副总裁指出。“我们扩展的碳化硅产品组合表明了我们致力于推动这一关键领域的创新。” 新的 1700V 和 2000V 碳化硅器件现已可供样品试用。
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