美国马萨诸塞州洛厄尔市的 MACOM 技术解决方案公司（从事射频、微波、模拟、混合信号和光半导体技术的设计与制造）已获选领导一个开发项目，为射频（RF）和微波应用建立碳化硅（SiC）衬底氮化镓（GaN）工艺技术。该项目由美国《芯片与科学法案》通过美国国防部（DoD）资助，将重点开发适用于氮化镓基材料和能在高压及毫米波（mmW）频率下高效运行的单片微波集成电路（MMICs）的半导体制造工艺。
MACOM 是宽带隙半导体商业领先（CLAWS）微电子公共中心的成员之一，将与北卡罗来纳州立大学（NCSU）、北卡罗来纳州卡里市从北卡罗来纳州立大学分离出来的 Adroit Materials 公司以及美国海军研究实验室（NRL）共同开展该项目。本年度该项目的资助金额为 340 万美元。
这一资助拓展了与国防部开展的一系列氮化镓技术开发活动，包括 2021 年与美国空军研究实验室（AFRL）签订的一项合作研究与开发协议（CRADA），当时 MACOM 将美国空军研究实验室的 0.14μm 碳化硅基氮化镓单片微波集成电路工艺转移至其位于马萨诸塞州的美国MACOM代工厂。2023 年，美国空军研究实验室又授予一份价值 400 万美元的合同，用于开发适用于毫米波应用的氮化镓技术，此外，美国国防高级研究计划局（DARPA）还授予一项价值高达 1010 万美元的奖励，旨在改善大功率应用中的散热问题。今年早些时候，MACOM 还获得了一份由《芯片法案》资助的单独的氮化镓技术开发合同，价值高达 1140 万美元。
“我们的战略是增加国内最先进的射频和微波功率技术的生产，以支持我国军方的雷达和传感应用，并助力下一代电信网络的发展，” 总裁兼首席执行官斯蒂芬・G・戴利（Stephen G. Daly）表示。他认为：“根据这些合同开发的技术和产品将有助于美国和 MACOM 保持领先地位。”
