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研究概述
Nature Communications
在基于GaN的功率器件中，声子工程对于热管理至关重要，其中声子-缺陷相互作用限制了性能。然而，由于空间分辨率有限，检测受III族氮化物缺陷限制的纳米级声子传输具有挑战性。在此，北京大学王新强教授、王涛高级工程师和美国橡树岭国家实验室Lucas Lindsay使用先进的扫描透射电子显微镜和电子能量损失谱来研究GaN中棱柱形堆垛层错中的振动模式。通过将实验结果与从头算计算进行比较，确定了三种类型的缺陷衍生模式：局域缺陷模式、受限体模式和完全扩展模式。此外，与无缺陷的GaN相比，PSF表现出较小的声子能隙和较低的声速，这表明热导率降低。研究通过先进的表征方法阐明了GaN缺陷的振动行为，并强调了可能影响热行为的特性。
该文章以“Atomic-scale visualization of defect-induced localized vibrations in GaN”为题发表于国际顶级期刊《Nature Communications》。
文章信息
Nature Communications
Atomic-scale visualization of defect-induced localized vibrations in GaN. Hailing Jiang, Tao Wang*, Zhenyu Zhang, Fang Liu, Ruochen Shi, Bowen Sheng, Shanshan Sheng, Weikun Ge, Ping Wang, Bo Shen, Bo Sun, Peng Gao, Lucas Lindsay* & Xinqiang Wang*. Nat Commun 15, 9052 (2024).
https://doi.org/10.1038/s41467-024-53394-z
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