她为中国半导体材料科学的发展奠定了坚实基础，在一定程度上推动中国相关领域进步几十年。
她拉制出的锗单晶和硅单晶，制造出了半导体收音机。
她研制成的大规模集成电路，为计算机、通信等现代电子设备的发展提供了核心技术支持。
她研制的硅外延材料，对“两弹一星”工程做出了重大贡献，高质量的半导体材料在国防科技装备和国防通信设备中起到了至关重要的作用，保障了国防装备的性能和可靠性。
她还是世界上最早在太空制成半导体材料砷化镓单晶的科学家之一，为我国航天技术的发展提供了重要的材料支持。
可以这样说，如果没有她，就没有我们先进的民用电子产品，就没有我们发达的通信技术，就没有我们的神舟系列飞船。
她终生未婚，无儿无女，却培养出了大批优秀人才。这些优秀的学子们成为了我国半导体领域的中坚力量，为我国的电子计算机、航天通信等领域做出了重大贡献。
她是林兰英，中国科学院院士，“半导体材料之母”，“太空材料之母”。
她，才是我们应该追的“星”！
林兰英1918年2月7日，出生于福建莆田的名门望族，祖上是明朝的御史林润，父亲是当地知名知识分子。
林兰英幼时当地重男轻女思想盛行。为争取上学机会，7 岁的林兰英曾绝食近 3 天，最终家人同意她读书。
此后，林兰英在学习上展现出了非凡的天赋和努力。
她在学校里成绩优异，初中六个学期均保持全年级第一名，还免除了学杂费。
高中曾在莆田中学高中部和咸益中学就读，在这两所学校就读期间，她六个学期依然是年级第一。
她逐渐成为家人的骄傲。
1936 年，林兰英考入福建协和大学物理系。
1940 年，以优秀毕业生的身份留校任教，教授多门物理课程，还编写了《光学实验课程》的教科书，获得讲师任职资格。
1948 年，林兰英赴美留学，进入宾夕法尼亚州迪金森学院数学系。
1949 年，获得迪金森学院数学学士学位，提前三年获得美国大学荣誉学会迪金森分会奖励的金钥匙。同年，改学固体物理专业，进入宾夕法尼亚大学研究生院。
1951 年，获得宾夕法尼亚大学固体物理学硕士学位，之后继续攻读博士学位，师从米勒教授。
1955 年，凭借论文《弱 x 射线辐照引起氯化钾和氯化钠晶体的膨胀》获得博士学位，是宾夕法尼亚大学建校 215 年以来第一位获得博士学位的中国人，也是该校有史以来的第一位女博士。
博士毕业后，她进入美国索菲尼亚公司担任高级工程师，带领团队进行的半导体研究达到了领先全美先进水平。
成为技术骨干、核心力量后，林兰英薪酬也随之不断提高，到1956年，她的年薪涨到了10000美金。
科研取得成就后，林兰英决定回国，投身祖国建设，为中国的半导体事业发展贡献力量。
当时国内给她开出的月薪是207元人民币，换算下来，她在美国的月工资是国内的30倍，但林兰英依然放弃了美国的优厚待遇，冲破重重阻力回国。
她带回了两个小瓶子，让中国半导体技术至少进步30年。
当时林兰英深知半导体材料对中国的重要性，在回国前，她将自己在实验室提炼出的珍稀的单晶硅和锗用两个小瓶装好，藏在行李的角落。
林兰英在过美国海关时遭到严格搜查，海关人员发现了她行李中的两个小瓶子，询问是什么。
林兰英冷静地回答说这是给母亲带的药，怕过期了所以放在小瓶子里。
海关人员半信半疑，这时他们又发现了林兰英行李中的一沓美元。
林兰英告诉海关人员，这些美元一共6800美元，是她在美国工作的积蓄。海关官员表示带大额美元回国是违规的，要扣留这些美元。
林兰英故意表现出不满，和海关人员争论，吸引了他们的注意力。
最终，海关人员没收了6800美元，而林兰英成功地将两个装着单晶硅和锗的小瓶子带回了中国。
6800美元在当时是一笔不小的数目，可以购买一套很豪华的房子。
但是跟林兰英带回来的小瓶子价值相比微不足道，让美国后来追悔莫及。
那两个小瓶子里装的是100克的单晶硅以及500克的单晶锗。
这些半导体材料对于当时中国的半导体事业发展具有极其重要的价值，林兰英回国内将它们捐献给了中科院，为中国半导体材料的研究和发展奠定了重要基础。
1957年1月，林兰英回到中国，进入中国科学院半导体所工作，带领科研团队创造了半导体研发领域的多个“中国第一”。
半导体锗硅单晶、单晶炉的研制:
1957 年拉制成功第一根锗单晶，1958 年研制成功中国第一根硅单晶，使中国成为世界上第三个生产出硅单晶的国家。
1961 年制造出中国第一台开门式硅单晶炉，1962 年拉制成中国第一根无位错的硅单晶，无位错达国际先进水平。
化合物半导体晶体的研制：
20 世纪 60 年代起，将研究拓展到化合物半导体材料，进行了高纯度锑化铟单晶、砷化镓单晶等方面的研究。
首次提出用汽相外延和液相外延法制取砷化镓单晶，砷化镓汽相外延电子迁移率长期处于国际领先地位。
开创太空砷化镓单晶材料的研究：
1987 年到 1990 年期间，利用返回式人造卫星进行砷化镓单晶太空生长实验数次并取得成功，在该领域取得了显著成就。
还有其他贡献：她的科研成果为中国微电子和光电子学的发展奠定了基础，推动了中国半导体材料科学的进步。
此外她还培养了一批优秀的科研人才，为中国的科技事业做出了重要贡献。
2003 年 3 月 4 日 13 时 36 分，林兰英因肺癌转移至脑，在北京逝世，享年 85 岁。
国士无双，民族脊梁。
林兰英的科研成就和爱国精神，值得每一个中国人敬仰和学习。
